34 Results for : ppap

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    FZT 753 TA - Bipolartransistor, PNP, -100 V, -2 A, 2 W,
    FZT753, 100V PNP-HOCHLEISTUNGSTRANSISTOR IN SOT223Merkmale• BVCEO > -100V• IC = -2A hoher Dauerstrom• ICM = -6A Spitzen-Impulsstrom• Niedrige Sättigungsspannung VCE(sat) < -300mV @ -1A• Komplementärer NPN-Typ: FZT653- Bleifreie Ausführung; RoHS-konform • Halogen- und antimonfrei.''Grünes'' Gerät • Qualifiziert nach AEC-Q101 Standards für hohe Zuverlässigkeit- PPAP-fähigMechanische Daten• Gehäuse: SOT223• Gehäuse-Material: Geformter Kunststoff. ''Grüne'' Formmasse; UL-Entflammbarkeitsklasse 94V-0• Feuchtigkeitsempfindlichkeit: Stufe 1 nach J-STD-020• Anschlussklemmen: Oberfläche - matt verzinnte Litzen, lötbar gemäß MIL-STD-202, Methode 208• Gewicht: 0,112 Gramm (ungefähr)
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    FZT 653 ZET - Bipolartransistor, NPN, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223
    100V NPN-HOCHLEISTUNGSTRANSISTOR IN SOT223Merkmale:• BVCEO > 100V• IC = 3A hoher Dauerstrom• ICM = 6A Spitzen-Impulsstrom• Niedrige Sättigungsspannung VCE(sat) < 300mV @ -1A• Komplementärer PNP-Typ: FZT753• Bleifreie Ausführung; RoHS-konform (Hinweise 1 & 2)• Halogen- und antimonfrei. ''Grünes'' Gerät (Hinweis 3)• Qualifiziert nach AEC-Q101 Standards für hohe Zuverlässigkeit• PPAP-fähig (Hinweis 4)Mechanische Daten:• Gehäuse: SOT223• Gehäusematerial: gegossener Kunststoff. ''Grüne'' Formmasse.• UL-Entflammbarkeitsklasse 94V-0• Feuchtigkeitsempfindlichkeit: Stufe 1 nach J-STD-020• Anschlussklemmen: Oberfläche - matt verzinnte Litzen, lötbar nach MIL-STD-202, Methode 208• Gewicht: 0,112 Gramm (annähernd)
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    FZT 753 ZET - Bipolartransistor, PNP, -100 V, -2 A, 2 W, SOT-223
    100V PNP-HOCHLEISTUNGSTRANSISTOR IN SOT223Merkmale:• BVCEO > -100V• IC = -2A hoher Dauerstrom• ICM = -6A Spitzen-Impulsstrom• Niedrige Sättigungsspannung VCE(sat) < -300mV @ -1A• Komplementärer NPN-Typ: FZT653• Bleifreie Ausführung; RoHS-konform (Hinweise 1 & 2)• Halogen- und antimonfrei. ''Grünes'' Gerät (Hinweis 3)• Qualifiziert nach AEC-Q101 Standards für hohe Zuverlässigkeit• PPAP-fähig (Hinweis 4)Mechanische Daten:• Gehäuse: SOT223• Gehäusematerial: gegossener Kunststoff. ''Grüne'' Formmasse.• UL-Entflammbarkeitsklasse 94V-0• Feuchtigkeitsempfindlichkeit: Stufe 1 nach J-STD-020• Anschlussklemmen: Oberfläche - matt verzinnte Litzen, lötbar nach MIL-STD-202, Methode 208• Gewicht: 0,112 Gramm (annähernd)
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    PPaP Practicable Professional Architecture Practice
    PPaP Practicable Professional Architecture Practice ab 7.49 € als epub eBook: . Aus dem Bereich: eBooks, Architektur,
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    MBRD640CTG ONS - SMD Schottky-Barriere-Gleichrichter, 40V, 6A(2x3), DPAK
    SMD Schottky-Barriere-Gleichrichter, 40V, 6 A, DPAKBeschreibung:Diese hochmodernen Artikel sind für den Einsatz in Schaltnetzteilen, Invertern und als Freilaufdioden konzipiert.Merkmale:- Extrem schnelles Schalten- Extrem niedriger Sturz nach vorn- Platin-Barriere mit Avalanche-Verbauung- NRVBD- und SBRV-Präfixe für Automobil- und andere Anwendungen, die eindeutige Anforderungen an den Standort und Kontrollwechsel erfordern; AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig- Diese Geräte sind Pb-frei und RoHS-konform.Mechanische Merkmale- Gehäuse: Epoxidharz, gegossen- Gewicht: 0,4 Gramm (ungefähr)- Beenden: Alle äußeren Oberflächen korrosionsbeständig und die Anschlussleitungen sind leicht lötbar.- Leitungs- und Montageoberflächentemperatur für Lötzwecke: 260°C max. für 10 Sekunden- ESD Rating: - Maschinenmodell = C - Menschliches Körpermodell = 3B
