25 Results for : 128k

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    CY62128ELL-45ZXI - SRAM, 1 Mb (128 K x 8 ), 5 V, 45ns, TSOP-32
    1-Mbit (128K × 8-Bit) Statischer RAM BeschreibungDer CY62128E ist ein hochleistungsfähiger statischer CMOS-RAM, der als 128K-Wörter mit 8 Bit organisiert ist. Dieses Bauelement zeichnet sich durch ein fortschrittliches Schaltungsdesign aus, das einen extrem niedrigen aktiven Strom liefert. Dies ist ideal für die Bereitstellung von More Battery Life™ (MoBL) in tragbaren Anwendungen. Das Gerät verfügt auch über eine automatische Abschaltfunktion, die den Stromverbrauch erheblich reduziert, wenn die Adressen nicht umschalten. Wenn das Gerät in den Standby-Modus versetzt wird, reduziert sich der Stromverbrauch um mehr als 99 Prozent, wenn es abgewählt wird (CE1 HIGH oder CE2 LOW). Die acht Eingangs- und Ausgangspins (I/O0 bis I/O7) werden in einen hochohmigen Zustand versetzt, wenn der Baustein abgewählt wird (CE1 HIGH oder CE2 LOW), die Ausgänge deaktiviert werden (OE HIGH) oder ein Schreibvorgang läuft (CE1 LOW und CE2 HIGH und WE LOW) Um auf den Baustein zu schreiben, nehmen Sie die Eingänge Chip Enable (CE1 LOW und CE2 HIGH) und Write Enable (WE) LOW. Die Daten auf den acht I/O-Pins (I/O0 bis I/O7) werden dann an die auf den Adresspins (A0 bis A16) angegebene Stelle geschrieben. Um aus dem Gerät zu lesen, nehmen Sie Chip Enable (CE1 LOW und CE2 HIGH) und Output Enable (OE) LOW, während Sie Write Enable (WE) HIGH erzwingen. Unter diesen Bedingungen erscheint der Inhalt der durch die Adresspins spezifizierten Speicherstelle auf den E/A-Pins. Der Baustein CY62128E eignet sich für den Anschluss von Prozessoren mit TTL-I/P-Pegeln. Er ist nicht für Prozessoren geeignet, die CMOS I/P-Level benötigen. Weitere Einzelheiten und Alternativvorschläge finden Sie unter Elektrische Kenndaten auf Seite 5.Merkmale• Ultra-niedriger Standby-Strom• Sehr hohe Geschwindigkeit: 45 ns• Temperaturbereiche: Industrie: -40 °C bis +85 °C• Spannungsbereich: 4,5 V bis 5,5 V• Pin kompatibel mit CY62128B• Extrem niedrige Standby-Leistung - Typischer Standby-Strom: 1 A - Maximaler Standby-Strom: 4 A (Industrie)• Ultra-niedrige Wirkleistung - Typischer Wirkstrom: 1,3 mA bei f = 1 MHz• Einfache Speichererweiterung mit CE1, CE2 und OE-Funktionen• Automatisches Ausschalten bei Abwahl• Komplementärer Metalloxid-Halbleiter (CMOS) für optimale Geschwindigkeit und Leistung• Angeboten in standardmäßigen Pb-freien 32-poligen STSOP-, 32-poligen SOIC- und 32-poligen Thin Small Outline Packages (TSOP) Typ I-Gehäusen
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    24LC128-I/P - EEPROM, 128 Kb (16 K x 8), I²C , 400 KHz, 2,5 ... 5,5 V, DIP-8
