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  IDH05SG60C - SiC-Schottkydiode, 600V, 5A, TO220AC

  thinQ!tm SiC Schottky Diode der dritten GenerationMerkmale• revolutionäres Halbleitermaterial - Siliziumkarbid• herausragendes Schaltverhalten• keine Rückwärtswiederherstellung / keine Vorwärtswiederherstellung• positiver Temperaturkoeffizient• hohe Stoßstromfestigkeit• bleifreie Verbleiung; RoHS-konform• qualifiziert nach JEDEC• Durchschlagsspannung geprüft bei 20mA2)• optimiert für den HochtemperaturbetriebthinQ! 3G Diode, entwickelt für schnelle Schaltanwendungen wie:• SMPS z.B.; CCM PFC• Motorantriebe; Solaranwendungen; USV

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  IDH06SG60C - SiC-Schottkydiode, 600V, 6A, TO220AC

  thinQ!tm SiC Schottky Diode der dritten GenerationMerkmale• revolutionäres Halbleitermaterial - Siliziumkarbid• herausragendes Schaltverhalten• keine Rückwärtswiederherstellung / keine Vorwärtswiederherstellung• positiver Temperaturkoeffizient• hohe Stoßstromfestigkeit• bleifreie Verbleiung; RoHS-konform• qualifiziert nach JEDEC• Durchschlagsspannung geprüft bei 20mA2)• optimiert für den HochtemperaturbetriebthinQ! 3G Diode, entwickelt für schnelle Schaltanwendungen wie:• SMPS z.B.; CCM PFC• Motorantriebe; Solaranwendungen; USV

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  IDH09G65C5 - SiC-Schottkydiode, 650V, 9A, TO220AC

  5. Generation thinQ!™ SiC Schottky DiodeDie 5. Generation ThinQ!™ repräsentiert die Spitzentechnologie von Infineon für die SiC Schottky Barrieredioden. Das bereits mit G3 eingeführte Infineon-eigene Diffusionslötverfahren wird nun mit einem neuen, kompakteren Design und einer Dünnwafer-Technologie kombiniert. Das Ergebnis ist eine neue Produktfamilie mit verbessertem Wirkungsgrad über alle Lastbedingungen, die sowohl auf die verbesserten thermischen Eigenschaften als auch auf einen niedrigeren Leistungswert (Qc x Vf) zurückzuführen ist. Die neue thinQ!™ Generation 5 wurde als Ergänzung zur 650V CoolMOS™ Familien entwickelt: Dies gewährleistet die Erfüllung höchster Anwendungsanforderungen in diesem Spannungsbereich.Merkmale• revolutionäres Halbleitermaterial - Siliziumkarbid• hervorragendens Schaltverhalten• keine Rückwärtswiederherstellung / keine Vorwärtswiederherstellung• positiver Temperaturkoeffizient• hohe Stoßstromfestigkeit• bleifreie Verbleiung; RoHS-konform• qualifiziert nach JEDEC• Durchschlagsspannung geprüft bei 11 mA2)• optimiert für den HochtemperaturbetriebVorteile• verbesserung der Systemeffizienz gegenüber Si-Dioden• Systemkosten-/Größeneinsparungen durch reduzierten Kühlbedarf• ermöglicht Lösungen mit höherer Frequenz / erhöhter Leistungsdichte• höhere Systemzuverlässigkeit durch niedrigere Betriebstemperaturen• reduzierte EMIAnwendungen• Schaltnetzteile• Leistungsfaktorkorrektur• Solarwechselrichter• unterbrechungsfreie Stromversorgung

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  IDH10G120C5 - SiC-Schottkydiode, 1200V, 10A, TO220AC

