39 Results for : irfp

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    IRFP 460 - MOSFET, N-CH, 500V, 20A, 280W, TO-247AC
    Power MOSFETFEATURES• Dynamic dV/dt Rating• Repetitive Avalanche Rated• Isolated Central Mounting Hole• Fast Switching• Ease of Paralleling• Simple Drive Requirements• Lead (Pb)-free Available
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    IRFP 360 - MOSFET, N-CH, 400V, 23A, 280W, TO-247AC
    Power MOSFETFEATURES• Dynamic dV/dt Rated• Repetitive Avalanche Rated• Isolated Central Mounting Hole• Fast Switching• Ease of Paralleling• Simple Drive Requirements• Lead (Pb)-free Available
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    IRFP 250N - MOSFET, N-Kanal, 200 V, 30 A, RDS(on) 0.075 R, TO-247AC
    IRFP250NPbFHEXFET® Leistungs-MOSFETBeschreibungen:HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen On-Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein extrem effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das TO-247-Gehäuse wird bevorzugt für kommerziell-industrielle Anwendungen verwendet, bei denen höhere Leistungen den Einsatz von TO-220-Bauteilen ausschließen. Das TO-247-Gehäuse ist dem früheren TO-218-Gehäuse ähnlich, aber aufgrund seiner isolierten Montagebohrung überlegen.Merkmale:• Fortschrittliche Prozesstechnologie• Dynamischer dv/dt-Wert• 175°C Betriebstemperatur• Schnelles Schalten• Vollständige Avalanche-Bewertung• Einfaches Parallelisieren• Einfache Antriebsanforderungen• TO-247AC• Bleifrei
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    IRFP 4568 - MOSFET, N-Kanal, 150 V, 170 A, RDS(on) 0,0048 Ohm, TO-247AC
    HEXFET Power MOSFETApplicationsHigh Efficiency Synchronous Rectification in SMPSUninterruptible Power SupplyHigh Speed Power SwitchingHard Switched and High Frequency CircuitsBenefitsImproved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RuggednessFully Characterized Capacitance and Avalanche SOAEnhanced body diode dV/dt and dI/dt CapabilityLead-Free
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    IRFP 4227 - MOSFET, N-Kanal, 200 V, 65 A, Rds(on) 0,021 Ohm, TO-247AC
    HEXFET Power MOSFETFeaturesAdvanced Process TechnologyKey Parameters Optimized for PDP Sustain, Energy Recovery and Pass Switch ApplicationsLow EPULSE Rating to Reduce Power Dissipation in PDP Sustain, Energy Recovery and Pass Switch ApplicationsLow QG for Fast ResponseHigh Repetitive Peak Current Capability for Reliable OperationShort Fall & Rise Times for Fast Switching175°C Operating Junction Temperature for Improved RuggednessRepetitive Avalanche Capability for Robustness and Reliability
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    IRFP 044N - MOSFET, N-Kanal, 55 V, 53 A, Rds(on) 0,02 Ohm, TO-247AC
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    IRFP 064N - MOSFET, N-Kanal, 55 V, 110 A, Rds(on) 0,008 Ohm, TO-247AC
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    IRFP 4321 - MOSFET, N-Kanal, 150 V, 78 A, Rds(on) 0,012 Ohm, TO-247AC
    HEXFET Power MOSFETApplicationsMotion Control ApplicationsHigh Efficiency Synchronous Rectification in SMPSUninterruptible Power SupplyHard Switched and High Frequency CircuitsBenefitsLow RDSON Reduces LossesLow Gate Charge Improves the Switching PerformanceImproved Diode Recovery Improves Switching & EMI Performance30V Gate Voltage Rating Improves RobustnessFully Characterized Avalanche SOA
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    IRFP 4468 - MOSFET, N-Kanal, 100 V, 195 A, RDS(on) 0,002 Ohm, TO-247AC
    HEXFET Power MOSFETApplicationsHigh Efficiency Synchronous Rectification in SMPSUninterruptible Power SupplyHigh Speed Power SwitchingHard Switched and High Frequency CircuitsBenefitsImproved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RuggednessFully Characterized Capacitance and Avalanche SOAEnhanced body diode dV/dt and dI/dt CapabilityLead-Free
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    IRFP 260N - MOSFET, N-Kanal, 200 V, 50 A, Rds(on) 0,04 Ohm, TO-247AC
    IRFP260NPbFHEXFET® Leistungs-MOSFETBeschreibung:HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier/Infineon nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen On-Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein extrem effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das TO-247-Gehäuse wird bevorzugt für kommerziell-industrielle Anwendungen eingesetzt, bei denen höhere Leistungen die Verwendung von TO-220-Bauteilen ausschließen. Das TO-247-Gehäuse ist dem früheren TO-218-Gehäuse ähnlich, aber aufgrund seiner isolierten Montagebohrung überlegen.Merkmale:• Fortschrittliche Prozesstechnologie• Dynamischer dv/dt-Wert• 175°C Betriebstemperatur• Schnelles Schalten• Vollständige Avalanche-Bewertung• Einfaches Parallelisieren• Einfache Antriebsanforderungen• Bleifrei
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