    128Kb I2C-kompatibles serielles 2-Draht-EEPROMBeschreibung:Der Microchip Technology Inc. 24XX128(1) ist ein 16K x 8 (128 Kbit) Serial Electrically Erasable PROM (EEPROM), das über einen breiten Spannungsbereich (1,7V bis 5,5V) betrieben werden kann. Es wurde für fortschrittliche, stromsparende Anwendungen wie persönliche Kommunikation oder Datenerfassung entwickelt. Dieser Baustein hat auch eine Seitenschreibfähigkeit von bis zu 64 Byte Daten. Dieser Baustein kann sowohl zufällige als auch sequentielle Lesevorgänge bis zur 128K-Grenze durchführen. Funktionelle Adressleitungen ermöglichen bis zu acht Geräte am gleichen Bus für bis zu 1 Mbit Adressraum.Merkmale:• Einzelversorgung mit Betrieb bis hinunter zu 2,5V für 24LC128-Geräte• Leistungsarme CMOS-Technologie:- Schreibstrom 3 mA, maximal- Bereitschaftsstrom 1 µA, maximal (I-Temp.)• Serielle Zweidraht-Schnittstelle, I2C-kompatibel• Bis zu acht Geräte kaskadierbar• Schmitt-Trigger-Eingänge zur Rauschunterdrückung• Ausgabesteigungssteuerung zur Eliminierung von Erdschlussrückprall• 100-kHz-, 400-kHz- und 1-MHz-Kompatibilität• Seitenschreibzeit: 5 ms, Maximum• Selbstgesteuerter Lösch-/Schreibzyklus• 64-Byte-Seiten-Schreibpuffer• Hardware-Schreibschutz• ESD-Schutz > 4.000V• Mehr als 1 Million Lösch-/Schreibzyklen• Datenaufbewahrung > 200 Jahre• Fabrikprogrammierung verfügbar• RoHS-konform• Temperaturbereiche: - Industriell (I): -40°C bis +85°C
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    • Price: 0.95 EUR excl. shipping
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    IS62C1024AL-35TL - SRAM, 1 Mb (128 K x 8), 5 V, 35ns, TSOP-32
    128K x 8 Low Power CMOS Static RAM, SRAM, 5V 128kx8 35ns TSOP32(l)BeschreibungDas ISSI IS62C1024AL/IS65C1024AL ist ein statisches 8-Bit-CMOS-RAM mit 131.072 Wörtern und geringem Stromverbrauch. Es wird mit Hochleistungs-CMOS-Technologie hergestellt. Dieses äußerst zuverlässige Verfahren in Verbindung mit innovativen Schaltungsentwurfstechniken führt zu höherer Leistung und Geräten mit niedrigem Stromverbrauch. Wenn CE1 auf HIGH oder CE2 auf LOW (abgewählt) steht, geht das Gerät in einen Standby-Modus, in dem die Verlustleistung durch Verwendung von CMOS-Eingangspegeln reduziert werden kann. Eine einfache Speichererweiterung ist durch die Verwendung von zwei Chip-Enable-Eingängen, CE1 und CE2, möglich. Die aktive LOW Write Enable (WE) steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen des Speichers.Merkmale• Hochgeschwindigkeits-Zugriffszeit: 35, 45 ns• Niedrige Wirkleistung: 100 mW (typisch)• Geringe Standby-Leistung: 20 µW (typisch) CMOS-Standby• Ausgangsfreigabe (OE) und zwei Chip-Enable-Eingänge (CE1 und CE2) für einfache Anwendungen• Vollständig statischer Betrieb: keine Uhr oder Auffrischung erforderlich• TTL-kompatible Ein- und Ausgänge• Einzelne 5V (±10%) Stromversorgung• Kommerzielle, industrielle und Automobil-Temperaturbereiche• Standard-Pin-Konfiguration: - 32-poliger SOP/ 32-poliger TSOP (Typ 1)• Bleifrei verfügbar
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    • Price: 3.55 EUR excl. shipping
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    24LC128-I/SN - EEPROM, 128 Kb (16 K x 8), I²C , 400 KHz, 2,5 ... 5,5 V, SO-8
