140 Results for : formmasse

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    TSF30H45C - Dual-Trench-Schottkydiode, 45 V, 2 x 15 A, ITO-220AB
    Merkmale:- Patentierte Trench-Schottky-Technologie- Hervorragende Hochtemperaturbeständigkeit- Niedrige Durchlassspannung- Geringer Leistungsverlust/hohe Effizienz- Hohe Vorwärtsstoßleistung- Konform zur RoHS-Richtlinie 2011/65/EU und zur WEEE 2002/96/EG- Halogenfrei nach IEC 61249-2-2-21 DefinitionTypische Anwendungen:Trench Schottky Sperrgleichrichter sind für HF-Anwendungen konzipiert. Miniatur-Schaltnetzteile wie Adapter, Beleuchtung und eingebaute DC/DC-Wandler.Mechanische Daten:Gehäuse: ITO-220AB- Formmasse entspricht der Brandklasse UL 94 V-0.- Verpackungscode mit dem Zusatz ''G'' bedeutet halogenfrei.Terminal:- Mattverzinnte Leitungen, lötbar nach JESD22-B102- Erfüllt die Anforderungen der JESD 201 Klasse 2 Whiskerprüfung.Polarität: Wie markiertAnzugsdrehmoment: 0,56 Nm max.
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    1N 4148W7F DII - Kleinsignal-Schalt-Diode, 100 V, 300 mA, SOD-123
    1N4148W, SCHNELL SCHALTENDE DIODE FÜR OBERFLÄCHENMONTAGEMerkmale• Schnelle Schaltgeschwindigkeit• Niedrige Vorwärtsspannung: Maximal 0,715V bei 1mA• Schnelle Rückwärtserholung: Maximal 4ns• Niedrige Kapazität: Maximal 2pF• Oberflächenmontiertes Gehäuse, ideal für die automatische Bestückung geeignet• Für Allzweck-Schaltanwendungen• Völlig bleifrei und vollständig RoHS-konform • Halogen- und antimonfrei.''Grünes'' Gerät • Qualifiziert nach AEC-Q101 Standards für hohe ZuverlässigkeitMechanische Daten• Gehäuse: SOD123• Gehäusematerial: Geformter Kunststoff, ''grüne'' Formmasse; UL-Entflammbarkeitsklassifizierung 94V-0• Feuchtigkeitsempfindlichkeit: Stufe 1 nach J-STD-020• Anschlussklemmen: Matte Zinnoberfläche, geglüht über Alloy 42 Leadframe. (Bleifrei-Beschichtung). Lötbar nach MIL-STD-202, Methode 208• Polarität: Kathodenband• Gewicht: 0,01 Gramm (ungefähr)
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    DFLS1607 DII - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 1 A, PowerDI® 123
    1,0A SMD SCHOTTKY-BARRIERE-GLEICHRICHTERPowerDI® 123Merkmale:• Guard-Ring-Die-Konstruktion für Transientenschutz• Geringe Verlustleistung, hoher Wirkungsgrad• Patentiertes Interlocking-Clip-Design für hohe Stoßstromkapazität• Qualifiziert nach AEC-Q101 Standards für hohe Zuverlässigkeit• Bleifreie Ausführung; RoHS-konform (Hinweise 1 & 2)• Halogen- und antimonfrei. ''Grünes'' Gerät (Hinweis 3)Mechanische Daten:• Gehäuse: PowerDI® 123• Gehäusematerial: Geformter Kunststoff, ''grüne'' Formmasse. UL-Entflammbarkeitsklassifizierung: 94V-0• Feuchtigkeitsempfindlichkeit: Stufe 1 nach J-STD-020• Klemmenanschlüsse: Kathodenband• Anschlussklemmen: Oberfläche - matt verzinnt über Kupfer Leadframe. Lötbar nach MIL-STD-202 Methode 208• Gewicht: 0,01 Gramm (ungefähr)
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    IGW40N65H5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 74A, 255W, TO-247-3
    IGW40N65H5650V Hochgeschwindigkeits-IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 TechnologieMerkmale und Vorteile:• Hochgeschwindigkeits-H5 TRENCHSTOP™ Technologieangebot• Klassenbester Wirkungsgrad bei hartem Schalten und Resonanz Topologien• Plug-and-Play-Ersatz für IGBTs der vorherigen Generation• 650V Durchbruchspannung• Niedrige Gate-Ladung QG• Klassenbester Wirkungsgrad bei hartem Schalten und Resonanztopologien• Plug-and-Play-Ersatz für IGBTs der vorherigen Generation• 650V Durchbruchspannung• Niedrige Gate-Ladung QG• maximale Sperrschichttemperatur 175°C• nach JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert• Pb-freie Verbleiung, halogenfreie Formmasse, RoHS-konform• Vollständiges Produktspektrum und PSpice-Modelle: http://www.infineon.com/igbt/Anwendungen:• Solar-Umrichter• unterbrechungsfreie Stromversorgungen• Schweißkonverter• Umrichter mit hoher Schaltfrequenz
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    IGZ100N65H5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 161A, 536W, TO-247-4
    IGZ100N65H5650V Hochgeschwindigkeits-IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 TechnologieMerkmale und Vorteile:• Hochgeschwindigkeits-H5 TRENCHSTOP™ Technologieangebot• Extrem verlustarmes Schalten dank des Kelvin-Emitterpins in Kombination mit TRENCHSTOP™ 5• Klassenbester Wirkungsgrad bei hartem Schalten und Resonanztopologien• Plug-and-Play-Ersatz für IGBTs der vorherigen Generation• 650V Durchbruchspannung• Niedrige Gate-Ladung QG• maximale Sperrschichttemperatur 175°C• nach JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert• Pb-freie Verbleiung, halogenfreie Formmasse, RoHS-konform• Vollständiges Produktspektrum und PSpice-Modelle: http://www.infineon.com/igbt/Anwendungen:• Solare String-Wandler• unterbrechungsfreie Stromversorgungen• Schweißkonverter• Schaltfrequenzwandler für den mittleren bis hohen Bereich
