140 Results for : formmasse

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    Rutenbeck 10010051 Abdeckung (B x H x T) 80 x 80 x 5mm Weiß
    Abdeckplatte aus ABS-Formmasse, reinweiß (ähnlich RAL 9010), 80 x 80 x 5 mm, 12 g
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    • Price: 0.84 EUR excl. shipping
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    DFLS2607 DII - Gleichrichterdiode, 60 V, 2 A, PowerDI-123
    Niedriger Leistungsverlust, hohe EffizienzBleifreie Oberfläche, RoHS-konformGrüne Formmasse
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    • Price: 0.70 EUR excl. shipping
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    DFLS240L7 DII - Gleichrichterdiode, 40 V, 2 A, PowerDI-123
    Niedriger Leistungsverlust, hohe EffizienzBleifreie Oberfläche, RoHS-konformGrüne Formmasse
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    • Price: 0.45 EUR excl. shipping
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    MUR 860 - Gleichrichterdiode, 600 V, 8 A, TO-220AC
    Ultrafast Diode, TO-220AC, 600V, 8AMerkmale:• Plastikverpackung hat die UL-Entflammbarkeitsklassifizierung 94V-0. Flammhemmende Epoxid-Formmasse.• geringer Leistungsverlust, hohe Effizienz.• Hohe Überspannungsfähigkeit• Ultra schnelle Erholungszeit, Hochspannung.• Bleifrei in Übereinstimmung mit der EU RoHS.Mechanische Daten• Gehäuse: TO-220AC gegossener Kunststoff• Anschlüsse: lötplattiert, lötbar nach MIL-STD-750, Methode 2026• Polarität: Wie markiert.• Montage-Position: Beliebig
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    • Price: 0.48 EUR excl. shipping
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    IGW15N120H3 - IGBT-Transistor, N-CH, 1200V, 30A, 217W, TO-247-3
    IGW15N120H31200V Hochgeschwindigkeits-IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-TechnologieMerkmale und Vorteile:• TRENCHSTOP™ Technologieangebot• sehr niedrige Abschaltenergie• niedriger VCEsat• niedrige EMI• maximale Sperrschichttemperatur 175°C• nach JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert- Pb-freie Verbleiung, halogenfreie Formmasse, RoHS-konform- Vollständiges Produktspektrum und PSpice-Modelle: http://www.infineon.com/igbt/Anwendungen:• unterbrechungsfreie Stromversorgungen• Schweißkonverter• Umrichter mit hoher Schaltfrequenz
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    • Price: 3.70 EUR excl. shipping
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    IGW40N60H3 - IGBT-Transistor, N-Kanal, 600 V, 80 A, 306W, TO-247-3
    IGW40N60H3600V Hochgeschwindigkeits-IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-TechnologieMerkmale und Vorteile:• TRENCHSTOP™ Technologieangebot• sehr niedriger VCEsat• niedrige EMI• Sehr weiche, schnell wiederherstellende Anti-Parallel-Diode• maximale Sperrschichttemperatur 175°C• nach JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert• Pb-freie Verbleiung, halogenfreie Formmasse, RoHS-konform• Vollständiges Produktspektrum und PSpice-Modelle: http://www.infineon.com/igbt/Anwendungen:• unterbrechungsfreie Stromversorgungen• Schweißkonverter• Umrichter mit hoher Schaltfrequenz
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    • Price: 4.35 EUR excl. shipping
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    PD3S160-7 - Schottky-Gleichrichter-Diode, 60 V, 1A, POWERDI323
    1,0A SMD-Schottky-Barriere-Gleichrichter POWERDI®323Merkmale:• Schutzring-Matrizenkonstruktion für Transientenschutz• Hohe Surge-Fähigkeit• Ultrakleines oberflächenmontierbares Gehäuse• Bleifreie Oberfläche; RoHS-konform • Halogen- und antimonfrei.''Grünes'' Gerät • Qualifiziert nach AEC-Q101 Standards für hohe ZuverlässigkeitMechanische Daten• Gehäuse: POWERDI323• Fallmaterial: Gegossener Kunststoff, ''grüne'' Formmasse. UL-Entflammbarkeitsklassifizierung 94V-0• Polarität: Kathoden-Band• Anschlüsse: Oberfläche - Matt-Zinn geglüht über Kupfer-Leadframe. Lötbar nach MIL-STD-202, Methode 208• Gewicht: 0,006 Gramm (ungefähr)
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    IKW15N120H3 - IGBT-Transistor, N-CH, 1200V, 30A, 217W, TO-247
    IKW15N120H31200V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-Technologie mit weicher und schnell wiederherstellender Anti-Parallel-DiodeMerkmale und Vorteile:• Hochgeschwindigkeits-Technologieangebot TRENCHSTOP™• sehr niedriger VCEsat• niedrige EMI• Sehr weiche, schnell wiederherstellende Anti-Parallel-Diode• maximale Sperrschichttemperatur 175°C• nach JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert• Pb-freie Verbleiung, halogenfreie Formmasse, RoHS-konform• Vollständiges Produktspektrum und PSpice-Modelle: http://www.infineon.com/igbt/Anwendungen:• unterbrechungsfreie Stromversorgungen• Schweißkonverter• Umrichter mit hoher Schaltfrequenz
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    • Price: 5.65 EUR excl. shipping
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    IKW40N120H3 - IGBT-Transistor, N-Kanal, 1200 V, 80 A, 483 W, TO-247
    IKW40N120H31200V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-Technologie mit weicher und schnell wiederherstellender Anti-Parallel-DiodeMerkmale und Vorteile:• Hochgeschwindigkeits-Technologieangebot TRENCHSTOP™• sehr niedriger VCEsat• niedrige EMI• Sehr weiche, schnell wiederherstellende Anti-Parallel-Diode• maximale Sperrschichttemperatur 175°C• nach JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert• Pb-freie Verbleiung, halogenfreie Formmasse, RoHS-konform• Vollständiges Produktspektrum und PSpice-Modelle: http://www.infineon.com/igbt/Anwendungen:• unterbrechungsfreie Stromversorgungen• Schweißkonverter• Umrichter mit hoher Schaltfrequenz
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    • Price: 12.15 EUR excl. shipping
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    IGW50N65F5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 80A, 305W, TO-247-3
    IGW50N65F5650V Hochgeschwindigkeits-FAST IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 TechnologieMerkmale und Vorteile:- Hochgeschwindigkeits-F5 TRENCHSTOP™ Technologieangebot• Klassenbester Wirkungsgrad bei hartem Schalten und Resonanztopologien• 650V Durchbruchspannung• Niedrige Gate-Ladung QG• Ideal geeignet mit SIC-Schottky-Diode in Aufwärtswandlern• maximale Sperrschichttemperatur 175°C• nach JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert• Pb-freie Verbleiung, halogenfreie Formmasse, RoHS-konform• Vollständiges Produktspektrum und PSpice-Modelle: http://www.infineon.com/igbt/Anwendungen:• Solar-Umrichter• unterbrechungsfreie Stromversorgungen• Schweißkonverter• Schaltfrequenzwandler für den mittleren bis hohen Bereich
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