    128Kb I2C-kompatibles serielles 2-Draht-EEPROMBeschreibung:Der Microchip Technology Inc. 24XX128(1) ist ein 16K x 8 (128 Kbit) Serial Electrically Erasable PROM (EEPROM), das über einen breiten Spannungsbereich (1,7V bis 5,5V) betrieben werden kann. Es wurde für fortschrittliche, stromsparende Anwendungen wie persönliche Kommunikation oder Datenerfassung entwickelt. Dieser Baustein hat auch eine Seitenschreibfähigkeit von bis zu 64 Byte Daten. Dieser Baustein kann sowohl zufällige als auch sequentielle Lesevorgänge bis zur 128K-Grenze durchführen. Funktionelle Adressleitungen ermöglichen bis zu acht Geräte am gleichen Bus für bis zu 1 Mbit Adressraum.Merkmale:• Einzelversorgung mit Betrieb bis hinunter zu 2,5V für 24LC128-Geräte• Leistungsarme CMOS-Technologie:- Schreibstrom 3 mA, maximal- Bereitschaftsstrom 1 µA, maximal (I-Temp.)• Serielle Zweidraht-Schnittstelle, I2C-kompatibel• Bis zu acht Geräte kaskadierbar• Schmitt-Trigger-Eingänge zur Rauschunterdrückung• Ausgabesteigungssteuerung zur Eliminierung von Erdschlussrückprall• 100-kHz-, 400-kHz- und 1-MHz-Kompatibilität• Seitenschreibzeit: 5 ms, Maximum• Selbstgesteuerter Lösch-/Schreibzyklus• 64-Byte-Seiten-Schreibpuffer• Hardware-Schreibschutz• ESD-Schutz > 4.000V• Mehr als 1 Million Lösch-/Schreibzyklen• Datenaufbewahrung > 200 Jahre• Fabrikprogrammierung verfügbar• RoHS-konform• Temperaturbereiche: - Industriell (I): -40°C bis +85°C
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    • Price: 0.70 EUR excl. shipping
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    PIC 18F67K22-IPT - 8-Bit-PICmicro Mikrocontroller, 128 KB, 64 MHz, TQFP-64
    64/80-Pin, hochleistungsfähige, 1-Mbit-erweiterte Flash-MCUs mit 12-Bit-A/D- und XLP-TechnologieSpezielle Mikrocontroller-Eigenschaften:• Betriebsspannungsbereich: 1,8V bis 5,5V• On-Chip 3,3V-Regler• Betriebsgeschwindigkeit bis zu 64 MHz• Bis zu 128 KByte On-Chip-Flash-Programm Erinnerung• Daten-EEPROM mit 1.024 Bytes• 4K x 8 Allzweckregister (SRAM)• Flash-Programm mit 10.000 Lösch-/Schreibzyklen Speicher, Minimum• 1.000.000 Lösch-/Schreibzyklus Daten EEPROM Gedächtnis, typisch• Flash-Aufbewahrung: 40 Jahre, Minimum• Drei interne Oszillatoren: LF-INTRC (31 kHz), MF-INTOSC (500 kHz) und HF-INTOSC(16 MHz)• Selbstprogrammierbar unter Software-Steuerung• Prioritätsstufen für Unterbrechungen• 8 x 8 Einzelzyklus-Hardware-Multiplikator• Erweiterter Watchdog-Timer (WDT):- Programmierbarer Zeitraum von 4 ms bis 4.194s (etwa 70 Minuten)• In-Circuit Serial Programming™ (ICSP™) über Zwei Stifte• In-Circuit-Debug über zwei Pins• Programmierbar:- BOR- LVDLow-Power-Merkmale:• Energieverwaltete Modi:- Ausführen: CPU eingeschaltet, Peripheriegeräte eingeschaltet- Müßiggang: CPU aus, Peripheriegeräte ein- Schlafen: CPU aus, Peripheriegeräte aus• Start des Zwei-Geschwindigkeits-Oszillators• Ausfallsicherer Uhrenmonitor• Energiesparende Abschaltung des Peripheriemoduls (PMD)• Ultra-Low-Power-Aufwachen• Schnelles Aufwachen, 1 µs Typisch• WDT mit niedriger Leistung, 300 nA Typisch• Extrem niedrige 50 nA Eingangsleckage• Ströme im Betriebsmodus bis zu 5,5 µA, typisch• Ströme