62 Results for : rdson

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    UJ3C065080B3S - SiC-Kaskode-FET, 650V, 25A, Rdson 0,08R , D2PAK-3L
    650V SiC-MOSFET-Kaskode 80mΩ D2PAK-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs zusammen mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-SiC-Gate-Drive-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen, die einen Standard-Gate-Treiber erfordern.Eigenschaften:- Typischer Ein-Widerstand Rds(on) von 80mR- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2Typische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladegeräte- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung
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    L6230PD - 3-Phasen-DMOS-Treiber für BLDC-Motor, 08-52 V, 1,4 A, PowerSO-36
    Der L6230 ist ein vollintegrierter 3-Phasen Motortreiber, der für die FOC-Applikation (Vector-Control) optimiert wurde. Der Chip wurde in MultiPower-BCD-Technologie realisiert und vereint isolierte DMOS-Leistungstransistoren mit CMOS und bipolaren Schaltungen. Ein unbelegter Komparator mit Open-Drain-Output ist verfügbar. • Versorgungsspannung von 8-52 V• 2,8 A Spitzenstrom• RDSon 0,73 Ohm bei 25 °C• bis zu 100 kHZ Schaltfrequenz• nicht-dissipativer Übersstromschutz• unbelegter Komparator• Kreuzleitungsschutz• thermischer Überlastschutz• Unterspannungsschutz• integrierte Schnellfrequenz-FreilaufdiodenTypische Anwendung• BLDC Motoren• sunusförmiger oder Sechsschrittbetrieb• FOC-Betrieb (Vector Control)
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    L6235PD - 3-Phasen-DMOS-Treiber für BLDC-Motor, 12-52 V, 2,8 A, PowerSO-36
    Der L6235 ist ein vollintegrierter 3-Phasen DC-Motortreiber (BLDC) auf DMOS-Basis mit Überstromschutzeinrichtung. Der Chip wurde in MultiPower-BCD-Technologie realisiert und vereint isolierte DMOS-Leistungstransistoren mit CMOS und bipolaren Schaltungen. Der Baustein bietet einen Constant-Off-Cycle-Current-Controller und Dekodierungslogik für referenzbezogene Hall-Effekt-Sensoren.• Versorgungsspannung von 8-52 V• 5,6 A Spitzenstrom• RDSon 0,3 Ohm bei 25 °C• bis zu 100 kHZ Schaltfrequenz• Constant-Off-Cycle-Current-Controller• 60° und 120° Hall-Effektdekodierungslogik• Kreuzleitungsschutz• Bremsfunktion• Tachometer-Output• thermischer Überlastschutz• integrierte Schnellfrequenz-Freilaufdioden
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    UF3C120040K3S - SiC-Kaskode-FET, 1200V, 65A, Rdson 0,035R , TO-247-3L
    1200V SiC-MOSFET-Casecode 35mΩ TO-247-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs gemeinsam mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-Gate-Drive-SiC-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten, wenn sie mit empfohlenen Snubbern verwendet werden, sowie für alle Anwendungen, die einen Standard-Gateantrieb erfordern.Merkmale:- Typischer On-Widerstand Rds(on) von 35mΩ- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2- Sehr geringe Schaltverluste (erforderliche RC-Snubber-Verluste unter typischen Betriebsbedingungen vernachlässigbar)Typische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladung- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung
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    UF3C120040K4S - SiC-Kaskode-FET, 1200V, 65A, Rdson 0,035R TO-247-4L
    1200V SiC-MOSFET-Kaskode 35mR TO-247-4LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre schnellen F3-SiC-Hochleistungs-JFETs mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-SiC-Gate-Drive-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist sehr schnelle Schaltvorgänge unter Verwendung eines TO-247-Gehäuses mit 4 Anschlüssen und die besten Reverse-Recovery-Eigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen, die einen Standard-Gate-Speicher erfordern.Merkmale:- Typischer On-Widerstand Rds(on) von 35mR- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2- TO-247-4L-Gehäuse für schnelleres Schalten, saubere Gate-SignalformenTypische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladung- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung
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    UJ3C065030K3S - SiC-Kaskode-FET, 650V, 85A, Rdson 0,027R , TO-247-3L
    650V SiC-MOSFET-Kaskode 27mΩ TO-247-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs zusammen mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-SiC-Gate-Drive-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen, die einen Standard-Gate-Treiber erfordern.Eigenschaften:- Typischer Ein-Widerstand Rds(on) von 27mΩ- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2Typische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladegeräte- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung
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    UJ3C065030T3S - SiC-Kaskode-FET, 650V, 85A, Rdson 0,027R , TO-220-3L
    650V SiC-MOSFET-Kaskode 27mΩ TO-220-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs zusammen mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-SiC-Gate-Drive-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen, die einen Standard-Gate-Treiber erfordern.Eigenschaften:- Typischer Ein-Widerstand Rds(on) von 27mΩ- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2Typische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladegeräte- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung
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    UF3C065080K4S - SiC-Kaskode-FET, 650V, 31A, Rdson 0,08R TO-247-4L
    650V SiC-MOSFET-Kaskode 80mR TO-247-4LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre schnellen F3-SiC-Hochleistungs-JFETs mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-SiC-Gate-Drive-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist sehr schnelle Schaltvorgänge unter Verwendung eines TO-247-Gehäuses mit 4 Anschlüssen und die besten Reverse-Recovery-Eigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen, die einen Standard-Gate-Speicher erfordern.Merkmale:- Typischer On-Widerstand Rds(on) von 80mR- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2- TO-247-4L-Gehäuse für schnelleres Schalten, saubere Gate-SignalformenTypische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladung- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung
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    UJ3C065080T3S - SiC-Kaskode-FET, 650V, 31A, Rdson 0,08R , TO-220-3L
    650V SiC-MOSFET-Kaskode 80mΩ TO-220-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs zusammen mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-SiC-Gate-Drive-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen, die einen Standard-Gate-Treiber erfordern.Eigenschaften:- Typischer Ein-Widerstand Rds(on) von 80mΩ- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2Typische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladegeräte- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung
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    UF3C065030K3S - SiC-Kaskode-FET, 650V, 85A, Rdson 0,027R TO-247-3L
    650V SiC-MOSFET-Casecode 27mR TO-247-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs gemeinsam mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-Gate-Drive-SiC-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten, wenn sie mit empfohlenen Snubbern verwendet werden, sowie für alle Anwendungen, die einen Standard-Gateantrieb erfordern.Merkmale:- Typischer On-Widerstand Rds(on) von 27mR- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2- Sehr geringe Schaltverluste (erforderliche RC-Snubber-Verluste unter typischen Betriebsbedingungen vernachlässigbar)Typische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladung- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung
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