168 Results for : 650v
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IGP20N65H5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 42A, 125W, TO-220
IGP20N65H5650V IGBT-Hochgeschwindigkeitsschalter der fünften Generation in TRENCHSTOP™ 5-TechnologieMerkmale und Vorteile:Angebot an Hochgeschwindigkeits-H5-Technologie• Klassenbester Wirkungsgrad bei hartem Schalten und Resonanztopologien• Plug-and-Play-Ersatz für IGBTs der vorherigen Generation• 650V Durchbruchspannung• Niedrige Gate-Ladung QG• Maximale Sperrschichttemperatur 175°C• Qualifiziert nach JEDEC für Zielanwendungen• Pb-freie Verbleiung; RoHS-konform• Vollständiges Produktspektrum und PSpice-Modelle: http://www.infineon.com/igbt/Applikationen:• Solar-Umrichter• Unterbrechungsfreie Stromversorgungen• Konverter für das Schweißen• Schaltfrequenzwandler für den mittleren bis hohen Bereich- Shop: reichelt elektronik
- Price: 1.65 EUR excl. shipping
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IGP30N65H5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 55A, 188W, TO-220
IGP30N65H5650V IGBT-Hochgeschwindigkeitsschalter der fünften Generation in TRENCHSTOP™ 5-TechnologieMerkmale und Vorteile:Angebot an Hochgeschwindigkeits-H5-Technologie• Klassenbester Wirkungsgrad bei hartem Schalten und Resonanztopologien• Plug-and-Play-Ersatz für IGBTs der vorherigen Generation• 650V Durchbruchspannung• Niedrige Gate-Ladung QG• Maximale Sperrschichttemperatur 175°C• Qualifiziert nach JEDEC für Zielanwendungen• Pb-freie Verbleiung; RoHS-konform• Vollständiges Produktspektrum und PSpice-Modelle: http://www.infineon.com/igbt/Applikationen:• Solar-Umrichter• Unterbrechungsfreie Stromversorgungen• Konverter für das Schweißen• Schaltfrequenzwandler für den mittleren bis hohen Bereich (kostenlose Version)- Shop: reichelt elektronik
- Price: 2.12 EUR excl. shipping
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IGW50N65F5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 80A, 305W, TO-247-3
IGW50N65F5650V Hochgeschwindigkeits-FAST IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 TechnologieMerkmale und Vorteile:- Hochgeschwindigkeits-F5 TRENCHSTOP™ Technologieangebot• Klassenbester Wirkungsgrad bei hartem Schalten und Resonanztopologien• 650V Durchbruchspannung• Niedrige Gate-Ladung QG• Ideal geeignet mit SIC-Schottky-Diode in Aufwärtswandlern• maximale Sperrschichttemperatur 175°C• nach JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert• Pb-freie Verbleiung, halogenfreie Formmasse, RoHS-konform• Vollständiges Produktspektrum und PSpice-Modelle: http://www.infineon.com/igbt/Anwendungen:• Solar-Umrichter• unterbrechungsfreie Stromversorgungen• Schweißkonverter• Schaltfrequenzwandler für den mittleren bis hohen Bereich- Shop: reichelt elektronik
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IGW40N65F5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 74A, 255W, TO-247-3
IGW40N65F5650V Hochgeschwindigkeits-FAST IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 TechnologieMerkmale und Vorteile:- Hochgeschwindigkeits-F5 TRENCHSTOP™ Technologieangebot• Klassenbester Wirkungsgrad bei hartem Schalten und Resonanztopologien• 650V Durchbruchspannung• Niedrige Gate-Ladung QG• Ideal geeignet mit SIC-Schottky-Diode in Aufwärtswandlern• maximale Sperrschichttemperatur 175°C• nach JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert• Pb-freie Verbleiung, halogenfreie Formmasse, RoHS-konform• Vollständiges Produktspektrum und PSpice-Modelle: http://www.infineon.com/igbt/Anwendungen:• Solar-Umrichter• unterbrechungsfreie Stromversorgungen• Schweißkonverter• Schaltfrequenzwandler für den mittleren bis hohen Bereich- Shop: reichelt elektronik
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IGP30N65F5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 55A, 188W, TO-220
IGP30N65F5650V FAST IGBT-Hochgeschwindigkeitsschalter der fünften Generation in TRENCHSTOP™ 5-TechnologieMerkmale und Vorteile:Angebot an Hochgeschwindigkeits-F5-Technologie• Klassenbester Wirkungsgrad bei hartem Schalten und Resonanztopologien• Plug-and-Play-Ersatz für IGBTs der vorherigen Generation• 650V Durchbruchspannung• Niedrige Gate-Ladung QG- Ideal geeignet mit SIC-Schottky-Diode in Aufwärtswandlern• Maximale Sperrschichttemperatur 175°C• Qualifiziert nach JEDEC für Zielanwendungen• Pb-freie Verbleiung; RoHS-konform• Vollständiges Produktspektrum und PSpice-Modelle: http://www.infineon.com/igbt/Applikationen:• Solar-Umrichter• Unterbrechungsfreie Stromversorgungen• Konverter für das Schweißen• Schaltfrequenzwandler für den mittleren bis hohen Bereich- Shop: reichelt elektronik