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    MBRD660CTG ONS - SMD Schottky-Barriere-Gleichrichter, 60V, 6A(2x3), DPAK
    SMD Schottky-Barriere-Gleichrichter, 60V, 6A(2x3), DPAKBeschreibung:Diese hochmodernen Artikel sind für den Einsatz in Schaltnetzteilen, Invertern und als Freilaufdioden konzipiert.Merkmale:- Extrem schnelles Schalten- Extrem niedriger Sturz nach vorn- Platin-Barriere mit Avalanche-Verbauung- NRVBD- und SBRV-Präfixe für Automobil- und andere Anwendungen, die eindeutige Anforderungen an den Standort und Kontrollwechsel erfordern; AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig- Diese Geräte sind Pb-frei und RoHS-konform.Mechanische Merkmale- Gehäuse: Epoxidharz, gegossen- Gewicht: 0,4 Gramm (ungefähr)- Beenden: Alle äußeren Oberflächen korrosionsbeständig und die Anschlussleitungen sind leicht lötbar.- Leitungs- und Montageoberflächentemperatur für Lötzwecke: 260°C max. für 10 Sekunden- ESD Rating: - Maschinenmodell = C - Menschliches Körpermodell = 3B
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    MCP 8063-E/MD - 3-phasiger-Motortreiber, 2 ... 14V, 1,5A, DFN-8
    3-phasiger bürstenloser, sinusförmiger, sensorloser MotortreiberBeschreibung:Der MCP8063 ist ein hochintegrierter sinusförmiger sensorloser Treiber für bürstenlose Gleichstrommotoren. Er verfügt über einen 180°-Sinusantrieb für hohe Drehmomentabgabe und geräuscharmen Betrieb. Er ist so konzipiert, dass er einen großen Bereich von Motoreigenschaften abdeckt, ohne dass eine externe Abstimmung durch den Benutzer erforderlich ist. Die Drehzahlregelung kann entweder über die Stromversorgung oder über Pulsweitenmodulation (unter Verwendung des digitalen PWM-Eingangspins) erfolgen. Durch sein kompaktes Gehäuse und die minimale Stückliste (BOM) eignet er sich am besten für Lüfteranwendungen, die einen hohen Wirkungsgrad und geringe akustische Geräusche erfordern. Der Frequenzgeneratorausgang ist ebenfalls enthalten und ermöglicht eine präzise Drehzahlregelung in Anwendungen mit geschlossenem Regelkreis. Der Treiber MCP8063 verfügt über einen Blockierschutzmodus, der den Ausgangsstrom abschaltet, wenn der Motor blockiert ist, sowie über eine automatische Wiederherstellung, die den Lüfter in Betrieb setzt, wenn die Blockierung aufgehoben wird. Automotive AEC-Q100-qualifiziert, PPAP auf Anfrage erhältlich. Merkmale• Automotive AEC-Q100 qualifiziert, PPAP verfügbar auf Anfrage• Positionssensorlose BLDC-Treiber (kein Hall Sensor erforderlich)• 180° Sinusantrieb für hohen Wirkungsgrad und niedrige Akustischer Lärm• Unterstützt Stromversorgungen von 2V bis 14V• Drehzahlregelung durch Modulation der Stromversorgung (PSM) und/oder Pulsweitenmodulation (PWM)• Eingebauter Frequenzgenerator (FG-Ausgangssignal)• Eingebauter Verriegelungsschutz und automatischer Wiederherstellungsschaltkreis (externer Kondensator nicht notwendig)• Eingebaute Überstrombegrenzung (1,5A)• Eingebauter Überspannungsschutz• Eingebauter thermischer Abschaltschutz• Thermisch verbessertes 8-adriges 4 mm x 4 mm DFN-Gehäuse mit freiliegendem Pad• 23 kHz PWM-Ausgangsfrequenz• Keine externe Abstimmung erforderlich• Optimiert für Ventilator-KühlsystemeTypische Anwendungen• Geräuscharme Notebook-CPU/GPU-Lüfter• Belüftungssystem• 12V 3-Phasen-BLDC-Motoren
