78 Results for : tsop
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IS61WV25616BLL - High-Speed SRAM, 4 Mb (256 K x 16), 3,3 V, 10ns, TSOP-44
Statisches Hochgeschwindigkeits-CMOS-RAM 3,3V 256kx16 10ns TSOP44(II) Beschreibung:Bei den ISSI IS61WV25616Axx/Bxx handelt es sich um statische 4.194.304-Bit-Hochgeschwindigkeits-RAMs, die als 262.144 Worte mal 16 Bit organisiert sind. Sie werden mit der Hochleistungs-CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Dieser äußerst zuverlässige Prozess in Verbindung mit innovativen Schaltungstechniken führt zu hochleistungsfähigen Bauelementen mit geringem Stromverbrauch. Wenn CE auf HIGH (abgewählt) steht, geht das Gerät in einen Standby-Modus über, in dem die Verlustleistung mit CMOS-Eingangspegeln nach unten reduziert werden kann. Eine einfache Speichererweiterung ist durch die Verwendung von Chip Enable- und Output Enable-Eingängen, CE und OE möglich. Der aktive LOW Write Enable (WE) steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen des Speichers. Ein Datenbyte ermöglicht den Zugriff auf Upper Byte (UB) und Lower Byte (LB). Die IS61WV6416DAxx/DBxx werden im JEDEC-Standardgehäuse mit 44-poligem TSOP Typ II, 44-poligem 400-mil SOJ und 48-poligem Mini-BGA (6mm x 8mm) gefertigt.Merkmale:• Hochgeschwindigkeits-Zugriffszeit: 10 ns- Niedrige Wirkleistung: 85 mW (typisch)- Niedrige Standby-Leistung: 7 mW (typisch) CMOS-Standby• Einzel-Stromversorgung Vdd 2,4V bis 3,6V• Vollständig statischer Betrieb: keine Uhr oder Auffrischung erforderlich• Drei Zustandsausgänge• Temperaturunterstützung für Industrie und Automobil• Bleifrei verfügbar• Datenkontrolle für obere und untere Bytes- Shop: reichelt elektronik
- Price: 3.93 EUR excl. shipping
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IS61WV6416DBLL - High-Speed SRAM, 1 Mb (64 K x 16), 3,3 V, 10ns, TSOP-44
Statisches Hochgeschwindigkeits-CMOS-RAM 3,3V 64kx16 10ns TSOP44(II) Beschreibung:Die ISSI IS61WV6416DAxx/DBxx sind statische Hochgeschwindigkeits-RAMs mit 1.048.576 Bit, die als 65.536 Worte mal 16 Bit organisiert sind. Sie werden mit der Hochleistungs-CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Dieser äußerst zuverlässige Prozess in Verbindung mit innovativen Schaltungstechniken führt zu hochleistungsfähigen Bauelementen mit geringem Stromverbrauch. Wenn CE auf HIGH (abgewählt) steht, geht das Gerät in einen Standby-Modus über, in dem die Verlustleistung mit CMOS-Eingangspegeln nach unten reduziert werden kann. Eine einfache Speichererweiterung ist durch die Verwendung von Chip Enable- und Output Enable-Eingängen, CE und OE möglich. Der aktive LOW Write Enable (WE) steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen des Speichers. Ein Datenbyte ermöglicht den Zugriff auf Upper Byte (UB) und Lower Byte (LB). Die IS61WV6416DAxx/DBxx werden im JEDEC-Standardgehäuse mit 44-poligem TSOP Typ II, 44-poligem 400-mil SOJ und 48-poligem Mini-BGA (6mm x 8mm) gefertigt.Merkmale:• Hochgeschwindigkeits-Zugriffszeit: 10 ns• Niedrige Wirkleistung: 135 mW (typisch)• Niedrige Standby-Leistung: 12 µW (typisch) CMOS-Standby• Einzel-Stromversorgung Vdd 2,4V bis 3,6V• Vollständig statischer Betrieb: keine Uhr oder Auffrischung erforderlich• Drei Zustandsausgänge• Temperaturunterstützung für Industrie und Automobil• Bleifrei verfügbar• Datenkontrolle für obere und untere Bytes- Shop: reichelt elektronik
