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IKW30N65H5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 55A, 188W, TO-247

IKW30N65H5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination mit der schnellen und weichen antiparallelen Diode RAPID 1Merkmale und Vorteile:• Hochgeschwindigkeits-H5 TRENCHSTOP™ Technologieangebot• Klassenbester Wirkungsgrad bei hartem Schalten und Resonanztopologien• Plug-and-Play-Ersatz für IGBTs der vorherigen Generation• 650V Durchbruchspannung• Niedrige Gate-Ladung QG• IGBT mit schneller und weicher antiparalleler Diode RAPID 1• maximale Sperrschichttemperatur 175°C• nach JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert• Pb-freie Verbleiung, halogenfreie Formmasse, RoHS-konform• Vollständiges Produktspektrum und PSpice-Modelle: http://www.infineon.com/igbt/Anwendungen:• Solar-Umrichter• unterbrechungsfreie Stromversorgungen• Schweißkonverter• Schaltfrequenzwandler für den mittleren bis hohen Bereich

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IKW40N65H5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 74A, 255W, TO-247-3

IKW40N65H5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination mit der schnellen und weichen antiparallelen Diode RAPID 1Merkmale und Vorteile:• Hochgeschwindigkeits-H5 TRENCHSTOP™ Technologieangebot• Klassenbester Wirkungsgrad bei hartem Schalten und Resonanztopologien• Plug-and-Play-Ersatz für IGBTs der vorherigen Generation• 650V Durchbruchspannung• Niedrige Gate-Ladung QG• IGBT mit schneller und weicher antiparalleler Diode RAPID 1• maximale Sperrschichttemperatur 175°C• nach JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert• Pb-freie Verbleiung, halogenfreie Formmasse, RoHS-konform• Vollständiges Produktspektrum und PSpice-Modelle: http://www.infineon.com/igbt/Anwendungen:• Solar-Umrichter• unterbrechungsfreie Stromversorgungen• Schweißkonverter• Schaltfrequenzwandler für den mittleren bis hohen Bereich

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IKW50N65H5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 80A, 305W, TO-247-3

IKW50N65H5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination mit der schnellen und weichen antiparallelen Diode RAPID 1Merkmale und Vorteile:• Hochgeschwindigkeits-H5 TRENCHSTOP™ Technologieangebot• Klassenbester Wirkungsgrad bei hartem Schalten und Resonanztopologien• Plug-and-Play-Ersatz für IGBTs der vorherigen Generation• 650V Durchbruchspannung• Niedrige Gate-Ladung QG• IGBT mit schneller und weicher antiparalleler Diode RAPID 1• maximale Sperrschichttemperatur 175°C• nach JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert• Pb-freie Verbleiung, halogenfreie Formmasse, RoHS-konform• Vollständiges Produktspektrum und PSpice-Modelle: http://www.infineon.com/igbt/Anwendungen:• Solar-Umrichter• unterbrechungsfreie Stromversorgungen• Schweißkonverter• Schaltfrequenzwandler für den mittleren bis hohen Bereich

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FMMT 720 TA - Bipolartransistor, PNP, -40V, -1,5A, 0,625W, SOT-23

40V PNP-Silizium-Transistor mit niedriger Sättigung , SOT23Merkmale:• BVceo > -40V• Ic = -1,5A Dauer-Kollektorstrom• Icm = -4A Impulsspitzenstrom• 625mW Verlustleistung• Niedrige Sättigungsspannung Vce(sat) < -220mV @ -1A• hFE charakterisiert bis zu -3A für hohe Stromverstärkungsüberbrückung• Komplementärer NPN-Typ: FMMT619• Völlig bleifrei & vollständig RoHS-konform • Halogen- und antimonfrei. ''Grünes'' Gerät • Qualifiziert nach AEC-Q101 Standards für hohe Zuverlässigkeit• PPAP-fähig Mechanische Daten:• Gehäuse: SOT23• Gehäusematerial: geformter Kunststoff, ''grüne'' Formmasse• UL-Klassifizierung der Entflammbarkeitsklasse 94V-0• Feuchtigkeitsempfindlichkeit: Stufe 1 pro J-STD-020• Terminals: Oberfläche - Mattverzinnte Leitungen, lötbar nach MIL-STD-202, Methode 208• Gewicht 0,008 Gramm (ungefähr)Anwendung:• MOSFET / IGBT-Gate Ansteuerung• DC-DC-Wandler• Ladeschaltung• Leistungsschalter