im Leerlauf bis hinunter zu 1,7 µA, typisch• Strom im Sleep-Modus bis hinunter zu sehr niedrigen 20 nA, typisch• RTCC-Strom bis hinunter zu sehr niedrigen 700 nA, typischHöhepunkte der Peripherie • Bis zu zehn CCP/ECCP-Module:- Bis zu sieben Erfassung/Vergleich/PWM (CCP) Module- Drei verbesserte Erfassung/Vergleich/PWM (ECCP)-Module• Bis zu elf 8/16-Bit-Zeitgeber/Zähler-Module:- Timer0 - 8/16-Bit-Timer/Zähler mit 8-Bit programmierbarer Vorteiler- Zeitgeber1,3 - 16-Bit-Zeitgeber/-Zähler- Zeitgeber2,4,6,8 - 8-Bit-Zeitgeber/-Zähler- Timer5,7 - 16-Bit-Timer/Zähler für 64k und 128k Teile- Timer10,12 - 8-Bit-Timer/Zähler für 64k und 128k Teile• Drei analoge Komparatoren• Konfigurierbarer Referenztakt-Ausgang• Hardware-Echtzeit-Uhr und -Kalender (RTCC) Modul mit Uhr-, Kalender- und Alarmfunktionen• Einheit zur Messung der Gebührenzeit (CTMU):- Kapazitätsmessung für mTouch®: Kapazitätsmessung Sensor-Lösung- Zeitmessung mit 1 ns typisch Entschließung- Integrierter Temperatursensor• Hochstrom-Senke/Quelle 25 mA/25 mA (PORTB und PORTC)• Bis zu vier externe Unterbrechungen• Synchroner serieller Zwei-Master-Anschluss (MSSP) Module:- 3/4-Draht-SPI (unterstützt alle vier SPI-Modi)- I2C-Master- und Slave-Betriebsarten• Zwei Enhanced Addressable USART-Module:- LIN/J2602-Unterstützung- Auto-Baud-Erkennung (ABD)• 12-Bit-A/D-Wandler mit bis zu 24 Kanälen:- Auto-Akquisition und Sleep-Betrieb- Betriebsart mit differentiellem Eingang• Integrierte Spannungsreferenz
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    • Price: 6.25 EUR excl. shipping
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    39SF01070-4C-W - Multi-NOR-Flash-Speicher, 1 Mb (128 K x 8), 5 V, TSOP-32
    Beschreibung:Bei dem SST39SF010A / 020A / 040 handelt es sich um CMOS-Mehrzweckblitz (MPF), der mit der proprietären Hochleistungs-CMOS-SuperFlash-Technologie von SST hergestellt wird. Das Split-Gate-Zellendesign und der Dickoxid-Tunnelinjektor erzielen im Vergleich zu alternativen Ansätzen eine bessere Zuverlässigkeit und Herstellbarkeit. Die SST39SF010A / 020A / 040-Geräte schreiben (programmieren oder löschen) mit einer 4,5-5,5-V-Stromversorgung.Die SST39SF010A / 020A / 040-Geräte entsprechen den JEDEC-Standard-Pinbelegungen für x8-Speicher.Die SST39SF010A / 020A / 040-Geräte bieten ein leistungsstarkes Byte-Programm und eine maximale Byte-Programm-Zeit von 20 µs.Diese Geräte verwenden Toggle Bit oder Data # Polling, um den Abschluss des Programmiervorgangs anzuzeigen.Zum Schutz vor versehentlichem Schreiben verfügen sie über integrierte Hardware- und Softwaredatenschutzschemata.Diese Geräte wurden für ein breites Anwendungsspektrum entwickelt, hergestellt und getestet und bieten eine garantierte typische Lebensdauer von 100.000 Zyklen.Die Vorratsdatenspeicherung wird auf mehr als 100 Jahre veranschlagt.Eigenschaften• Organisiert als 128K x8 / 256K x8 / 512K x8• Einzelne 4.5-5.5V Lese- und Schreibvorgänge• Überlegene Zuverlässigkeit- Lebensdauer: 100.000 Zyklen (typisch)- Mehr als 100 Jahre