568 Results for : 220ab

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    IRFBC 30 - MOSFET, N-Kanal, 600 V, 3,6 A, RDS(on) 2,2 Ohm, TO-220AB
    IRFBC30, Leistungs-MOSFETBeschreibung:Die dritte Generation der Leistungs-MOSFETs von Vishay bietet dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Design, niedrigem On-Widerstand und Kosteneffizienz. Das TO-220AB-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziell-industriellen Anwendungen bei Verlustleistungen bis zu ca. 50 W bevorzugt. Der niedrige Wärmewiderstand und die niedrigen Gehäusekosten des TO-220AB tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei.Merkmale:• Dynamische dV/dt-Bewertung• Repetitive Avalanche-Bewertung• Schnelles Schalten• Einfache Parallelisierung• Einfache Antriebsanforderungen• Konform mit der RoHS-Richtlinie 2002/95/EC
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    IRF 520 - MOSFET, N-CH, 100 V, 9,2 A, RDS(on) 0,27 Ohm, TO-220AB
    IRF520, Leistungs-MOSFETBeschreibung:Die Power-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem On-Widerstand und Kosteneffizienz. Das TO-220AB-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziell-industriellen Anwendungen bei Verlustleistungen bis ca. 50 W bevorzugt. Der niedrige Wärmewiderstand und die niedrigen Gehäusekosten des TO-220AB tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei.Merkmale:• Dynamische dV/dt-Bewertung• Repetitive Avalanche • 175 °C Betriebstemperatur• Schnelles Schalten• Einfaches Parallelisieren• Einfache Antriebsanforderungen• Konform zur RoHS-Richtlinie 2002/95/EC
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    IRF 640 VIS - MOSFET, N-Kanal, 200 V, 18 A, RDS(on) 0,18 Ohm, TO-220AB
    Leistungs-MOSFETBeschreibung:Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem On-Widerstand und Kosteneffizienz. Das TO-220AB-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziell-industriellen Anwendungen bei Verlustleistungen bis ca. 50 W bevorzugt. Der niedrige Wärmewiderstand und die geringen Gehäusekosten des TO-220AB tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei.Merkmale:• Dynamische dV/dt-Bewertung• Repetitive Avalanche-Bewertung• Schnelles Schalten• Einfache Parallelisierung• Einfache Antriebsanforderungen• Materialkategorisierung: für Definitionen der Konformität siehe www.vishay.com
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    IRLZ 14 VIS - MOSFET, N-Kanal, 60 V, 10 A, RDS(on) 0,2 Ohm, TO-220AB
    IRLZ14, Leistungs-MOSFETBeschreibungLeistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem On-Widerstand und Kosteneffizienz. Das TO-220AB-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziell-industriellen Anwendungen bei Verlustleistungen bis ca. 50 W bevorzugt. Der niedrige thermische Widerstand und die geringen Gehäusekosten des TO-220AB tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei.Merkmale• Dynamischer dV/dt-Wert• Logic-Level Gate Drive• RDS(on) spezifiziert bei VGS = 4 V und 5 V• 175 °C Betriebstemperatur• Schnelles Schalten• Einfaches Parallelisieren• Einfache Antriebsanforderungen• Konform zur RoHS-Richtlinie 2002/95/EG
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    MBRF20L100CT - Dual-Low VF-Schottkydiode, 100V, 2x10 A, ITO-220AB
    Merkmale:- Geringe Verlustleistung, hoher Wirkungsgrad- Hohe Stromfähigkeit, geringer Vorwärtsspannungsabfall - Das verwendete Kunststoffmaterial trägt die UL-Klassifikation 94V-0.- Hohe Stoßstromfähigkeit- Qualifiziert nach AEC-Q101- Schutzring für Transientenschutz- Für den Einsatz in Niederspannungs-, Hochfrequenz-, Freilauf- und Verpolungsschutzanwendungen.- Hochtemperaturlöten garantiert: 260°/10s/.375''(9.5mm) Mechanische Daten- Gehäuse: ITO-220AB- Anschlüsse: Rein verzinnte Leitungen, lötbar nach MIL-STD-202, Verfahren 208 garantiert- Polarität: Wie markiert- Montagedrehmoment: 5 In-Lbs. max.