  CoolSiCTM SiC Schottky DiodeMerkmale• revolutionäres Halbleitermaterial - Siliziumkarbid• kein Rückwärts-Rückgewinnungsstrom / keine Vorwärts-Rückgewinnung• positiver Temperaturkoeffizient• niedrige Durchlassspannung auch bei hohen Betriebstemperaturen• hervorragende Wärmeleitung• erweiterte Stoßstromfähigkeit• spezifizierte dv/dt Robustheit• qualifiziert nach JEDEC• bleifreie Verbleiung; RoHS-konformVorteile• verbesserung der Systemeffizienz gegenüber Si-Dioden• ermöglicht Lösungen mit höherer Frequenz / erhöhter Leistungsdichte• Systemgröße / Kosteneinsparungen durch reduzierten Kühlkörperbedarf und kleinere Magnetfelder• reduzierte EMI• höchster Wirkungsgrad über den gesamten Lastbereich• robuster Diodenbetrieb bei Überspannungsereignissen• hohe Zuverlässigkeit• Weiterführende Links: www.infineon.com/sicAnwendungen• Solarwechselrichter• unterbrechungsfreie Stromversorgungen• Motorantriebe• LeistungsfaktorkorrekturPaket-Pin-Definitionen• Pin 1 und Rückseite - Kathode• Pin 2 - Anode

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  IDH10G65C5 - SiC-Schottkydiode, 650V, 10A, TO220AC

  5. Generation thinQ!™ SiC Schottky DiodeDie 5. Generation ThinQ!™ repräsentiert die Spitzentechnologie von Infineon für die SiC Schottky Barrieredioden. Das bereits mit G3 eingeführte Infineon-eigene Diffusionslötverfahren wird nun mit einem neuen, kompakteren Design und einer Dünnwafer-Technologie kombiniert. Das Ergebnis ist eine neue Produktfamilie mit verbessertem Wirkungsgrad über alle Lastbedingungen, die sowohl auf die verbesserten thermischen Eigenschaften als auch auf einen niedrigeren Leistungswert (Qc x Vf) zurückzuführen ist. Die neue thinQ!™ Generation 5 wurde als Ergänzung zur 650V CoolMOS™ Familien entwickelt: Dies gewährleistet die Erfüllung höchster Anwendungsanforderungen in diesem Spannungsbereich.Merkmale• revolutionäres Halbleitermaterial - Siliziumkarbid• hervorragendens Schaltverhalten• keine Rückwärtswiederherstellung / keine Vorwärtswiederherstellung• positiver Temperaturkoeffizient• hohe Stoßstromfestigkeit• bleifreie Verbleiung; RoHS-konform• qualifiziert nach JEDEC• Durchschlagsspannung geprüft bei 11 mA2)• optimiert für den HochtemperaturbetriebVorteile• verbesserung der Systemeffizienz gegenüber Si-Dioden• Systemkosten-/Größeneinsparungen durch reduzierten Kühlbedarf• ermöglicht Lösungen mit höherer Frequenz / erhöhter Leistungsdichte• höhere Systemzuverlässigkeit durch niedrigere Betriebstemperaturen• reduzierte EMIAnwendungen• Schaltnetzteile• Leistungsfaktorkorrektur• Solarwechselrichter• unterbrechungsfreie Stromversorgung

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  IDH16G120C5 - SiC-Schottkydiode, 1200V, 16A, TO220AC

  CoolSiCTM SiC Schottky DiodeMerkmale• revolutionäres Halbleitermaterial - Siliziumkarbid• kein Rückwärts-Rückgewinnungsstrom / keine Vorwärts-Rückgewinnung• positiver Temperaturkoeffizient• niedrige Durchlassspannung auch bei hohen Betriebstemperaturen• hervorragende Wärmeleitung• erweiterte Stoßstromfähigkeit• spezifizierte dv/dt Robustheit• qualifiziert nach JEDEC• bleifreie Verbleiung; RoHS-konformVorteile• verbesserung der Systemeffizienz gegenüber Si-Dioden• ermöglicht Lösungen mit höherer Frequenz / erhöhter Leistungsdichte• Systemgröße / Kosteneinsparungen durch reduzierten Kühlkörperbedarf und kleinere Magnetfelder• reduzierte EMI• höchster Wirkungsgrad über den gesamten Lastbereich• robuster Diodenbetrieb bei Überspannungsereignissen• hohe Zuverlässigkeit• Weiterführende Links: www.infineon.com/sicAnwendungen• Solarwechselrichter• unterbrechungsfreie Stromversorgungen• Motorantriebe• LeistungsfaktorkorrekturPaket-Pin-Definitionen• Pin 1 und Rückseite - Kathode• Pin 2 - Anode