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    FMMT 720 TA - Bipolartransistor, PNP, -40V, -1,5A, 0,625W, SOT-23
    40V PNP-Silizium-Transistor mit niedriger Sättigung , SOT23Merkmale:• BVceo > -40V• Ic = -1,5A Dauer-Kollektorstrom• Icm = -4A Impulsspitzenstrom• 625mW Verlustleistung• Niedrige Sättigungsspannung Vce(sat) < -220mV @ -1A• hFE charakterisiert bis zu -3A für hohe Stromverstärkungsüberbrückung• Komplementärer NPN-Typ: FMMT619• Völlig bleifrei & vollständig RoHS-konform • Halogen- und antimonfrei. ''Grünes'' Gerät • Qualifiziert nach AEC-Q101 Standards für hohe Zuverlässigkeit• PPAP-fähig Mechanische Daten:• Gehäuse: SOT23• Gehäusematerial: geformter Kunststoff, ''grüne'' Formmasse• UL-Klassifizierung der Entflammbarkeitsklasse 94V-0• Feuchtigkeitsempfindlichkeit: Stufe 1 pro J-STD-020• Terminals: Oberfläche - Mattverzinnte Leitungen, lötbar nach MIL-STD-202, Methode 208• Gewicht 0,008 Gramm (ungefähr)Anwendung:• MOSFET / IGBT-Gate Ansteuerung• DC-DC-Wandler• Ladeschaltung• Leistungsschalter
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    BCV46TA - PNP-Darlington-Transistor, -60 V, -0,5 A, hFE >10k, SOT-23
    BCV46, 60V PNP DARLINGTON TRANSISTOR IN SOT23Merkmale:• BVCEO > -60V• Darlington-Transistor hFE > 10k @ 100mA für hohe Verstärkung• IC = -500mA hoher kontinuierlicher Kollektorstrom• Komplementärer Darlington PNP-Typ: BCV47• Völlig bleifrei und vollständig RoHS-konform (Anmerkungen 1 und 2)• Halogen- und antimonfrei. ''Grünes'' Bauteil (Anmerkung 3)• Qualifiziert nach AEC-Q101 Standards für hohe Zuverlässigkeit• PPAP-fähig (Anmerkung 4)Mechanische Daten:• Gehäuse: SOT23• Gehäusematerial: geformter Kunststoff, ''grüne'' Formmasse• UL-Entflammbarkeitsklassifizierung: 94V-0• Feuchtigkeitsempfindlichkeit: Stufe 1 nach J-STD-020• Anschlussklemmen: Oberfläche - matt verzinnte Litzen, lötbar nach MIL-STD-202, Methode 208• Gewicht: 0,008 Gramm (ungefähr)Lieferung in kompletter Industrieverpackung (7-Zoll-Rolle a 3000 Stück) möglich, sprechen sie mit unserer Angebotsabteilung!
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    FMMT 619 TA - Bipolartransistor, NPN, 50V, 2A, 0,625W, SOT-23
    50V NPN Silizium-Transistor mit niedriger Sättigung , SOT23Merkmale:• BVceo > 50V• Ic = 2A Kontinuierlicher Kollektorstrom• 625mW Verlustleistung• Niedrige Sättigungsspannung Vce(sat) < 200mV @ 1A• Rce(sat) = 68mO für einen niedrigen äquivalenten On-Widerstand• hFE charakterisiert bis zu 6A für hohe Stromverstärkungsüberbrückung• Komplementärer PNP-Typ: FMMT720• Völlig bleifrei & vollständig RoHS-konform • Halogen- und antimonfrei.''Grünes'' Gerät • Qualifiziert nach AEC-Q101 Standards für hohe Zuverlässigkeit• PPAP-fähig (Anmerkung 4)Mechanische Daten:• Gehäuse: SOT23• Gehäusematerial: geformter Kunststoff, ''grüne'' Formmasse• UL-Klassifizierung der Entflammbarkeitsklasse 94V-0• Feuchtigkeitsempfindlichkeit: Stufe 1 pro J-STD-020• Anschlüsse:Oberfläche - Mattverzinnte Leitungen, lötbar nach MIL-STD-202, Methode 208• Gewicht 0,008 Gramm (ungefähr)Applikation:• MOSFET-Gate-Ansteuerung• DC-DC/DC-AC-Wandler• Regulierung• LED-Treiber• Motor-Steuerung
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