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    MBRF20L120CT - Dual-Low VF-Schottkydiode, 120V, 2x10 A, ITO-220AB
    Merkmale:- Geringe Verlustleistung, hoher Wirkungsgrad- Hohe Stromfähigkeit, geringer Vorwärtsspannungsabfall - Das verwendete Kunststoffmaterial trägt die UL-Klassifikation 94V-0.- Hohe Stoßstromfähigkeit- Qualifiziert nach AEC-Q101- Schutzring für Transientenschutz- Für den Einsatz in Niederspannungs-, Hochfrequenz-, Freilauf- und Verpolungsschutzanwendungen.- Hochtemperaturlöten garantiert: 260°/10s/.375''(9.5mm) Mechanische Daten- Gehäuse: ITO-220AB- Anschlüsse: Rein verzinnte Leitungen, lötbar nach MIL-STD-202, Verfahren 208 garantiert- Polarität: Wie markiert- Montagedrehmoment: 5 In-Lbs. max.
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    MBRF30L120CT - Dual-Low VF-Schottkydiode, 120V, 2x15 A, ITO-220AB
    Merkmale:- Geringe Verlustleistung, hoher Wirkungsgrad- Hohe Stromfähigkeit, geringer Vorwärtsspannungsabfall - Das verwendete Kunststoffmaterial trägt die UL-Klassifikation 94V-0.- Hohe Stoßstromfähigkeit- Qualifiziert nach AEC-Q101- Schutzring für Transientenschutz- Für den Einsatz in Niederspannungs-, Hochfrequenz-, Freilauf- und Verpolungsschutzanwendungen.- Hochtemperaturlöten garantiert: 260°/10s/.375''(9.5mm) Mechanische Daten- Gehäuse: ITO-220AB- Anschlüsse: Rein verzinnte Leitungen, lötbar nach MIL-STD-202, Verfahren 208 garantiert- Polarität: Wie markiert- Montagedrehmoment: 5 In-Lbs. max.
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    MBRF30L45CT - Dual-Low VF-Schottkydiode, 45V, 2x15 A, ITO-220AB
    Merkmale:- Geringe Verlustleistung, hoher Wirkungsgrad- Hohe Stromfähigkeit, geringer Vorwärtsspannungsabfall - Das verwendete Kunststoffmaterial trägt die UL-Klassifikation 94V-0.- Hohe Stoßstromfähigkeit- Qualifiziert nach AEC-Q101- Schutzring für Transientenschutz- Für den Einsatz in Niederspannungs-, Hochfrequenz-, Freilauf- und Verpolungsschutzanwendungen.- Hochtemperaturlöten garantiert: 260°/10s/.375''(9.5mm) Mechanische Daten- Gehäuse: ITO-220AB- Anschlüsse: Rein verzinnte Leitungen, lötbar nach MIL-STD-202, Verfahren 208 garantiert- Polarität: Wie markiert- Montagedrehmoment: 5 In-Lbs. max.
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    MCR25MG - Thyristor, 600 V, 25 A, TO-220AB
    ThyristorenTHT > 600V > MCR25MG, TO-220ABBeschreibung:Entwickelt in erster Linie für Halbwellen-Wechselstromregelungsanwendungen, wie z.B. Motorsteuerungen, Heizungssteuerungen und Stromversorgungen, oder überall dort, wo Halbwellen-, Silizium-Gate-gesteuerte Geräte benötigt werden.Merkmale:- Sperrspannung 600 Volt- Einschaltstrom von 25 Ampere RMS- Hohe Stoßstrombelastbarkeit - 300 Ampere- Robustes, kostengünstiges TO-220AB-Paket- Glaspassivierte Verbindungen für Zuverlässigkeit und Gleichmäßigkeit- Mindest- und Höchstwerte von IGT, VGT und IH zur Erleichterung der Konstruktion festgelegt• Hohe Immunität gegen dv/dt - 100 V/sec Minimum bei 125°C• Dies sind Pb-freie Geräte
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    MBRF 10L100CT - Dual-Low VF-Schottkydiode, 100V, 2x5 A, ITO-220AB
    Merkmale:- Geringe Verlustleistung, hoher Wirkungsgrad- Hohe Stromfähigkeit, geringer Vorwärtsspannungsabfall - Das verwendete Kunststoffmaterial trägt die UL-Klassifikation 94V-0.- Hohe Stoßstromfähigkeit- Qualifiziert nach AEC-Q101- Schutzring für Transientenschutz- Für den Einsatz in Niederspannungs-, Hochfrequenz-, Freilauf- und Verpolungsschutzanwendungen.- Hochtemperaturlöten garantiert: 260°/10s/.375''(9.5mm) Mechanische Daten- Gehäuse: ITO-220AB- Anschlüsse: Rein verzinnte Leitungen, lötbar nach MIL-STD-202, Verfahren 208 garantiert- Polarität: Wie markiert- Montagedrehmoment: 5 In-Lbs. max.
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