Vorratsdatenspeicherung• Geringer Stromverbrauch (typische Werte bei 14 MHz)- Wirkstrom: 10 mA (typisch)- Standby-Strom: 30 µA (typisch)• Sektorlöschfunktionalität- Einheitliche 4 KByte Sektoren• Schnelle Lesezugriffszeit:- 70 ns• Gespeicherte Adresse und Daten• Automatisches Schreib-Timing- Interne VPP-Generierung• Schnelles Löschen und Byte-Programm- Sektor-Löschzeit: 18 ms (typisch)- Chip-Erase-Zeit: 70 ms (typisch)- Byte-Programmierzeit: 14 µs (typisch)- Chip-Rewrite-Zeit:2 Sekunden (typisch) für SST39SF010A4 Sekunden (typisch) für SST39SF020A8 Sekunden (typisch) für SST39SF040• Erkennung des Schreib-Ende- Toggle Bit- Datenabfrage• TTL I/O-Kompatibilität• JEDEC-Standard- Flash EEPROM Pinbelegung und Befehlssätze• Verfügbare Gehäuse- PLCC mit 32 Anschlüssen- TSOP mit 32 Anschlüssen (8 mm x 14 mm)- 32-poliges PDIP• Alle Bauteile sind RoHS-konformBei Bedarf liefern wir auch komplette Verpackungseinheiten, Tray- oder auch Gurtware, unsere Angebotsabteilung berät Sie gerne!
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    • Price: 1.75 EUR excl. shipping
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    39SF04070-4C-P - Multi-NOR-Flash-Speicher, 4 Mb (512 K x 8), 5 V, DIP-32
    Beschreibung:Bei dem SST39SF010A / 020A / 040 handelt es sich um CMOS-Mehrzweckblitz (MPF), der mit der proprietären Hochleistungs-CMOS-SuperFlash-Technologie von SST hergestellt wird. Das Split-Gate-Zellendesign und der Dickoxid-Tunnelinjektor erzielen im Vergleich zu alternativen Ansätzen eine bessere Zuverlässigkeit und Herstellbarkeit. Die SST39SF010A / 020A / 040-Geräte schreiben (programmieren oder löschen) mit einer 4,5-5,5-V-Stromversorgung.Die SST39SF010A / 020A / 040-Geräte entsprechen den JEDEC-Standard-Pinbelegungen für x8-Speicher.Die SST39SF010A / 020A / 040-Geräte bieten ein leistungsstarkes Byte-Programm und eine maximale Byte-Programm-Zeit von 20 µs.Diese Geräte verwenden Toggle Bit oder Data # Polling, um den Abschluss des Programmiervorgangs anzuzeigen.Zum Schutz vor versehentlichem Schreiben verfügen sie über integrierte Hardware- und Softwaredatenschutzschemata.Diese Geräte wurden für ein breites Anwendungsspektrum entwickelt, hergestellt und getestet und bieten eine garantierte typische Lebensdauer von 100.000 Zyklen.Die Vorratsdatenspeicherung wird auf mehr als 100 Jahre veranschlagt.Eigenschaften• Organisiert als 128K x8 / 256K x8 / 512K x8• Einzelne 4.5-5.5V Lese- und Schreibvorgänge• Überlegene Zuverlässigkeit- Lebensdauer: 100.000 Zyklen (typisch)- Mehr als 100 Jahre Vorratsdatenspeicherung• Geringer Stromverbrauch (typische Werte bei 14 MHz)- Wirkstrom: 10 mA (typisch)- Standby-Strom: 30 µA (typisch)• Sektorlöschfunktionalität- Einheitliche 4 KByte Sektoren• Schnelle Lesezugriffszeit:- 70 ns• Gespeicherte Adresse und Daten• Automatisches Schreib-Timing- Interne VPP-Generierung• Schnelles Löschen und Byte-Programm- Sektor-Löschzeit: 18 ms (typisch)- Chip-Erase-Zeit: 70 ms (typisch)- Byte-Programmierzeit: 14 µs (typisch)- Chip-Rewrite-Zeit:2 