62 Results for : rdson

  • Thumbnail
    IPP65R600E6 - MOSFET N-Ch 650V 7,3A 63W 0,6R TO220
    650V CoolMOS™ E6 Power MOSFETFeatures• Extremely low losses due to very low FOM Rdson*Qg and Eoss• Very high commutation ruggedness• Easy to use/drive• JEDEC1) qualified, Pb-free plating, Halogen freeApplicationsPFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching PWM stages e.g. PC Silverbox, Adapter, LCD & PDP TV, Lightning, Server, Telecom and UPS.
    • Shop: reichelt elektronik
    • Price: 0.78 EUR excl. shipping
  • Thumbnail
    IPW60R190E6 - MOSFET N-Ch 600V 20,2A 151W 0,19R TO247
    600V CoolMOS™ E6 Power MOSFETFeatures• Extremely low losses due to very low FOM Rdson*Qg and Eoss• Very high commutation ruggedness• Easy to use/drive• JEDEC1) qualified, Pb-free plating, Halogen freeApplicationsPFC stages, hard switching PWM stages and resonant switchingPWM stages for e.g. PC Silverbox, Adapter, LCD & PDP TV,Lighting, Server, Telecom and UPS.
    • Shop: reichelt elektronik
    • Price: 3.00 EUR excl. shipping
  • Thumbnail
    IPW65R190E6 - MOSFET N-Ch 650V 20,2A 151W 0,19R TO247
    650V CoolMOS™ E6 Power MOSFETFeatures• Extremely low losses due to very low FOM Rdson*Qg and Eoss• Very high commutation ruggedness• Easy to use/drive• JEDEC1) qualified, Pb-free plating, Halogen freeApplicationsPFC stages, hard switching PWM stages and resonant switchingPWM stages for e.g. PC Silverbox, Adapter, LCD & PDP TV,Lighting, Server, Telecom and UPS.
    • Shop: reichelt elektronik
    • Price: 2.10 EUR excl. shipping
  • Thumbnail
    IPP60R750E6 - MOSFET N-Ch 600V 5,7A 48W 0,75R TO220
    600V CoolMOS™ E6 Power MOSFETFeatures• Extremely low losses due to very low FOM Rdson*Qg and Eoss• Very high commutation ruggedness• Easy to use/drive• JEDEC1) qualified, Pb-free plating, Halogen freeApplicationsPFC stages, hard switching PWM stages and resonant switchingPWM stages for e.g. PC Silverbox, Adapter, LCD & PDP TV,Lighting, Server, Telecom and UPS.
    • Shop: reichelt elektronik
    • Price: 0.60 EUR excl. shipping
  • Thumbnail
    IRLHS6276 - Dual-MOSFET, N-Kanal, 20 V, 4,5 A, 0,045 Ohm, QFN-6
    Die StrongIRFET™-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrigen RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Bauelemente sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio eignet sich für eine breite Palette von Anwendungen, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und Gleichstromwandler.Besondere Merkmale• niedriger RDSon (= 45 mOhm) • geringer Wärmewiderstand zur Leiterplatte (= 19°C/W) • niedriges Profil (= 1,0 mm) • Industriestandard Pinout
    • Shop: reichelt elektronik
    • Price: 1.20 EUR excl. shipping
  • Thumbnail
    IPA60R600P6 - MOSFET N-Ch 600V 7,3A 28W 0,6R TO220-Fullpak
    600V CoolMOS™ P6 Power MOSFETFeatures• Increased MOSFET dv/dt ruggedness• Extremely low losses due to very low FOM Rdson*Qg and Eoss• Very high commutation ruggedness• Easy to use/drive• Pb-free plating, Halogen free mold compound• Qualified for industrial grade applications according to JEDEC (J-STD20 and JESD22)ApplicationsPFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching stages for e.g. PC Silverbox, Adapter, LCD & PDP TV, Lighting, Server, Telecom and UPS.
    • Shop: reichelt elektronik
    • Price: 1.15 EUR excl. shipping
  • Thumbnail
    IPP60R190P6 - MOSFET N-Ch 600V 20,2A 151W 0,19R TO220
    600V CoolMOS™ P6 Power MOSFETFeatures• Increased MOSFET dv/dt ruggedness• Extremely low losses due to very low FOM Rdson*Qg and Eoss• Very high commutation ruggedness• Easy to use/drive• Pb-free plating, Halogen free mold compound• Qualified for industrial grade applications according to JEDEC (J-STD20 and JESD22)ApplicationsPFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching stages for e.g. PC Silverbox, Adapter, LCD & PDP TV, Lighting, Server, Telecom and UPS.
    • Shop: reichelt elektronik
    • Price: 2.02 EUR excl. shipping
  • Thumbnail
    IPW60R190P6 - MOSFET N-Ch 600V 20,2A 151W 0,19R TO247
    600V CoolMOS™ P6 Power MOSFETFeatures• Increased MOSFET dv/dt ruggedness• Extremely low losses due to very low FOM Rdson*Qg and Eoss• Very high commutation ruggedness• Easy to use/drive• Pb-free plating, Halogen free mold compound• Qualified for industrial grade applications according to JEDEC (J-STD20 and JESD22)ApplicationsPFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching stages for e.g. PC Silverbox, Adapter, LCD & PDP TV, Lighting, Server, Telecom and UPS.
    • Shop: reichelt elektronik
    • Price: 3.10 EUR excl. shipping
  • Thumbnail
    UF3C065040B3 - SiC-Kaskode-FET, 650V, 54A, Rdson 0,042R , D2PAK-3L
    650V SiC-MOSFET-Casecode 42mΩ D2PAK-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs gemeinsam mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-Gate-Drive-SiC-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten, wenn sie mit empfohlenen Snubbern verwendet werden, sowie für alle Anwendungen, die einen Standard-Gateantrieb erfordern.Merkmale:- Typischer On-Widerstand Rds(on) von 42mΩ- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2- Sehr geringe Schaltverluste (erforderliche RC-Snubber-Verluste unter typischen Betriebsbedingungen vernachlässigbar)Typische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladung- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung
    • Shop: reichelt elektronik
    • Price: 20.11 EUR excl. shipping
  • Thumbnail
    UJ3C065030B3S - SiC-Kaskode-FET, 650V, 66A, Rdson 0,027R, D2PAK-3L
    650V SiC-MOSFET-Kaskode 27mUJ3C065030B3S D2PAK-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs zusammen mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-SiC-Gate-Drive-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen, die einen Standard-Gate-Treiber erfordern.Eigenschaften:- Typischer Ein-Widerstand Rds(on) von 27mUJ3C065030B3S- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2Typische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladegeräte- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung
    • Shop: reichelt elektronik
    • Price: 24.28 EUR excl. shipping

Similar searches: