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IRFB 4410 - MOSFET, N-CH, 100V, 88A, 200W, TO-220AB

MOSFET Transistor N-Ch 100V 88A 3-Pin(3+Tab)TO-220AB

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IRF 2805 - MOSFET, N-CH, 55V, 75A, 330W, TO-220AB

MOSFET Transistor N-Ch 55V 75A 3-Pin(3+Tab)TO-220AB

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MBR 1545CTE3 VIS - Zweifach Schottky Diode, gem. Kathode, 45V, 15A, TO-220AB

Schottky-Doppelgleichrichter mit gemeinsamer KathodeMerkmale:• Netzteil• Guardring für Überspannungsschutz• Geringe Verlustleistung, hoher Wirkungsgrad• Niedriger Vorwärtsspannungsabfall• Hohe Vorwärtsstoßfähigkeit• Hochfrequenz-Betrieb• Erfüllt MSL-Level 1, pro J-STD-020, maximale LF-Spitze von 245 °C (für TO-263AB-Gehäuse)• Lötbadtemperatur maximal 275 °C, 10 s, pro JESD 22-B106 (für TO-220AB- und ITO-220AB-Gehäuse)• AEC-Q101-qualifiziert• Material-Kategorisierung: Für Definitionen der Konformität siehe www.vishay.comTypische Anwendungen:Zur Verwendung in Hochfrequenzgleichrichtern von Schaltnetzteilen, Freilaufdioden, DC/DC-Wandlern oder Polaritätsschutzanwendungen.Mechanische Daten:• Bauformen: BIS-220AB, ITO-220AB, BIS-263AB• Formmasse entspricht der Entflammbarkeitsklasse UL 94 V-0- Basis P/N-E3 - RoHS-konform, handelsübliche Qualität- Basis P/NHE3 - RoHS-konform, AEC-Q101-qualifiziert• Terminals: - Mattverzinnte Leitungen, lötbar nach J-STD-002 und JESD 22-B102- Das Suffix E3 entspricht dem Whisker-Test nach JESD 201 Klasse 1A, - HE3-Suffix entspricht JESD 201 Klasse 2 Whisker-Test• Polarität: - Wie markiert• Montage-Drehmoment: - maximal 10 in-lbs

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MBR 1560CTE3 VIS - Zweifach Schottky Diode, gem. Kathode, 60V, 15A, TO-220AB

Schottky-Doppelgleichrichter mit gemeinsamer KathodeMerkmale:• Netzteil• Guardring für Überspannungsschutz• Geringe Verlustleistung, hoher Wirkungsgrad• Niedriger Vorwärtsspannungsabfall• Hohe Vorwärtsstoßfähigkeit• Hochfrequenz-Betrieb• Erfüllt MSL-Level 1, pro J-STD-020, maximale LF-Spitze von 245 °C (für TO-263AB-Gehäuse)• Lötbadtemperatur maximal 275 °C, 10 s, pro JESD 22-B106 (für TO-220AB- und ITO-220AB-Gehäuse)• AEC-Q101-qualifiziert• Material-Kategorisierung: Für Definitionen der Konformität siehe www.vishay.comTypische Anwendungen:Zur Verwendung in Hochfrequenzgleichrichtern von Schaltnetzteilen, Freilaufdioden, DC/DC-Wandlern oder Polaritätsschutzanwendungen.Mechanische Daten:• Bauformen: BIS-220AB, ITO-220AB, BIS-263AB• Formmasse entspricht der Entflammbarkeitsklasse UL 94 V-0- Basis P/N-E3 - RoHS-konform, handelsübliche Qualität- Basis P/NHE3 - RoHS-konform, AEC-Q101-qualifiziert• Terminals: - Mattverzinnte Leitungen, lötbar nach J-STD-002 und JESD 22-B102- Das Suffix E3 entspricht dem Whisker-Test nach JESD 201 Klasse 1A, - HE3-Suffix entspricht JESD 201 Klasse 2 Whisker-Test• Polarität: - Wie markiert• Montage-Drehmoment: - maximal 10 in-lbs

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IRF 9510 - P-CH-MOSFET, 100V, 4A, Rdson 1,2R, TO-220AB