Sekunden (typisch) für SST39SF010A4 Sekunden (typisch) für SST39SF020A8 Sekunden (typisch) für SST39SF040• Erkennung des Schreib-Ende- Toggle Bit- Datenabfrage• TTL I/O-Kompatibilität• JEDEC-Standard- Flash EEPROM Pinbelegung und Befehlssätze• Verfügbare Gehäuse- PLCC mit 32 Anschlüssen- TSOP mit 32 Anschlüssen (8 mm x 14 mm)- 32-poliges PDIP• Alle Bauteile sind RoHS-konformBei Bedarf liefern wir auch komplette Verpackungseinheiten, unsere Angebotsabteilung berät Sie gerne!
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    • Price: 3.90 EUR excl. shipping
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    39SF01070-4C-N - Multi-NOR-Flash-Speicher, 1 Mb (128 K x 8), 5 V, PLCC-32
    Beschreibung:Bei dem SST39SF010A / 020A / 040 handelt es sich um CMOS-Mehrzweckblitz (MPF), der mit der proprietären Hochleistungs-CMOS-SuperFlash-Technologie von SST hergestellt wird. Das Split-Gate-Zellendesign und der Dickoxid-Tunnelinjektor erzielen im Vergleich zu alternativen Ansätzen eine bessere Zuverlässigkeit und Herstellbarkeit. Die SST39SF010A / 020A / 040-Geräte schreiben (programmieren oder löschen) mit einer 4,5-5,5-V-Stromversorgung.Die SST39SF010A / 020A / 040-Geräte entsprechen den JEDEC-Standard-Pinbelegungen für x8-Speicher.Die SST39SF010A / 020A / 040-Geräte bieten ein leistungsstarkes Byte-Programm und eine maximale Byte-Programm-Zeit von 20 µs.Diese Geräte verwenden Toggle Bit oder Data # Polling, um den Abschluss des Programmiervorgangs anzuzeigen.Zum Schutz vor versehentlichem Schreiben verfügen sie über integrierte Hardware- und Softwaredatenschutzschemata.Diese Geräte wurden für ein breites Anwendungsspektrum entwickelt, hergestellt und getestet und bieten eine garantierte typische Lebensdauer von 100.000 Zyklen.Die Vorratsdatenspeicherung wird auf mehr als 100 Jahre veranschlagt.Eigenschaften• Organisiert als 128K x8 / 256K x8 / 512K x8• Einzelne 4.5-5.5V Lese- und Schreibvorgänge• Überlegene Zuverlässigkeit- Lebensdauer: 100.000 Zyklen (typisch)- Mehr als 100 Jahre Vorratsdatenspeicherung• Geringer Stromverbrauch (typische Werte bei 14 MHz)- Wirkstrom: 10 mA (typisch)- Standby-Strom: 30 µA (typisch)• Sektorlöschfunktionalität- Einheitliche 4 KByte Sektoren• Schnelle Lesezugriffszeit:- 70 ns• Gespeicherte Adresse und Daten• Automatisches Schreib-Timing- Interne VPP-Generierung• Schnelles Löschen und Byte-Programm- Sektor-Löschzeit: 18 ms (typisch)- Chip-Erase-Zeit: 70 ms (typisch)- Byte-Programmierzeit: 14 µs (typisch)- Chip-Rewrite-Zeit:2 Sekunden (typisch) für SST39SF010A4 Sekunden (typisch) für SST39SF020A8 Sekunden (typisch) für SST39SF040• Erkennung des Schreib-Ende- Toggle Bit- Datenabfrage• TTL I/O-Kompatibilität• JEDEC-Standard- Flash EEPROM Pinbelegung und Befehlssätze• Verfügbare Gehäuse- PLCC mit 32 Anschlüssen- TSOP mit 32 Anschlüssen (8 mm x 14 mm)- 32-poliges PDIP• Alle Bauteile sind RoHS-konformBei Bedarf liefern wir auch komplette Verpackungseinheiten, Stangen- oder auch Gurtware, unsere Angebotsabteilung berät Sie gerne!