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  IDH16G65C5 - SiC-Schottkydiode, 650V, 16A, TO220AC

  5. Generation thinQ!™ SiC Schottky DiodeDie 5. Generation ThinQ!™ repräsentiert die Spitzentechnologie von Infineon für die SiC Schottky Barrieredioden. Das bereits mit G3 eingeführte Infineon-eigene Diffusionslötverfahren wird nun mit einem neuen, kompakteren Design und einer Dünnwafer-Technologie kombiniert. Das Ergebnis ist eine neue Produktfamilie mit verbessertem Wirkungsgrad über alle Lastbedingungen, die sowohl auf die verbesserten thermischen Eigenschaften als auch auf einen niedrigeren Leistungswert (Qc x Vf) zurückzuführen ist. Die neue thinQ!™ Generation 5 wurde als Ergänzung zur 650V CoolMOS™ Familien entwickelt: Dies gewährleistet die Erfüllung höchster Anwendungsanforderungen in diesem Spannungsbereich.Merkmale• revolutionäres Halbleitermaterial - Siliziumkarbid• hervorragendens Schaltverhalten• keine Rückwärtswiederherstellung / keine Vorwärtswiederherstellung• positiver Temperaturkoeffizient• hohe Stoßstromfestigkeit• bleifreie Verbleiung; RoHS-konform• qualifiziert nach JEDEC• Durchschlagsspannung geprüft bei 11 mA2)• optimiert für den HochtemperaturbetriebVorteile• verbesserung der Systemeffizienz gegenüber Si-Dioden• Systemkosten-/Größeneinsparungen durch reduzierten Kühlbedarf• ermöglicht Lösungen mit höherer Frequenz / erhöhter Leistungsdichte• höhere Systemzuverlässigkeit durch niedrigere Betriebstemperaturen• reduzierte EMIAnwendungen• Schaltnetzteile• Leistungsfaktorkorrektur• Solarwechselrichter• unterbrechungsfreie Stromversorgung

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  • Price: 7.70 EUR excl. shipping
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  IDH20G120C5 - SiC-Schottkydiode, 1200V, 20A, TO220AC

  CoolSiCTM SiC Schottky DiodeMerkmale• revolutionäres Halbleitermaterial - Siliziumkarbid• kein Rückwärts-Rückgewinnungsstrom / keine Vorwärts-Rückgewinnung• positiver Temperaturkoeffizient• niedrige Durchlassspannung auch bei hohen Betriebstemperaturen• hervorragende Wärmeleitung• erweiterte Stoßstromfähigkeit• spezifizierte dv/dt Robustheit• qualifiziert nach JEDEC• bleifreie Verbleiung; RoHS-konformVorteile• verbesserung der Systemeffizienz gegenüber Si-Dioden• ermöglicht Lösungen mit höherer Frequenz / erhöhter Leistungsdichte• Systemgröße / Kosteneinsparungen durch reduzierten Kühlkörperbedarf und kleinere Magnetfelder• reduzierte EMI• höchster Wirkungsgrad über den gesamten Lastbereich• robuster Diodenbetrieb bei Überspannungsereignissen• hohe Zuverlässigkeit• Weiterführende Links: www.infineon.com/sicAnwendungen• Solarwechselrichter• unterbrechungsfreie Stromversorgungen• Motorantriebe• LeistungsfaktorkorrekturPaket-Pin-Definitionen• Pin 1 und Rückseite - Kathode• Pin 2 - Anode

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  • Price: 14.19 EUR excl. shipping
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  IDH20G65C5 - SiC-Schottkydiode, 650V, 20A, TO220AC

  5. Generation thinQ!™ SiC Schottky DiodeDie 5. Generation ThinQ!™ repräsentiert die Spitzentechnologie von Infineon für die SiC Schottky Barrieredioden. Das bereits mit G3 eingeführte Infineon-eigene Diffusionslötverfahren wird nun mit einem neuen, kompakteren Design und einer Dünnwafer-Technologie kombiniert. Das Ergebnis ist eine neue Produktfamilie mit verbessertem Wirkungsgrad über alle Lastbedingungen, die sowohl auf die verbesserten thermischen Eigenschaften als auch auf einen niedrigeren Leistungswert (Qc x Vf) zurückzuführen ist. Die neue thinQ!™ Generation 5 wurde als Ergänzung zur 650V CoolMOS™ Familien entwickelt: Dies gewährleistet die Erfüllung höchster Anwendungsanforderungen in diesem Spannungsbereich.Merkmale• revolutionäres Halbleitermaterial - Siliziumkarbid• hervorragendens Schaltverhalten• keine Rückwärtswiederherstellung / keine Vorwärtswiederherstellung• positiver Temperaturkoeffizient• hohe Stoßstromfestigkeit• bleifreie Verbleiung; RoHS-konform• qualifiziert nach JEDEC• Durchschlagsspannung geprüft bei 11 mA2)• optimiert für den HochtemperaturbetriebVorteile• verbesserung der Systemeffizienz gegenüber Si-Dioden• Systemkosten-/Größeneinsparungen durch reduzierten Kühlbedarf• ermöglicht Lösungen mit höherer Frequenz / erhöhter Leistungsdichte• höhere Systemzuverlässigkeit durch niedrigere Betriebstemperaturen• reduzierte EMIAnwendungen• Schaltnetzteile• Leistungsfaktorkorrektur• Solarwechselrichter• unterbrechungsfreie Stromversorgung

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  • Price: 6.80 EUR excl. shipping
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  IDW10G65C5 - SiC-Schottkydiode, 650V, 10A, TO247

  5. Generation thinQ!™ SiC Schottky DiodeDie 5. Generation ThinQ!™ repräsentiert die Spitzentechnologie von Infineon für die SiC Schottky Barrieredioden. Das bereits mit G3 eingeführte Infineon-eigene Diffusionslötverfahren wird nun mit einem neuen, kompakteren Design und einer Dünnwafer-Technologie kombiniert. Das Ergebnis ist eine neue Produktfamilie mit verbessertem Wirkungsgrad über alle Lastbedingungen, die sowohl auf die verbesserten thermischen Eigenschaften als auch auf einen niedrigeren Leistungswert (Qc x Vf) zurückzuführen ist. Die neue thinQ!™ Generation 5 wurde als Ergänzung zur 650V CoolMOS™ Familien entwickelt: Dies gewährleistet die Erfüllung höchster Anwendungsanforderungen in diesem Spannungsbereich.Merkmale• revolutionäres Halbleitermaterial - Siliziumkarbid• hervorragendens Schaltverhalten• keine Rückwärtswiederherstellung / keine Vorwärtswiederherstellung• positiver Temperaturkoeffizient• hohe Stoßstromfestigkeit• bleifreie Verbleiung; RoHS-konform• qualifiziert nach JEDEC• Durchschlagsspannung geprüft bei 11 mA2)• optimiert für den HochtemperaturbetriebVorteile• verbesserung der Systemeffizienz gegenüber Si-Dioden• Systemkosten-/Größeneinsparungen durch reduzierten Kühlbedarf• ermöglicht Lösungen mit höherer Frequenz / erhöhter Leistungsdichte• höhere Systemzuverlässigkeit durch niedrigere Betriebstemperaturen• reduzierte EMIAnwendungen• Schaltnetzteile• Leistungsfaktorkorrektur• Solarwechselrichter• unterbrechungsfreie Stromversorgung

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