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IGP40N65F5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 74A, 250W, TO-220
IGP40N65F5650V FAST IGBT-Hochgeschwindigkeitsschalter der fünften Generation in TRENCHSTOP™ 5-TechnologieMerkmale und Vorteile:Angebot an Hochgeschwindigkeits-F5-Technologie• Klassenbester Wirkungsgrad bei hartem Schalten und Resonanztopologien• Plug-and-Play-Ersatz für IGBTs der vorherigen Generation• 650V Durchbruchspannung• Niedrige Gate-Ladung QG• Ideal geeignet mit SIC-Schottky-Diode in Aufwärtswandlern• Maximale Sperrschichttemperatur 175°C• Qualifiziert nach JEDEC für Zielanwendungen• Pb-freie Verbleiung; RoHS-konform• Vollständiges Produktspektrum und PSpice-Modelle: http://www.infineon.com/igbt/Applikationen:• Solar-Umrichter• Unterbrechungsfreie Stromversorgungen• Konverter für das Schweißen• Schaltfrequenzwandler für den mittleren bis hohen Bereich- Shop: reichelt elektronik
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IPP65R125C7 - MOSFET N-Ch 650V 18A 101W 0,125R TO220
650V CoolMOS™ C7 Power MOSFETFeatures• Increased MOSFET dv/dt ruggedness• Better efficiency due to best in class FOM RDS(on)*Eoss and RDS(on)*Qg• Best in class RDS(on) /package• Easy to use/drive• Pb-free plating, halogen free mold compound• Qualified for industrial grade applications according to JEDEC (J-STD20 and JESD22)Benefits• Enabling higher system efficiency• Enabling higher frequency / increased power density solutions• System cost / size savings due to reduced cooling requirements• Higher system reliability due to lower operating temperaturesApplicationsPFC stages and hard switching PWM stages for e.g. Computing, Server,Telecom, UPS and Solar.- Shop: reichelt elektronik
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IPP65R190C7 - MOSFET N-Ch 650V 13A 72W 0,19R TO220
650V CoolMOS™ C7 Power MOSFETFeatures• Increased MOSFET dv/dt ruggedness• Better efficiency due to best in class FOM RDS(on)*Eoss and RDS(on)*Qg• Best in class RDS(on) /package• Easy to use/drive• Pb-free plating, halogen free mold compound• Qualified for industrial grade applications according to JEDEC (J-STD20 and JESD22)Benefits• Enabling higher system efficiency• Enabling higher frequency / increased power density solutions• System cost / size savings due to reduced cooling requirements• Higher system reliability due to lower operating temperaturesApplicationsPFC stages and hard switching PWM stages for e.g. Computing, Server,Telecom, UPS and Solar.- Shop: reichelt elektronik
- Price: 2.26 EUR excl. shipping
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IPP65R225C7 - MOSFET N-Ch 650V 11A 63W 0,225R TO220
650V CoolMOS™ C7 Power MOSFETFeatures• Increased MOSFET dv/dt ruggedness• Better efficiency due to best in class FOM RDS(on)*Eoss and RDS(on)*Qg• Best in class RDS(on) /package• Easy to use/drive• Pb-free plating, halogen free mold compound• Qualified for industrial grade applications according to JEDEC (J-STD20 and JESD22)Benefits• Enabling higher system efficiency• Enabling higher frequency / increased power density solutions• System cost / size savings due to reduced cooling requirements• Higher system reliability due to lower operating temperaturesApplicationsPFC stages and hard switching PWM stages for e.g. Computing, Server,Telecom, UPS and Solar.- Shop: reichelt elektronik
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IPW65R045C7 - MOSFET N-Ch 650V 46A 227W 0,045R TO247
650V CoolMOS™ C7 Power MOSFETFeatures• Increased MOSFET dv/dt ruggedness• Better efficiency due to best in class FOM RDS(on)*Eoss and RDS(on)*Qg• Best in class RDS(on) /package• Easy to use/drive• Pb-free plating, halogen free mold compound• Qualified for industrial grade applications according to JEDEC (J-STD20 and JESD22)Benefits• Enabling higher system efficiency• Enabling higher frequency / increased power density solutions• System cost / size savings due to reduced cooling requirements• Higher system reliability due to lower operating temperaturesApplicationsPFC stages and hard switching PWM stages for e.g. Computing, Server,Telecom, UPS and Solar.- Shop: reichelt elektronik
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