    • Shop: reichelt elektronik
    • Price: 2.75 EUR excl. shipping
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    39SF02070-4C-W - Multi-NOR-Flash-Speicher, 2 Mb (256 K x 8), 5 V, TSOP-32
    Beschreibung:Bei dem SST39SF010A / 020A / 040 handelt es sich um CMOS-Mehrzweckblitz (MPF), der mit der proprietären Hochleistungs-CMOS-SuperFlash-Technologie von SST hergestellt wird. Das Split-Gate-Zellendesign und der Dickoxid-Tunnelinjektor erzielen im Vergleich zu alternativen Ansätzen eine bessere Zuverlässigkeit und Herstellbarkeit. Die SST39SF010A / 020A / 040-Geräte schreiben (programmieren oder löschen) mit einer 4,5-5,5-V-Stromversorgung.Die SST39SF010A / 020A / 040-Geräte entsprechen den JEDEC-Standard-Pinbelegungen für x8-Speicher.Die SST39SF010A / 020A / 040-Geräte bieten ein leistungsstarkes Byte-Programm und eine maximale Byte-Programm-Zeit von 20 µs.Diese Geräte verwenden Toggle Bit oder Data # Polling, um den Abschluss des Programmiervorgangs anzuzeigen.Zum Schutz vor versehentlichem Schreiben verfügen sie über integrierte Hardware- und Softwaredatenschutzschemata.Diese Geräte wurden für ein breites Anwendungsspektrum entwickelt, hergestellt und getestet und bieten eine garantierte typische Lebensdauer von 100.000 Zyklen.Die Vorratsdatenspeicherung wird auf mehr als 100 Jahre veranschlagt.Eigenschaften• Organisiert als 128K x8 / 256K x8 / 512K x8• Einzelne 4.5-5.5V Lese- und Schreibvorgänge• Überlegene Zuverlässigkeit- Lebensdauer: 100.000 Zyklen (typisch)- Mehr als 100 Jahre Vorratsdatenspeicherung• Geringer Stromverbrauch (typische Werte bei 14 MHz)- Wirkstrom: 10 mA (typisch)- Standby-Strom: 30 µA (typisch)• Sektorlöschfunktionalität- Einheitliche 4 KByte Sektoren• Schnelle Lesezugriffszeit:- 70 ns• Gespeicherte Adresse und Daten• Automatisches Schreib-Timing- Interne VPP-Generierung• Schnelles Löschen und Byte-Programm- Sektor-Löschzeit: 18 ms (typisch)- Chip-Erase-Zeit: 70 ms (typisch)- Byte-Programmierzeit: 14 µs (typisch)- Chip-Rewrite-Zeit:2 Sekunden (typisch) für SST39SF010A4 Sekunden (typisch) für SST39SF020A8 Sekunden (typisch) für SST39SF040• Erkennung des Schreib-Ende- Toggle Bit- Datenabfrage• TTL I/O-Kompatibilität• JEDEC-Standard- Flash EEPROM Pinbelegung und Befehlssätze• Verfügbare Gehäuse- PLCC mit 32 Anschlüssen- TSOP mit 32 Anschlüssen (8 mm x 14 mm)- 32-poliges PDIP• Alle Bauteile sind RoHS-konformBei Bedarf liefern wir auch komplette Verpackungseinheiten, Tray- oder auch Gurtware, unsere Angebotsabteilung berät Sie gerne!
