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IRFP 9140 - MOSFET, P-Kanal, -100 V, -21 A, RDS(on) 0,2 Ohm, TO-247AC

IRFP 9140, Leistungs-MOSFETBeschreibungDie Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Design, niedrigem On-Widerstand und Kosteneffizienz. Das TO-247AC-Gehäuse wird bevorzugt für kommerziell-industrielle Anwendungen verwendet, bei denen höhere Leistungspegel den Einsatz von TO-220AB-Bauteilen ausschließen. Das TO-247AC-Gehäuse ähnelt dem früheren TO-218-Gehäuse, ist ihm aber aufgrund seiner isolierten Aussparung überlegen. Außerdem bietet es eine größere Kriechstrecke zwischen den Pins, um die Anforderungen der meisten Sicherheitsspezifikationen zu erfüllen.Merkmale• Dynamische dV/dt-Bewertung• Nennwert für wiederholte Lawinen• P-Kanal• Isolierte zentrale Montagebohrung• 175 °C Betriebstemperatur• Schnelles Schalten• Einfaches Parallelisieren• Entspricht der RoHS-Richtlinie 2002/95/EC

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IRFP 150 - MOSFET N-Kanal, 100 V, 41 A, RDS(on) 0,055 Ohm, TO-247AC

IRFP150 , Leistungs-MOSFETBeschreibung:Die Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Design, niedrigem On-Widerstand und Kosteneffizienz. Das TO-247AC-Gehäuse wird bevorzugt für kommerziell-industrielle Anwendungen verwendet, bei denen höhere Leistungen den Einsatz von TO-220AB-Bauelementen nicht zulassen. Das TO-247AC-Gehäuse ist dem früheren TO-218-Gehäuse ähnlich, aber überlegen, da es eine isolierte Montageöffnung hat. Es bietet außerdem größere Kriechstrecken zwischen den Pins, um die Anforderungen Anforderungen der meisten Sicherheitsspezifikationen zu erfüllen.Merkmale:• Dynamische dV/dt-Bewertung• Bewertung für wiederholte Avalanche• Isolierte zentrale Montagebohrung• 175 °C Betriebstemperatur• Schnelles Schalten• Leichte Parallelisierung• Einfache Antriebsanforderungen• Entspricht der RoHS-Richtlinie 2002/95/EG

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IRFP 250N - MOSFET, N-Kanal, 200 V, 30 A, RDS(on) 0.075 R, TO-247AC

IRFP250NPbFHEXFET® Leistungs-MOSFETBeschreibungen:HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen On-Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein extrem effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das TO-247-Gehäuse wird bevorzugt für kommerziell-industrielle Anwendungen verwendet, bei denen höhere Leistungen den Einsatz von TO-220-Bauteilen ausschließen. Das TO-247-Gehäuse ist dem früheren TO-218-Gehäuse ähnlich, aber aufgrund seiner isolierten Montagebohrung überlegen.Merkmale:• Fortschrittliche Prozesstechnologie• Dynamischer dv/dt-Wert• 175°C Betriebstemperatur• Schnelles Schalten• Vollständige Avalanche-Bewertung• Einfaches Parallelisieren• Einfache Antriebsanforderungen• TO-247AC• Bleifrei

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