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  IRG 4BC 40S - IGBT-Transistor, N-CH, 600V, 60A, 160W, TO-220AB

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  IRG 4PC 40S - IGBT-Transistor, N-CH, 600V, 60A, 160W, TO-247AC

  IGBT Transistor N-Ch 600V 60A 3-Pin(3+Tab)TO-247AC

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  IRG 4PC 50FD - IGBT-Transistor, N-CH, 600V, 70A, 200W, TO-247AC

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  IRG 4PC 50S - IGBT-Transistor, N-CH, 600V, 70A, 200W, TO-247AC

  IGBT Transistor N-Ch 600V 70A 3-Pin(3+Tab)TO-247AC

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  IRG 4PC 50W - IGBT-Transistor, N-CH, 600V, 55A, 200W, TO-247AC

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  IRG 4PSC 71UD - IGBT-Transistor, N-Ch., 600V, 85A, 350W, TO-247AC

  Copacked 600V IGBT in a TO-247AA package with ultrafast 8-60 kHz ultrafast, ultrasoft recovery anti-parallel diode.Summary of Features:IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiencyIGBT co-packaged with HEXFREDTM diodes for use in bridge configurationsSuper-247 package with higher power handling capability compared to same footprint TO-247Creepage distance increased to 5.35mmLead-freeBenefits:IGBT's offer highest efficiencies availableMaximum power density, twice the power handling of the TO-247, less space than TO-264IGBTs optimized for specific application conditionsCost and space saving in designs that require multiple, paralleled IGBTsHEXFREDTM antiparallel Diode minimizes switching losses and EMITarget Applications:Drives & PumpsSolarUPSWelding

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  IRG 4BC 40U - IGBT-Transistor, N-CH, 600V, 40A, 160W, TO-220AB

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  IRG 4BC 20FD - IGBT-Transistor, N-CH, 600V, 16A, 60W, TO-220AB

  IRG4BC20FDPbF Schnelles CoPack IGBTBipolartransistor mit isoliertem Gate und ultraschneller Soft-Recovery-DiodeMerkmale:• Schnell : optimiert für mittlere Betriebsfrequenzen ( 1-5 kHz bei hartem Schalten, >20 kHz im Resonanzmodus )• Das IGBT-Design der Generation 4 bietet eine engere Parameterverteilung und einen höheren Wirkungsgrad als das der Generation 3• IGBT im Co-Package mit HEXFRED ultraschnellen Anti-Parallel-Dioden mit ultra-weicher Rückgewinnung zur Verwendung in Brückenkonfigurationen• Industriestandard TO-220AB-Paket • BleifreiLeistungen• IGBTs der Generation -4 bieten die höchste verfügbare Effizienz• IGBTs optimiert für spezifische Anwendungsbedingungen • HEXFRED-Dioden optimiert für die Leistung mit IGBTs. Minimierte Erholungseigenschaften erfordern weniger/kein Sbnubbing• Konzipiert als ''Drop-in''-Ersatz für äquivalente, dem Industriestandard entsprechende IR-IGBTs der Generation 3

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  IRG 4PC 50F - IGBT-Transistor, N-CH, 600V, 70A, 200W, TO-247AC

  IGBT Transistor N-Ch 600V 70A 3-Pin(3+Tab)TO-247AC

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  IRG 4PH 50KD - IGBT-Transistor, N-CH, 1200V, 45A, 200W, TO-247AC

  IGBT Transistor N-Ch 1,2KV 45A 3-Pin(3+Tab)TO-247ACAlternativ: IKW25N120H3

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