    • Shop: reichelt elektronik
    • Price: 1.90 EUR excl. shipping
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    39SF04070-4C-N - Multi-NOR-Flash-Speicher, 4 Mb (512 K x 8), 5 V, PLCC-32
    Beschreibung:Bei dem SST39SF010A / 020A / 040 handelt es sich um CMOS-Mehrzweckblitz (MPF), der mit der proprietären Hochleistungs-CMOS-SuperFlash-Technologie von SST hergestellt wird. Das Split-Gate-Zellendesign und der Dickoxid-Tunnelinjektor erzielen im Vergleich zu alternativen Ansätzen eine bessere Zuverlässigkeit und Herstellbarkeit. Die SST39SF010A / 020A / 040-Geräte schreiben (programmieren oder löschen) mit einer 4,5-5,5-V-Stromversorgung.Die SST39SF010A / 020A / 040-Geräte entsprechen den JEDEC-Standard-Pinbelegungen für x8-Speicher.Die SST39SF010A / 020A / 040-Geräte bieten ein leistungsstarkes Byte-Programm und eine maximale Byte-Programm-Zeit von 20 µs.Diese Geräte verwenden Toggle Bit oder Data # Polling, um den Abschluss des Programmiervorgangs anzuzeigen.Zum Schutz vor versehentlichem Schreiben verfügen sie über integrierte Hardware- und Softwaredatenschutzschemata.Diese Geräte wurden für ein breites Anwendungsspektrum entwickelt, hergestellt und getestet und bieten eine garantierte typische Lebensdauer von 100.000 Zyklen.Die Vorratsdatenspeicherung wird auf mehr als 100 Jahre veranschlagt.Eigenschaften• Organisiert als 128K x8 / 256K x8 / 512K x8• Einzelne 4.5-5.5V Lese- und Schreibvorgänge• Überlegene Zuverlässigkeit- Lebensdauer: 100.000 Zyklen (typisch)- Mehr als 100 Jahre Vorratsdatenspeicherung• Geringer Stromverbrauch (typische Werte bei 14 MHz)- Wirkstrom: 10 mA (typisch)- Standby-Strom: 30 µA (typisch)• Sektorlöschfunktionalität- Einheitliche 4 KByte Sektoren• Schnelle Lesezugriffszeit:- 70 ns• Gespeicherte Adresse und Daten• Automatisches Schreib-Timing- Interne VPP-Generierung• Schnelles Löschen und Byte-Programm- Sektor-Löschzeit: 18 ms (typisch)- Chip-Erase-Zeit: 70 ms (typisch)- Byte-Programmierzeit: 14 µs (typisch)- Chip-Rewrite-Zeit:2 Sekunden (typisch) für SST39SF010A4 Sekunden (typisch) für SST39SF020A8 Sekunden (typisch) für SST39SF040• Erkennung des Schreib-Ende- Toggle Bit- Datenabfrage• TTL I/O-Kompatibilität• JEDEC-Standard- Flash EEPROM Pinbelegung und Befehlssätze• Verfügbare Gehäuse- PLCC mit 32 Anschlüssen- TSOP mit 32 Anschlüssen (8 mm x 14 mm)- 32-poliges PDIP• Alle Bauteile sind RoHS-konformBei Bedarf liefern wir auch komplette Verpackungseinheiten, Stangen- oder auch Gurtware, unsere Angebotsabteilung berät Sie gerne!
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