- Price: 3.20 EUR excl. shipping
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IS61C1024AL-12TL - High-Speed SRAM, 1 Mb (128 K x 8), 5 V, 12ns, TSOP-32
High-Speed CMOS Static RAM 5V 128kx8 12ns TSOP32(I)Beschreibung:Die ISSI IS61C1024AL/IS64C1024AL ist ein statisches 8-Bit-CMOS-RAM mit 131.072 Worten bei sehr hoher Geschwindigkeit und geringem Stromverbrauch. Sie werden mit der Hochleistungs-CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Dieser äußerst zuverlässige Prozess in Verbindung mit innovativen Schaltungstechniken führt zu höherer Leistung und Geräten mit niedrigem Stromverbrauch. Wenn CE1 auf HIGH oder CE2 auf LOW (abgewählt) steht, geht das Gerät in einen Standby-Modus, in dem die Verlustleistung durch die Verwendung von CMOS-Eingangspegeln reduziert werden kann. Eine einfache Speichererweiterung ist durch die Verwendung von zwei Chip-Enable-Eingängen, CE1 und CE2, möglich. Der aktive LOW Write Enable (WE) steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen des Speichers. Der IS61C1024AL/IS64C1024AL ist in 32-poligen 300-mil SOJ-, 32-poligen 400-mil SOJ-, 32-poligen TSOP- (Typ I, 8x20) und 32-poligen sTSOP- (Typ I, 8 x 13,4) Gehäusen erhältlich.Merkmale:• Hochgeschwindigkeits-Zugriffszeit: 12, 15 ns• Niedrige Aktivleistung: 160 mW (typisch)• Geringe Standby-Leistung: 1000 µW (typisch) CMOS standby• Ausgangsfreigabe (OE) und Zwei-Chip-Freigabe (CE1 und CE2) Eingänge zur Erleichterung der Anwendung• Vollständig statischer Betrieb: keine Uhr oder Auffrischung erforderlich• TTL-kompatible Ein- und Ausgänge• Einzelne 5V (±10%) Stromversorgung• Kommerzielle, industrielle und automobile Temperaturbereiche verfügbar• Bleifrei verfügbar- Shop: reichelt elektronik
- Price: 3.40 EUR excl. shipping
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CY7C1041GN-10ZSX - High-Speed SRAM, 4 Mb (256 K x 16), 5 V, 10ns, TSOP-44
High-Speed CMOS Static RAM 5V 256k x16 10ns TSOP44(II)Funktionale Beschreibung:CY7C1041GN ist ein schnelles statisches CMOS-Hochleistungs-RAM, das als 256K-Wörter mit 16 Bit organisiert ist. Das Schreiben von Daten erfolgt durch die Aktivierung der Chip Enable (CE)- und Write Enable (WE)-Eingänge LOW, während die Daten auf den Pins I/O0 bis I/O15 und die Adresse auf den Pins A0 bis A17 bereitgestellt werden.Die Eingänge Byte High Enable (BHE) und Byte Low Enable (BLE) steuern Schreiboperationen in die oberen und unteren Bytes der angegebenen Speicherstelle. BHE steuert I/O8 bis I/O15 und BLE steuert I/O0 bis I/O7. Daten werden gelesen, indem die Eingänge Chip Enable (CE) und Output Enable (OE) auf LOW gesetzt werden und die erforderliche Adresse auf den Adressleitungen bereitgestellt wird. Auf die gelesenen Daten kann über die E/A-Leitungen (I/O0 bis I/O15) zugegriffen werden. Byte-Zugriffe können durchgeführt werden, indem das erforderliche Byte-Freigabesignal (BHE oder BLE) aktiviert wird, um entweder das obere oder das untere Byte der Daten von der angegebenen Adressposition zu lesen. Alle E/As (I/O0 bis I/O15) werden während der