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TRU COMPONENTS TCP20E-AR150FTB Hochlast-Widerstand 0.15 ? SMD TO-263/D2PAK 35 W 1 % 1 St. (TCP20E-AR150FTB)

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TRU COMPONENTS TCP50E-A300KFTB Hochlast-Widerstand 300 k? SMD TO-263/D2PAK 50 W 1 % 1 St. (TCP50E-A300KFTB)

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International Rectifier MOSFET (HEXFET/FETKY) IRL3705NS N-Kanal Gehäuseart D2PAK I(D) 89 A U(DS) 55 V (IRL3705NS)

Beschreibung MOSFET (HEXFET/FETKY) Technische Daten: Ausführung: N-Kanal Beschreibung: 50 V/89 A Gehäuseart: D2PAK Hersteller: International Rectifier Hersteller-Kürzel (Bauelemente): IR I(D @ 25°C): 89 A I(D @ HighTemp): 63 A I(D): 89 A In PCB-Software verfügbar: Target 3001! R(DS)(on): 0.01 ? R(th) (max.): 0.9 °C/W Typ: IRL3705NS U(DS): 55 V

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UJ3C065030B3S - SiC-Kaskode-FET, 650V, 66A, Rdson 0,027R, D2PAK-3L

650V SiC-MOSFET-Kaskode 27mUJ3C065030B3S D2PAK-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs zusammen mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-SiC-Gate-Drive-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen, die einen Standard-Gate-Treiber erfordern.Eigenschaften:- Typischer Ein-Widerstand Rds(on) von 27mUJ3C065030B3S- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2Typische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladegeräte- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung

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UJ3C065080B3S - SiC-Kaskode-FET, 650V, 25A, Rdson 0,08R , D2PAK-3L

650V SiC-MOSFET-Kaskode 80mΩ D2PAK-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs zusammen mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-SiC-Gate-Drive-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen, die einen Standard-Gate-Treiber erfordern.Eigenschaften:- Typischer Ein-Widerstand Rds(on) von 80mR- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2Typische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladegeräte- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung

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UF3C065040B3 - SiC-Kaskode-FET, 650V, 54A, Rdson 0,042R , D2PAK-3L

650V SiC-MOSFET-Casecode 42mΩ D2PAK-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs gemeinsam mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-Gate-Drive-SiC-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten, wenn sie mit empfohlenen Snubbern verwendet werden, sowie für alle Anwendungen, die einen Standard-Gateantrieb erfordern.Merkmale:- Typischer On-Widerstand Rds(on) von 42mΩ- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2- Sehr geringe Schaltverluste (erforderliche RC-Snubber-Verluste unter typischen Betriebsbedingungen vernachlässigbar)Typische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladung- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung

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IRF9640SPBF - MOSFET P-Kanal, -200 V, -11 A, RDS(on) 0,5 Ohm, D²Pak

IRF9640S , Leistungs-MOSFETBeschreibung:Die Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Design, niedrigem On-Widerstand und Kosteneffizienz. Der D2PAK (TO-263) ist ein oberflächenmontierbares Leistungsgehäuse. Es bietet die höchsten Leistungsfähigkeiten und den niedrigsten On-Widerstand in allen bestehenden oberflächenmontierbaren Gehäusen. Das D2PAK (TO-263) eignet sich aufgrund seines geringen internen Verbindungswiderstands für Hochstromanwendungen und kann in einer typischen Oberflächenmontageanwendung bis zu 2,0 W ableiten.Merkmale:• Oberflächenmontage• Dynamische dV/dt-Bewertung• Repetitive Avalanche-Bewertung• P-Kanal• Schnelles Schalten• Einfache Parallelisierung• Material-Kategorisierung: Definitionen zur Konformität siehe www.vishay.com/doc?99912

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IRF 640NS - MOSFET, N-Kanal, 200 V, 18 A, RDS(on) 0,15 Ohm, D2-PAK

IRF640NSPbF , HEXFET® Leistungs-MOSFETBeschreibung:HEXFET®-Leistungs-MOSFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das D2Pak ist ein oberflächenmontierbares Leistungsgehäuse, das Chipgrößen bis zu HEX-4 aufnehmen kann. Es bietet die höchste Leistung und den geringstmöglichen On-Widerstand in allen bestehenden oberflächenmontierbaren Gehäusen. Das D2Pak eignet sich aufgrund seines geringen internen Verbindungswiderstands für Hochstromanwendungen und kann in einer typischen Oberflächenmontageanwendung bis zu 2,0 W ableiten.Merkmale:• Fortschrittliche Prozesstechnologie• Dynamischer dv/dt-Wert• 175°C Betriebstemperatur• Schnelles Schalten• Vollständig Avalanche-geeignet• Einfaches Parallelisieren• Einfache Antriebsanforderungen• Bleifrei

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IRF3710SPBF - MOSFET N-Kanal, 100 V, 57 A, RDS(on) 0,023 Ohm, D²Pak

IRF3710S , HEXFET® Leistungs-MOSFETBeschreibung:Die fortschrittlichen HEXFET®-Leistungs-MOSFETs von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das D2Pak ist ein oberflächenmontierbares Leistungsgehäuse, das Die-Größen bis zu HEX-4 aufnehmen kann. Es bietet die höchste Leistung und den geringstmöglichen On-Widerstand in allen bestehenden oberflächenmontierbaren Gehäusen. Das D2Pak eignet sich aufgrund seines geringen internen Verbindungswiderstands für Hochstromanwendungen und kann in einer typischen Oberflächenmontageanwendung bis zu 2,0 W ableiten.Merkmale:• Fortschrittliche Prozesstechnologie• Ultra-niedriger Einschalt-Widerstand• Dynamischer dv/dt-Wert• 175°C Betriebstemperatur• Schnelles Schalten• Vollständig Avalanche-geeignet• Bleifrei

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IRF9530NSPBF - MOSFET P-Ch 100V 14A 0,2R D²Pak

HEXFET® Power MOSFETBenefitsAdvanced Process TechnologySurface Mount 175°C Operating TemperatureFast SwitchingP-ChannelFully Avalanche RatedLead-FreeDescriptionFifth Generation HEXFET® Power MOSFETs from InternationalRectifier utilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.The D2Pak is a surface mount power package capable ofaccommodating die sizes up to HEX-4. It provides the highest power capability and the lowest possible on-resistance in any existing surface mount package. The D2Pak is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up to 2.0W in a typical surfacemount application.

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