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BCV46TA - PNP-Darlington-Transistor, -60 V, -0,5 A, hFE >10k, SOT-23

BCV46, 60V PNP DARLINGTON TRANSISTOR IN SOT23Merkmale:• BVCEO > -60V• Darlington-Transistor hFE > 10k @ 100mA für hohe Verstärkung• IC = -500mA hoher kontinuierlicher Kollektorstrom• Komplementärer Darlington PNP-Typ: BCV47• Völlig bleifrei und vollständig RoHS-konform (Anmerkungen 1 und 2)• Halogen- und antimonfrei. ''Grünes'' Bauteil (Anmerkung 3)• Qualifiziert nach AEC-Q101 Standards für hohe Zuverlässigkeit• PPAP-fähig (Anmerkung 4)Mechanische Daten:• Gehäuse: SOT23• Gehäusematerial: geformter Kunststoff, ''grüne'' Formmasse• UL-Entflammbarkeitsklassifizierung: 94V-0• Feuchtigkeitsempfindlichkeit: Stufe 1 nach J-STD-020• Anschlussklemmen: Oberfläche - matt verzinnte Litzen, lötbar nach MIL-STD-202, Methode 208• Gewicht: 0,008 Gramm (ungefähr)Lieferung in kompletter Industrieverpackung (7-Zoll-Rolle a 3000 Stück) möglich, sprechen sie mit unserer Angebotsabteilung!

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IKZ75N65EH5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 90A, 395W, TO-247-4

IKZ75N65EH5650V Hochgeschwindigkeits-5 IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination mit der schnellen und weichen antiparallelen Diode RAPID 1Merkmale und Vorteile:• Hochgeschwindigkeits-H5 TRENCHSTOP™ Technologieangebot• Extrem verlustarmes Schalten dank des Kelvin-Emitterpins inKombination mit TRENCHSTOPTM 5• Klassenbester Wirkungsgrad bei hartem Schalten und Resonanztopologien• Plug-and-Play-Ersatz für IGBTs der vorherigen Generation• 650V Durchbruchspannung• Niedrige Gate-Ladung QG• IGBT mit schneller und weicher antiparalleler Diode RAPID 1• maximale Sperrschichttemperatur 175°C• nach JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert• Pb-freie Verbleiung, halogenfreie Formmasse, RoHS-konform• Vollständiges Produktspektrum und PSpice-Modelle: http://www.infineon.com/igbt/Anwendungen:• Solar-Umrichter• unterbrechungsfreie Stromversorgungen• Schweißkonverter• Schaltfrequenzwandler für den mittleren bis hohen Bereich

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FMMT 619 TA - Bipolartransistor, NPN, 50V, 2A, 0,625W, SOT-23

50V NPN Silizium-Transistor mit niedriger Sättigung , SOT23Merkmale:• BVceo > 50V• Ic = 2A Kontinuierlicher Kollektorstrom• 625mW Verlustleistung• Niedrige Sättigungsspannung Vce(sat) < 200mV @ 1A• Rce(sat) = 68mO für einen niedrigen äquivalenten On-Widerstand• hFE charakterisiert bis zu 6A für hohe Stromverstärkungsüberbrückung• Komplementärer PNP-Typ: FMMT720• Völlig bleifrei & vollständig RoHS-konform • Halogen- und antimonfrei.''Grünes'' Gerät • Qualifiziert nach AEC-Q101 Standards für hohe Zuverlässigkeit• PPAP-fähig (Anmerkung 4)Mechanische Daten:• Gehäuse: SOT23• Gehäusematerial: geformter Kunststoff, ''grüne'' Formmasse• UL-Klassifizierung der Entflammbarkeitsklasse 94V-0• Feuchtigkeitsempfindlichkeit: Stufe 1 pro J-STD-020• Anschlüsse:Oberfläche - Mattverzinnte Leitungen, lötbar nach MIL-STD-202, Methode 208• Gewicht 0,008 Gramm (ungefähr)Applikation:• MOSFET-Gate-Ansteuerung• DC-DC/DC-AC-Wandler• Regulierung• LED-Treiber• Motor-Steuerung

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SMDJ100A - TVS-Diode, unidirektional, 100 V, 3000 W, DO-214AB / SMC

TVS-Diode, 3000W, SMD DO-214AB (SMC)Merkmale:• Ideal für die automatische Platzierung• Passivierter Glasübergang• Hervorragende Spannfähigkeit• Schnelle Reaktionszeit: Typischerweise weniger als 1,0 ps• Konform mit der RoHS-Richtlinie 2011/65/EU und in Übereinstimmung mit WEEE 2002/96/EC• Halogenfrei nach IEC 61249-2-21Applikation:• Immunisierung empfindlicher Bauelemente in der Automobil-, Telekommunikations-, Unterhaltungselektronik und Industrieausrüstung gegen elektrostatische Entladung (ESD) und durch Lastschaltung und Blitzschlag induzierte transiente Spannungen.Mechanische Daten• Case:DO-214AB (SMC)• Formmasse erfüllt die Brennbarkeitsklasse UL 94V-0• Verpackungscode mit Suffix ''G'' bedeutet grüne Verbindung (halogenfrei)• Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe: Stufe 1, nach J-STD-020• Terminal:Matte Verzinnte Leitungen, lötbar nach J-STD-002• Treffen Sie JESD 201 Klasse 2 Whisker-Test• Polarity:wie markiert• Weight: 0,29 g (ungefähr)

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SMDJ10A - TVS-Diode, unidirektional, 10 V, 3000 W, DO-214AB / SMC

TVS-Diode, 3000W, SMD DO-214AB (SMC)Merkmale:• Ideal für die automatische Platzierung• Passivierter Glasübergang• Hervorragende Spannfähigkeit• Schnelle Reaktionszeit: Typischerweise weniger als 1,0 ps• Konform mit der RoHS-Richtlinie 2011/65/EU und in Übereinstimmung mit WEEE 2002/96/EC• Halogenfrei nach IEC 61249-2-21Applikation:• Immunisierung empfindlicher Bauelemente in der Automobil-, Telekommunikations-, Unterhaltungselektronik und Industrieausrüstung gegen elektrostatische Entladung (ESD) und durch Lastschaltung und Blitzschlag induzierte transiente Spannungen.Mechanische Daten• Case:DO-214AB (SMC)• Formmasse erfüllt die Brennbarkeitsklasse UL 94V-0• Verpackungscode mit Suffix ''G'' bedeutet grüne Verbindung (halogenfrei)• Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe: Stufe 1, nach J-STD-020• Terminal:Matte Verzinnte Leitungen, lötbar nach J-STD-002• Treffen Sie JESD 201 Klasse 2 Whisker-Test• Polarity:wie markiert• Weight: 0,29 g (ungefähr)

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SMDJ10CA - TVS-Diode, bidirektional, 10 V, 3000 W, DO-214AB / SMC

TVS-Diode, 3000W, SMD DO-214AB (SMC)Merkmale:• Ideal für die automatische Platzierung• Passivierter Glasübergang• Hervorragende Spannfähigkeit• Schnelle Reaktionszeit: Typischerweise weniger als 1,0 ps• Konform mit der RoHS-Richtlinie 2011/65/EU und in Übereinstimmung mit WEEE 2002/96/EC• Halogenfrei nach IEC 61249-2-21Applikation:• Immunisierung empfindlicher Bauelemente in der Automobil-, Telekommunikations-, Unterhaltungselektronik und Industrieausrüstung gegen elektrostatische Entladung (ESD) und durch Lastschaltung und Blitzschlag induzierte transiente Spannungen.Mechanische Daten• Case:DO-214AB (SMC)• Formmasse erfüllt die Brennbarkeitsklasse UL 94V-0• Verpackungscode mit Suffix ''G'' bedeutet grüne Verbindung (halogenfrei)• Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe: Stufe 1, nach J-STD-020• Terminal:Matte Verzinnte Leitungen, lötbar nach J-STD-002• Treffen Sie JESD 201 Klasse 2 Whisker-Test• Polarity:wie markiert• Weight: 0,29 g (ungefähr)

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