folgenden Ereignisse in einen hochohmigen Zustand versetzt:- Das Gerät wird abgewählt (CE HIGH)- Die Steuersignale (OE, BLE, BHE) werden deaktiviert.Merkmale:• Hohe Geschwindigkeit: tAA = 10 ns • Niedrige Wirk- und Ruheströme - Wirkstrom: ICC = 38-mA typisch - Standby-Strom: ISB2 = 6-mA typisch• Betriebsspannungsbereich: 4,5 V bis 5,5 V• 1.0-V-Datenspeicherung• TTL-kompatible Ein- und Ausgänge• Pb-freie 44-polige SOJ, 44-polige TSOP II und 48-Ball VFBGA Gehäuse- Shop: reichelt elektronik
- Price: 4.30 EUR excl. shipping
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CY7C1041GN30-10Z - High-Speed SRAM, 4 Mb (256 K x 16), 3,3 V, 10ns, TSOP-44
Statisches Hochgeschwindigkeits-CMOS-RAM 3,3V 256kx16 10ns TSOP44(II)Funktionale BeschreibungCY7C1041GN ist ein schnelles statisches CMOS-Hochleistungs-RAM, das als 256K-Wörter mit 16 Bit organisiert ist. Das Schreiben von Daten erfolgt durch die Aktivierung der Chip Enable (CE)- und Write Enable (WE)-Eingänge LOW, während die Daten auf den Pins I/O0 bis I/O15 und die Adresse auf den Pins A0 bis A17 bereitgestellt werden. Die Eingänge Byte High Enable (BHE) und Byte Low Enable (BLE) steuern Schreiboperationen in die oberen und unteren Bytes der angegebenen Speicherstelle. BHE steuert I/O8 bis I/O15 und BLE steuert I/O0 bis I/O7. Daten werden gelesen, indem die Eingänge Chip Enable (CE) und Output Enable (OE) auf LOW gesetzt werden und die erforderliche Adresse auf den Adressleitungen bereitgestellt wird. Auf die gelesenen Daten kann über die E/A-Leitungen (I/O0 bis I/O15) zugegriffen werden. Byte-Zugriffe können durchgeführt werden, indem das erforderliche Byte-Freigabesignal (BHE oder BLE) aktiviert wird, um entweder das obere oder das untere Byte der Daten von der angegebenen Adressposition zu lesen. Alle E/As (I/O0 bis I/O15) werden während der folgenden Ereignisse in einen hochohmigen Zustand versetzt:• Das Gerät wird abgewählt (CE HIGH)• Die Steuersignale (OE, BLE, BHE) werden deaktiviert.Merkmale• Hohe Geschwindigkeit: taa = 10 ns • Niedrige Wirk- und Ruheströme - Wirkstrom: Icc = 38-mA typisch - Standby-Strom: Isb2 = 6-mA typisch• Betriebsspannungsbereich: 2,2 V bis 3,6 V• 1.0-V-Datenspeicherung• TTL-kompatible Ein- und Ausgänge• Pb-freie 44-polige SOJ, 44-polige TSOP II- Shop: reichelt elektronik
- Price: 3.20 EUR excl. shipping
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CY62148ELL-45ZSX - SRAM, 4 Mb (512 K x 8), 5 V, 45ns, TSOP-32
4-Mbit (512 K × 8) Static RAM, SRAM, 5V 512kx8 45ns TSOP32(II)Beschreibung:Der CY62148E ist ein hochleistungsfähiges statisches CMOS-RAM, das als 512 K-Worte mit 8 Bits organisiert ist. Dieses Bauelement zeichnet sich durch ein fortschrittliches Schaltungsdesign aus, das einen extrem niedrigen Standby-Strom liefert. Dies ist ideal für die Bereitstellung von More Battery Life™ (MoBL) in tragbaren Anwendungen. Das Gerät verfügt auch über eine automatische Abschaltfunktion, die den Stromverbrauch erheblich reduziert, wenn die Adressen nicht umschalten. Wenn das Gerät in den Standby-Modus versetzt wird, verringert sich der Stromverbrauch um mehr als 99%, wenn es abgewählt wird (CE HIGH). Die acht Eingangs- und Ausgangspins (I/O0 bis I/O7) werden in einen hochohmigen Zustand versetzt, wenn der Baustein abgewählt (CE HIGH), Ausgänge deaktiviert (OE HIGH) oder während eines aktiven Schreibvorgangs (CE LOW und WE LOW). Um auf das Gerät zu schreiben, nehmen Sie die Eingänge Chip Enable (CE) und Write Enable (WE) LOW. Die Daten auf den acht I/O-Pins (I/O0 bis I/O7) werden dann an die auf den Adresspins (A0 bis A18) angegebene Stelle geschrieben. Um aus dem Gerät zu lesen, nehmen Sie Chip Enable (CE) und Output Enable (OE) LOW, während Sie Write Enable (WE) HIGH erzwingen. Unter diesen Bedingungen erscheint der Inhalt der durch die Adresspins spezifizierten Speicherstelle auf den E/A-Pins. Der Baustein CY62148E eignet sich für den Anschluss von Prozessoren mit TTL-I/P-Pegeln. Er ist nicht für Prozessoren geeignet, die CMOS I/P-Level benötigen. Merkmale:• Sehr hohe Geschwindigkeit: 45 ns• Spannungsbereich: 4,5 V bis 5,5 V• Pin kompatibel mit CY62148B• Extrem niedrige Standby-Leistung - Typischer Bereitschaftsstrom: 1 µA - Maximaler Standby-Strom: 7 µA (Industrie)• Ultra-niedrige Wirkleistung - Typischer Wirkstrom: 2,0 mA bei f = 1 MHz- Einfache Speichererweiterung mit CE- und OE-Funktionen• Automatische Abschaltung bei Abwahl• Komplementärer Metalloxid-Halbleiter (CMOS) für optimale Geschwindigkeit und Leistung• Verfügbar im Pb-freien 32-Pin Thin Small Outline Package (TSOP) II und 32-polige SOIC-Gehäuse (Small-Outline Integrated Circuit)[1]- Shop: reichelt elektronik
- Price: 4.10 EUR excl. shipping
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CY62128ELL-45ZXI - SRAM, 1 Mb (128 K x 8 ), 5 V, 45ns, TSOP-32
1-Mbit (128K × 8-Bit) Statischer RAM BeschreibungDer CY62128E ist ein hochleistungsfähiger statischer CMOS-RAM, der als 128K-Wörter mit 8 Bit organisiert ist. Dieses Bauelement zeichnet sich durch ein fortschrittliches Schaltungsdesign aus, das einen extrem niedrigen aktiven Strom liefert. Dies ist ideal für die Bereitstellung von More Battery Life™ (MoBL) in tragbaren Anwendungen. Das Gerät verfügt auch über eine automatische Abschaltfunktion, die den Stromverbrauch erheblich reduziert, wenn die Adressen nicht umschalten. Wenn das Gerät in den Standby-Modus versetzt wird, reduziert sich der Stromverbrauch um mehr als 99 Prozent, wenn es abgewählt wird (CE1 HIGH oder CE2 LOW). Die acht Eingangs- und Ausgangspins (I/O0 bis I/O7) werden in einen hochohmigen Zustand versetzt, wenn der Baustein abgewählt wird (CE1 HIGH oder CE2 LOW), die Ausgänge deaktiviert werden (OE HIGH) oder ein Schreibvorgang läuft (CE1 LOW und CE2 HIGH und WE LOW) Um auf den Baustein zu schreiben, nehmen Sie die Eingänge Chip Enable (CE1 LOW und CE2 HIGH) und Write Enable (WE) LOW. Die Daten auf den acht I/O-Pins (I/O0 bis I/O7) werden dann an die auf den Adresspins (A0 bis A16) angegebene Stelle geschrieben. Um aus dem Gerät zu lesen, nehmen Sie Chip Enable (CE1 LOW und CE2 HIGH) und Output Enable (OE) LOW, während Sie Write Enable (WE) HIGH erzwingen. Unter diesen Bedingungen erscheint der Inhalt der durch die Adresspins spezifizierten Speicherstelle auf den E/A-Pins. Der Baustein CY62128E eignet sich für den Anschluss von Prozessoren mit TTL-I/P-Pegeln. Er ist nicht für Prozessoren geeignet, die CMOS I/P-Level