19 Results for : kaskode

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    UJ3C120080K3S - SiC-Kaskode-FET, 1200 V, 33 A, Rdson 0,08 Ohm , TO-247-3L
    1200V SiC-MOSFET-Kaskode 80mΩ TO-247-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs zusammen mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-SiC-Gate-Drive-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen, die einen Standard-Gate-Treiber erfordern.Eigenschaften:- Typischer Ein-Widerstand Rds(on) von 80mR- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2Typische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladegeräte- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung
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    UF3C120080B7S - SiC-Kaskode-FET, 1200V, 28,8A, Rdson 0,08R, D²Pak-7L
    SiC-Kaskode-FET, 1200V, 28,8A, Rdson 0,08R D²Pak-7LBeschreibung:Dieses SiC-FET-Bauelement basiert auf einer einzigartigen 'Kaskoden'-Schaltungskonfiguration, bei der ein normalerweise eingeschalteter SiC-JFET zusammen mit einem Si-MOSFET gepackt wird, um ein normalerweise ausgeschaltetes SiC-FET-Bauelement herzustellen. Die Standard-Gate-Treiber-Charakteristik des Bausteins ermöglicht einen echten ''Drop-in-Ersatz'' für Si-IGBTs, Si-FETs, SiC-MOSFETs oder Si-Superjunction-Bausteine. Der im D2PAK-7L-Gehäuse erhältliche Baustein zeichnet sich durch eine extrem niedrige Gate-Ladung und außergewöhnliche Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aus, wodurch er sich ideal zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen eignet, die eine Standard-Gate-Steuerung erfordern.Merkmale:• Typischer On-Widerstand RDS(on), Typ 80mR• Maximale Betriebstemperatur von 175°C• Hervorragende Rückwärtserholung• Niedrige Gate-Ladung• Niedrige intrinsische Kapazität• ESD-geschützt, HBM-Klasse 2• D²Pak-7L -Gehäuse für schnelleres Schalten und saubere Gate-SignalformenApplikationen:• EV-Ladeschaltung• PV-Wechselrichter• Schaltnetzteile• PFC-Module zur Blindleistungskompensation• Motorische Antriebe• Induktionserwärmung
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    UF3C120150B7S - SiC-Kaskode-FET, 1200V, 18,4A, Rdson 0,15R, D²Pak-7L
    SiC-Kaskode-FET, 1200V, 27A, Rdson 0,15R D²Pak-7LBeschreibung:Dieses SiC-FET-Bauelement basiert auf einer einzigartigen 'Kaskoden'-Schaltungskonfiguration, bei der ein normalerweise eingeschalteter SiC-JFET zusammen mit einem Si-MOSFET gepackt wird, um ein normalerweise ausgeschaltetes SiC-FET-Bauelement herzustellen. Die Standard-Gate-Treiber-Charakteristik des Bausteins ermöglicht einen echten ''Drop-in-Ersatz'' für Si-IGBTs, Si-FETs, SiC-MOSFETs oder Si-Superjunction-Bausteine. Der im D2PAK-7L-Gehäuse erhältliche Baustein zeichnet sich durch eine extrem niedrige Gate-Ladung und außergewöhnliche Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aus, wodurch er sich ideal zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen eignet, die eine Standard-Gate-Steuerung erfordern.Merkmale:• Typischer On-Widerstand RDS(on), Typ 150mR• Maximale Betriebstemperatur von 175°C• Hervorragende Rückwärtserholung• Niedrige Gate-Ladung• Niedrige intrinsische Kapazität• ESD-geschützt, HBM-Klasse 2• D²Pak-7L -Gehäuse für schnelleres Schalten und saubere Gate-SignalformenApplikationen:• EV-Ladeschaltung• PV-Wechselrichter• Schaltnetzteile• PFC-Module zur Blindleistungskompensation• Motorische Antriebe• Induktionserwärmung
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    UF3C065040B3 - SiC-Kaskode-FET, 650V, 54A, Rdson 0,042R , D2PAK-3L
    650V SiC-MOSFET-Casecode 42mΩ D2PAK-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs gemeinsam mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-Gate-Drive-SiC-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten, wenn sie mit empfohlenen Snubbern verwendet werden, sowie für alle Anwendungen, die einen Standard-Gateantrieb erfordern.Merkmale:- Typischer On-Widerstand Rds(on) von 42mΩ- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2- Sehr geringe Schaltverluste (erforderliche RC-Snubber-Verluste unter typischen Betriebsbedingungen vernachlässigbar)Typische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladung- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung
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    UF3C120040K3S - SiC-Kaskode-FET, 1200V, 65A, Rdson 0,035R , TO-247-3L
    1200V SiC-MOSFET-Casecode 35mΩ TO-247-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs gemeinsam mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-Gate-Drive-SiC-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten, wenn sie mit empfohlenen Snubbern verwendet werden, sowie für alle Anwendungen, die einen Standard-Gateantrieb erfordern.Merkmale:- Typischer On-Widerstand Rds(on) von 35mΩ- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2- Sehr geringe Schaltverluste (erforderliche RC-Snubber-Verluste unter typischen Betriebsbedingungen vernachlässigbar)Typische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladung- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung