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    IGZ50N65H5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 85A, 273W, TO-247-4
    IGZ50N65H5650V Hochgeschwindigkeits-IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 TechnologieMerkmale und Vorteile:• Hochgeschwindigkeits-H5 TRENCHSTOP™ Technologieangebot• Extrem verlustarmes Schalten dank des Kelvin-Emitterpins in Kombination mit TRENCHSTOP™ 5• Klassenbester Wirkungsgrad bei hartem Schalten und Resonanztopologien• Plug-and-Play-Ersatz für IGBTs der vorherigen Generation• 650V Durchbruchspannung• Niedrige Gate-Ladung QG• maximale Sperrschichttemperatur 175°C• nach JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert• Pb-freie Verbleiung, halogenfreie Formmasse, RoHS-konform• Vollständiges Produktspektrum und PSpice-Modelle: http://www.infineon.com/igbt/Anwendungen:• Solare String-Wandler• unterbrechungsfreie Stromversorgungen• Schweißkonverter• Schaltfrequenzwandler für den mittleren bis hohen Bereich
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    IGZ75N65H5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 119A, 395W, TO-247-4
    IGZ75N65H5650V Hochgeschwindigkeits-IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 TechnologieMerkmale und Vorteile:• Hochgeschwindigkeits-H5 TRENCHSTOP™ Technologieangebot• Extrem verlustarmes Schalten dank des Kelvin-Emitterpins in Kombination mit TRENCHSTOP™ 5• Klassenbester Wirkungsgrad bei hartem Schalten und Resonanztopologien• Plug-and-Play-Ersatz für IGBTs der vorherigen Generation• 650V Durchbruchspannung• Niedrige Gate-Ladung QG• maximale Sperrschichttemperatur 175°C• nach JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert• Pb-freie Verbleiung, halogenfreie Formmasse, RoHS-konform• Vollständiges Produktspektrum und PSpice-Modelle: http://www.infineon.com/igbt/Anwendungen:• Solare String-Wandler• unterbrechungsfreie Stromversorgungen• Schweißkonverter• Schaltfrequenzwandler für den mittleren bis hohen Bereich
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    IKA08N65F5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 10,8A, 31,2W, TO-220-Fullpak
    IKA08N65F5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack FAST IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination mit der schnellen und weichen antiparallelen Diode RAPID 1Merkmale und Vorteile:• Hochgeschwindigkeits-F5 TRENCHSTOP™ Technologieangebot• Klassenbester Wirkungsgrad bei hartem Schalten und Resonanztopologien• 650V Durchbruchspannung• Niedrige Gate-Ladung QG• IGBT mit schneller und weicher antiparalleler Diode RAPID 1• maximale Sperrschichttemperatur 175°C• nach JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert• Pb-freie Verbleiung, halogenfreie Formmasse, RoHS-konform• Vollständiges Produktspektrum und PSpice-Modelle: http://www.infineon.com/igbt/Anwendungen:• Solar-Umrichter• unterbrechungsfreie Stromversorgungen• Schweißkonverter• Schaltfrequenzwandler für den mittleren bis hohen Bereich
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    IKA15N65F5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 14A, 33,3W, TO-220-Fullpak
    IKA15N65F5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack FAST IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination mit der schnellen und weichen antiparallelen Diode RAPID 1Merkmale und Vorteile:• Hochgeschwindigkeits-F5 TRENCHSTOP™ Technologieangebot• Klassenbester Wirkungsgrad bei hartem Schalten und Resonanztopologien• 650V Durchbruchspannung• Niedrige Gate-Ladung QG• IGBT mit schneller und weicher antiparalleler Diode RAPID 1• maximale Sperrschichttemperatur 175°C• nach JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert• Pb-freie Verbleiung, halogenfreie Formmasse, RoHS-konform• Vollständiges Produktspektrum und PSpice-Modelle: http://www.infineon.com/igbt/Anwendungen:• Solar-Umrichter• unterbrechungsfreie Stromversorgungen• Schweißkonverter• Schaltfrequenzwandler für den mittleren bis hohen Bereich
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    IKP15N65F5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 30A, 105W, TO-220
    IKP15N65F5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack FAST IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination mit der schnellen und weichen antiparallelen Diode RAPID 1Merkmale und Vorteile:• Hochgeschwindigkeits-F5 TRENCHSTOP™ Technologieangebot• Klassenbester Wirkungsgrad bei hartem Schalten und Resonanztopologien• 650V Durchbruchspannung• Niedrige Gate-Ladung QG• IGBT mit schneller und weicher antiparalleler Diode RAPID 1• maximale Sperrschichttemperatur 175°C• nach JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert• Pb-freie Verbleiung, halogenfreie Formmasse, RoHS-konform• Vollständiges Produktspektrum und PSpice-Modelle: http://www.infineon.com/igbt/Anwendungen:• Solar-Umrichter• unterbrechungsfreie Stromversorgungen• Schweißkonverter• Schaltfrequenzwandler für den mittleren bis hohen Bereich
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