144 Results for : hbm

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    IRL 81 A Radiale Seitenansicht, Hochleistungs-Infrarot-Emitter (850 nm)Merkmale:• Verpackung: klares Epoxidharz• ESD: 2 kV nach ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Klasse 2)• Hochleistungs-Infrarot-LED• Pinkes Kunststoffpaket mit seitlicher Emission• Kurze Schaltzeiten• Entspricht Fototransistor LPT 80 AAnwendungen• Industrielle Automatisierung (Maschinensteuerungen, LichtBarrieren, Sichtkontrollen)• Weiße Ware
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    BPW 34 DIL Silizium-PIN-FotodiodeMerkmale:- Paket: Epoxidharz, diffus- Korrosionsrobustheitsklasse: 3B- ESD: 2 kV nach ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Klasse 2)- Besonders geeignet für Anwendungen von 400 nm bis 1100 nm- Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)- DIL-Kunststoffgehäuse mit hoher PackungsdichteAnwendung: - Elektronische Ausrüstung- Industrielle Automatisierung (Maschinensteuerungen, Lichtschranken, Vision-Steuerungen)
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    74AHC1GU04 , InverterBeschreibungDer 74AHC1GU04 ist ein High-Speed-Si-Gate-CMOS-Baustein.Er bietet eine invertierende einstufige Funktion.Merkmale• Symmetrische Ausgangsimpedanz• Hohe Rauschunempfindlichkeit• Geringe Verlustleistung• Ausgeglichene Ausbreitungsverzögerungen• ESD-Schutz:- HBM JESD22-A114E: überschreitet 2000 V- MM JESD22-A115-A: übersteigt 200 V- CDM JESD22-C101C: übersteigt 1000 V• Spezifiziert von -40 °C bis +125 °C
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    LPT 80 A , Radialer NPN-Fototransistor aus Silizium, Side-ViewMerkmale:• Gehäuse: klares Epoxidharz• ESD: 2 kV nach ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Klasse 2)• Spektralbereich der Empfindlichkeit: (typ) 450 ... 1100 nm• Hohe Lichtempfindlichkeit• Gleiches Gehäuse wie der IR-Sender IRL 81 AApplikationen:• Elektronische Ausrüstung• Highbay Industrial• Industrielle Automatisierung (Maschinensteuerungen, Lichtschranken, Vision-Steuerungen)• Weiße Ware
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    BPW 34 FSSilizium-PIN-Fotodiode mit Tageslicht-SperrfilterMerkmale:• Verpackung: schwarzes Epoxidharz• Korrosionsrobustheitsklasse: 3B• ESD: 2 kV nach ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Klasse 2)• Besonders geeignet für Anwendungen von 780 nm bis 1100 nm• Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)• SMT-Kunststoffgehäuse mit hoher Packungsdichte• Geeignet für Reflow-LötenAnwendung: • Elektronische Ausrüstung• Industrielle Automatisierung (Maschinensteuerungen, Lichtschranken, Vision-Steuerungen)• Mess-Nivellierung
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    Metal Can® TO18, NPN-Fototransistor aus SiliziumMerkmale:• Gehäuse: hermetisch verschlossen• ESD: 2 kV nach ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Klasse 2)• Spektralbereich der Empfindlichkeit: (typ) 450 ... 1100 nm• Hermetisch versiegelte Metalldosenverpackung (TO-18), geeignet bis 125 °C• Basisanschluss• Hohe Linearität• Verfügbar in Gruppen• Geeignet bis zu 125 °CAnwendungen:• Industrielle Automatisierung (Maschinensteuerungen, Lichtschranken, Vision-Steuerungen)
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    LW Q38GMerkmale:• Gehäusetyp: SMT Gehäuse 0603, farbiger diffuser Verguss• Abstrahlwinkel bei 50 % IV: 150° (horizontal); 130° (vertical)• Farbe: Cx = 0.30, Cy = 0.28 nach CIE 1931 (weiß); CTR = 8200 K• Optischer Wirkungsgrad (typ.): 36 lm/W (weiß)• ESD - Festigkeit: bis 2 kV nach ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM)Anwendungen:• Hinterleuchtung• Spielsachen• Signal- und Symbolleuchten• Schalter und Taster
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    Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslicht-Sperrfilter, radiale Side-ViewMerkmale:• Verpackung: schwarzes Epoxidharz• ESD: 2 kV nach ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Klasse 2)• Besonders geeignet für Anwendungen bei 950 nm• Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)• 5 mm LED-Kunststoffgehäuse• Auch auf Band und Spule erhältlichAnwendungen• Elektronische Ausrüstung• Highbay Industrial• Industrielle Automatisierung (Maschinensteuerungen, Lichtschranken, Vision-Steuerungen)• Rauchmelder• Weiße Ware
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    Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslicht-Sperrfilter, radiale Side-ViewMerkmale:• Verpackung: schwarzes Epoxidharz• ESD: 2 kV nach ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Klasse 2)• Besonders geeignet für Anwendungen bei 880 nm• Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)• 5 mm LED-Kunststoffgehäuse• Auch auf Band und Spule erhältlichAnwendungen• Elektronische Ausrüstung• Highbay Industrial• Industrielle Automatisierung (Maschinensteuerungen, Lichtschranken, Vision-Steuerungen)• Rauchmelder• Weiße Ware
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    Radialer Mini-Sidelooker, Silizium-NPN-Fototransistor mit Tageslicht-SperrfilterMerkmale:• Verpackung: schwarzes Epoxidharz• ESD: 2 kV nach ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Klasse 2)• Spektralbereich der Empfindlichkeit: (typ) 850 ... 1100 nm• Enger halber Winkel• Kleine Umrissabmessungen• Gleiches Paket wie IRED SFH 4141• Hoher Kopplungsfaktor in Lichtschranken mit SFH 4141• Einfache Identifizierung von SFH 3100 F (schwarze Verpackung) und SFH 4141 (durchsichtige Verpackung)Anwendungen:• Industrielle Automatisierung (Maschinensteuerungen, Licht Barrieren, Sichtkontrollen)
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