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    UF3C065030K3S - SiC-Kaskode-FET, 650V, 85A, Rdson 0,027R TO-247-3L
    650V SiC-MOSFET-Casecode 27mR TO-247-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs gemeinsam mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-Gate-Drive-SiC-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten, wenn sie mit empfohlenen Snubbern verwendet werden, sowie für alle Anwendungen, die einen Standard-Gateantrieb erfordern.Merkmale:- Typischer On-Widerstand Rds(on) von 27mR- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2- Sehr geringe Schaltverluste (erforderliche RC-Snubber-Verluste unter typischen Betriebsbedingungen vernachlässigbar)Typische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladung- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung
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    UF3C065040K3S - SiC-Kaskode-FET, 650V, 54A, Rdson 0,042R TO-247-3L
    650V SiC-MOSFET-Casecode 42mR TO-247-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs gemeinsam mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-Gate-Drive-SiC-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten, wenn sie mit empfohlenen Snubbern verwendet werden, sowie für alle Anwendungen, die einen Standard-Gateantrieb erfordern.Merkmale:- Typischer On-Widerstand Rds(on) von 42mR- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2- Sehr geringe Schaltverluste (erforderliche RC-Snubber-Verluste unter typischen Betriebsbedingungen vernachlässigbar)Typische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladung- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung
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    T+A PA 3100 HV
    Der ~PA 3100 HV basiert auf dem überragenden Vollverstärker ~PA 3000 HV und ist in den meisten Baugruppen identisch. Zwei VU-Meter in der Front, die die abgegebene Leistung pro Kanal logarithmisch in Watt an 4 Ohm anzeigen, sind der sofort sichtbare Unterschied.Ein neues Konzept für das Analognetzteil und die Spannungsversorgung wurde weiterhin entwickelt. Dieses ermöglicht, ähnlich wie im A 3000 HV, das Netzteil PS 3000 HV anzuschließen und die Stabilität, Qualität und Leistung der Spannungsversorgung zu erhöhen. Des Weiteren wurde durch eine Überarbeitung der Vorverstärkersektion der Klang nochmals verbessert.Besonderheiten des T+A PA 3100Die Schaltungstopologie beruht auf einem Kaskode-Differenzverstärker mit handselektierten Audio J-FET Transistoren und vollständig diskret aufgebauten Stufen ohne Operationsverstärker. Durch die weiterhin vorhandene Qualität der Bauteile und dieses Schaltungskonzept ist praktisch keine Über-Alles-Gegenkopplung nötig. Neben hoher Linearität ermöglicht die HV-Technologie mit ihrer hohen Betriebsspannung auch einen sehr hohen Dynamik-Umfang. Unverzerrt können daher Signale bis 60 Vss verarbeitet werden.In der HV-Serie werden Stell- und Schaltfunktionen im Signalbereich von gasdicht gekapselten Goldkontaktrelais übernommen, die auch nach vielen Betriebsjahren keine Kontaktprobleme durch Staub, Korrosion etc. oder Alterung kennen.Bi-stabile Relais werden im Vorverstärker...
    • Shop: HIFI-REGLER
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    T+A PA 3100 HV
    Der ~PA 3100 HV basiert auf dem überragenden Vollverstärker ~PA 3000 HV und ist in den meisten Baugruppen identisch. Zwei VU-Meter in der Front, die die abgegebene Leistung pro Kanal logarithmisch in Watt an 4 Ohm anzeigen, sind der sofort sichtbare Unterschied.Ein neues Konzept für das Analognetzteil und die Spannungsversorgung wurde weiterhin entwickelt. Dieses ermöglicht, ähnlich wie im A 3000 HV, das Netzteil PS 3000 HV anzuschließen und die Stabilität, Qualität und Leistung der Spannungsversorgung zu erhöhen. Des Weiteren wurde durch eine Überarbeitung der Vorverstärkersektion der Klang nochmals verbessert.Besonderheiten des T+A PA 3100Die Schaltungstopologie beruht auf einem Kaskode-Differenzverstärker mit handselektierten Audio J-FET Transistoren und vollständig diskret aufgebauten Stufen ohne Operationsverstärker. Durch die weiterhin vorhandene Qualität der Bauteile und dieses Schaltungskonzept ist praktisch keine Über-Alles-Gegenkopplung nötig. Neben hoher Linearität ermöglicht die HV-Technologie mit ihrer hohen Betriebsspannung auch einen sehr hohen Dynamik-Umfang. Unverzerrt können daher Signale bis 60 Vss verarbeitet werden.In der HV-Serie werden Stell- und Schaltfunktionen im Signalbereich von gasdicht gekapselten Goldkontaktrelais übernommen, die auch nach vielen Betriebsjahren keine Kontaktprobleme durch Staub, Korrosion etc. oder Alterung kennen.Bi-stabile Relais werden im Vorverstärker...
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