BESCHREIBUNGDie Power-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Konstrukteur die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, geringem On-Widerstand und Kosteneffizienz.Das TO-220AB-Gehäuse wird universell für alle kommerziellen und industriellen Anwendungen mit einer Verlustleistung von bis zu ca. 50 W bevorzugt. Der geringe thermische Widerstand und die niedrigen Gehäusekosten des TO-220AB tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der gesamten Branche bei.FEATURES- Dynamische dV/dt Bewertung- Repetitive avalanche rated- 175 °C Betriebstemperatur- Schnelles Schalten- Einfache Parallelisierung- Einfache Antriebsanforderungen

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IRF 530 VIS - MOSFET, N-CH, 100V, 14A, RDS(on) 0,16 Ohm, TO-220AB

Leistungs-MOSFETBeschreibung:Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Bauteildesign, niedrigem On-Widerstand und Kosteneffizienz. Das TO-220AB-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziell-industriellen Anwendungen bei Verlustleistungen bis etwa 50 W bevorzugt. Der geringe thermische Widerstand und die niedrigen Gehäusekosten des TO-220AB tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der gesamten Industrie bei.Merkmale:• Dynamische dV/dt Bewertung• Wiederholte Lawinen-Bewertung• 175 °C Betriebstemperatur• Schnelles Umschalten• Leichte Parallelisierung• Einfache Antriebsanforderungen• Entspricht der RoHS-Richtlinie 2002/95/EC

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IRF 730 - MOSFET, N-CH, 400 V, 5,5 A, RDS(on) 1 Ohm, TO-220AB

Leistungs-MOSFETBeschreibung:Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem On-Widerstand und Kosteneffizienz. Das TO-220AB-Gehäuse ist universell für alle kommerziell-industrielle Anwendungen bei Verlustleistungen Verlustleistung bis ca. 50 W. Der niedrige thermische Widerstand und die niedrigen Kosten des TO-220AB-Gehäuses tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei.Merkmale:• Dynamischer dV/dt-Wert• Repetitive Avalanche-Bewertung• Schnell schaltend• Einfaches Parallelisieren• Einfache Antriebsanforderungen• Konform zur RoHS-Richtlinie 2002/95/EC

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IRF 820 - MOSFET, N-CH, 500 V, 2,5 A, RDS(on) 3,0 Ohm, TO-220AB

IRF820, Leistungs-MOSFETBESCHREIBUNGLeistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem On-Widerstand und Kosteneffizienz.Das TO-220AB-Gehäuse wird allgemein für kommerziell-industrielle Anwendungen bei Verlustleistungen bis ca. 50 W bevorzugt. Der niedrige Wärmewiderstand und die geringen Gehäusekosten des TO-220AB tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei.EIGENSCHAFTEN• Dynamische dV/dt-Bewertung• Repetitive Avalanche-Bewertung• Schnelles Schalten• Einfaches Parallelisieren• Einfache Antriebsanforderungen• Konform zur RoHS-Richtlinie 2002/95/EC

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IRF 510 - MOSFET N-Kanal, 100 V, 5,6 A, Rds(on) 0,54 Ohm, TO-220AB

BESCHREIBUNGDie Power-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Konstrukteur die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, geringem On-Widerstand und Kosteneffizienz. Das TO-220AB-Gehäuse wird universell für alle kommerziellen und industriellen Anwendungen mit einer Verlustleistung von bis zu ca. 50 W bevorzugt. Der geringe thermische Widerstand und die niedrigen Gehäusekosten des TO-220AB tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der gesamten Branche bei.FEATURES- Dynamische dV/dt Bewertung- Repetitive avalanche rated- 175 °C Betriebstemperatur- Schnelles Schalten- Einfache Parallelisierung- Einfache Antriebsanforderungen

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IRF 710 - MOSFET, N-Kanal, 400 V, 2 A, RDS(on) 3,6 Ohm, TO-220AB

IRF710, Leistungs-MOSFETBeschreibung:Die dritte Generation der Leistungs-MOSFETs von Vishay bietet dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Design, niedrigem On-Widerstand und Kosteneffizienz. Das TO-220AB-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziell-industriellen Anwendungen bei Verlustleistungen bis zu ca. 50 W bevorzugt. Der niedrige Wärmewiderstand und die niedrigen Gehäusekosten des TO-220AB tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei.Merkmale:• Dynamische dV/dt-Bewertung• Repetitive Avalanche-Bewertung• Schnelles Schalten• Einfache Parallelisierung• Einfache Antriebsanforderungen• Konform mit der RoHS-Richtlinie 2002/95/EC

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