benötigen. Weitere Einzelheiten und Alternativvorschläge finden Sie unter Elektrische Kenndaten auf Seite 5.Merkmale• Ultra-niedriger Standby-Strom• Sehr hohe Geschwindigkeit: 45 ns• Temperaturbereiche: Industrie: -40 °C bis +85 °C• Spannungsbereich: 4,5 V bis 5,5 V• Pin kompatibel mit CY62128B• Extrem niedrige Standby-Leistung - Typischer Standby-Strom: 1 A - Maximaler Standby-Strom: 4 A (Industrie)• Ultra-niedrige Wirkleistung - Typischer Wirkstrom: 1,3 mA bei f = 1 MHz• Einfache Speichererweiterung mit CE1, CE2 und OE-Funktionen• Automatisches Ausschalten bei Abwahl• Komplementärer Metalloxid-Halbleiter (CMOS) für optimale Geschwindigkeit und Leistung• Angeboten in standardmäßigen Pb-freien 32-poligen STSOP-, 32-poligen SOIC- und 32-poligen Thin Small Outline Packages (TSOP) Typ I-Gehäusen- Shop: reichelt elektronik
- Price: 2.20 EUR excl. shipping
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CY62158ELL-45ZSX - SRAM, 8 Mb (1 M x 8), 5 V, 45ns, TSOP-44
8-Mbit (1 M × 8) Static RAM, SRAM LLPow as 5V 1Mx8 45ns TSOP44(II)BeschreibungDas CY62158E MoBL® ist ein hochleistungsfähiges statisches CMOS-RAM, das als 1024K Wörter mit 8 Bit organisiert ist. Dieses Bauelement zeichnet sich durch ein fortschrittliches Schaltungsdesign aus, das einen extrem niedrigen aktiven Strom liefert. Dies ist ideal für die Bereitstellung von More Battery Life™ (MoBL) in tragbaren Anwendungen. Das Gerät verfügt außerdem über eine automatische Abschaltfunktion, die den Stromverbrauch erheblich reduziert. Wenn das Gerät in den Standby-Modus versetzt wird, verringert sich der Stromverbrauch bei Abwahl (CE1 HIGH oder CE2 LOW) erheblich. Um auf das Gerät zu schreiben, nehmen Sie Chip Enables (CE1 LOW und CE2 HIGH) und Write Enable (WE) Eingang LOW. Die Daten auf den acht I/O-Pins (I/O0 bis I/O7) werden dann an die auf den Adresspins (A0 bis A19) angegebene Stelle geschrieben. Um aus dem Gerät zu lesen, nehmen Sie Chip Enables (CE1 LOW und CE2 HIGH) und OE LOW, während Sie das WE HIGH erzwingen. Unter diesen Bedingungen erscheint der Inhalt der durch die Adresspins spezifizierten Speicherstelle auf den E/A-Pins. Die acht Eingangs- und Ausgangspins (I/O0 bis I/O7) werden in einen hochohmigen Zustand versetzt, wenn der Baustein abgewählt wird (CE1 HIGH oder CE2 LOW), die Ausgänge deaktiviert werden (OE HIGH) oder ein Schreibvorgang läuft (CE1 LOW und CE2 HIGH und WE LOW). Eine vollständige Beschreibung der Lese- und Schreibmodi finden Sie in der Wahrheitstabelle auf Seite 11. Der Baustein CY62158E eignet sich für den Anschluss von Prozessoren mit TTL-I/P-Pegeln. Er ist nicht für Prozessoren geeignet, die CMOS I/P-Level benötigen. Merkmale• Sehr hohe Geschwindigkeit: 45 ns - Großer Spannungsbereich: 4,5 V-5,5 V• Ultra-niedrige Wirkleistung - Typischer Wirkstrom: 1,8 mA bei f = 1 MHz - Typischer Wirkstrom: 18 mA bei f = fmax• Extrem niedrige Standby-Leistung - Typischer Standby-Strom: 2 A - Maximaler Standby-Strom: 8 A• Einfache Speichererweiterung mit CE1, CE2 und OE-Funktionen• Automatisches Ausschalten bei Abwahl• CMOS für optimale Geschwindigkeit und Leistung• Wird im Pb-freien 44-poligen TSOP II-Paket angeboten- Shop: reichelt elektronik
- Price: 12.75 EUR excl. shipping