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  IDW12G65C5 - SiC-Schottkydiode, 650V, 12A, TO247

  5. Generation thinQ!™ SiC Schottky DiodeDie 5. Generation ThinQ!™ repräsentiert die Spitzentechnologie von Infineon für die SiC Schottky Barrieredioden. Das bereits mit G3 eingeführte Infineon-eigene Diffusionslötverfahren wird nun mit einem neuen, kompakteren Design und einer Dünnwafer-Technologie kombiniert. Das Ergebnis ist eine neue Produktfamilie mit verbessertem Wirkungsgrad über alle Lastbedingungen, die sowohl auf die verbesserten thermischen Eigenschaften als auch auf einen niedrigeren Leistungswert (Qc x Vf) zurückzuführen ist. Die neue thinQ!™ Generation 5 wurde als Ergänzung zur 650V CoolMOS™ Familien entwickelt: Dies gewährleistet die Erfüllung höchster Anwendungsanforderungen in diesem Spannungsbereich.Merkmale• revolutionäres Halbleitermaterial - Siliziumkarbid• hervorragendens Schaltverhalten• keine Rückwärtswiederherstellung / keine Vorwärtswiederherstellung• positiver Temperaturkoeffizient• hohe Stoßstromfestigkeit• bleifreie Verbleiung; RoHS-konform• qualifiziert nach JEDEC• Durchschlagsspannung geprüft bei 11 mA2)• optimiert für den HochtemperaturbetriebVorteile• verbesserung der Systemeffizienz gegenüber Si-Dioden• Systemkosten-/Größeneinsparungen durch reduzierten Kühlbedarf• ermöglicht Lösungen mit höherer Frequenz / erhöhter Leistungsdichte• höhere Systemzuverlässigkeit durch niedrigere Betriebstemperaturen• reduzierte EMIAnwendungen• Schaltnetzteile• Leistungsfaktorkorrektur• Solarwechselrichter• unterbrechungsfreie Stromversorgung

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  IDW20G65C5 - SiC-Schottkydiode, 650V, 20A, TO247

  5. Generation thinQ!™ SiC Schottky DiodeDie 5. Generation ThinQ!™ repräsentiert die Spitzentechnologie von Infineon für die SiC Schottky Barrieredioden. Das bereits mit G3 eingeführte Infineon-eigene Diffusionslötverfahren wird nun mit einem neuen, kompakteren Design und einer Dünnwafer-Technologie kombiniert. Das Ergebnis ist eine neue Produktfamilie mit verbessertem Wirkungsgrad über alle Lastbedingungen, die sowohl auf die verbesserten thermischen Eigenschaften als auch auf einen niedrigeren Leistungswert (Qc x Vf) zurückzuführen ist. Die neue thinQ!™ Generation 5 wurde als Ergänzung zur 650V CoolMOS™ Familien entwickelt: Dies gewährleistet die Erfüllung höchster Anwendungsanforderungen in diesem Spannungsbereich.Merkmale• revolutionäres Halbleitermaterial - Siliziumkarbid• hervorragendens Schaltverhalten• keine Rückwärtswiederherstellung / keine Vorwärtswiederherstellung• positiver Temperaturkoeffizient• hohe Stoßstromfestigkeit• bleifreie Verbleiung; RoHS-konform• qualifiziert nach JEDEC• Durchschlagsspannung geprüft bei 11 mA2)• optimiert für den HochtemperaturbetriebVorteile• verbesserung der Systemeffizienz gegenüber Si-Dioden• Systemkosten-/Größeneinsparungen durch reduzierten Kühlbedarf• ermöglicht Lösungen mit höherer Frequenz / erhöhter Leistungsdichte• höhere Systemzuverlässigkeit durch niedrigere Betriebstemperaturen• reduzierte EMIAnwendungen• Schaltnetzteile• Leistungsfaktorkorrektur• Solarwechselrichter• unterbrechungsfreie Stromversorgung

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  IDW40G65C5 - SiC-Schottkydiode, 650V, 40A, TO247

  5. Generation thinQ!™ SiC Schottky DiodeDie 5. Generation ThinQ!™ repräsentiert die Spitzentechnologie von Infineon für die SiC Schottky Barrieredioden. Das bereits mit G3 eingeführte Infineon-eigene Diffusionslötverfahren wird nun mit einem neuen, kompakteren Design und einer Dünnwafer-Technologie kombiniert. Das Ergebnis ist eine neue Produktfamilie mit verbessertem Wirkungsgrad über alle Lastbedingungen, die sowohl auf die verbesserten thermischen Eigenschaften als auch auf einen niedrigeren Leistungswert (Qc x Vf) zurückzuführen ist. Die neue thinQ!™ Generation 5 wurde als Ergänzung zur 650V CoolMOS™ Familien entwickelt: Dies gewährleistet die Erfüllung höchster Anwendungsanforderungen in diesem Spannungsbereich.Merkmale• revolutionäres Halbleitermaterial - Siliziumkarbid• hervorragendens Schaltverhalten• keine Rückwärtswiederherstellung / keine Vorwärtswiederherstellung• positiver Temperaturkoeffizient• hohe Stoßstromfestigkeit• bleifreie Verbleiung; RoHS-konform• qualifiziert nach JEDEC• Durchschlagsspannung geprüft bei 11 mA2)• optimiert für den HochtemperaturbetriebVorteile• verbesserung der Systemeffizienz gegenüber Si-Dioden• Systemkosten-/Größeneinsparungen durch reduzierten Kühlbedarf• ermöglicht Lösungen mit höherer Frequenz / erhöhter Leistungsdichte• höhere Systemzuverlässigkeit durch niedrigere Betriebstemperaturen• reduzierte EMIAnwendungen• Schaltnetzteile• Leistungsfaktorkorrektur• Solarwechselrichter• unterbrechungsfreie Stromversorgung

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  IDH04SG60C - SiC-Schottkydiode, 600V, 4A, TO220AC

  thinQ!tm SiC Schottky Diode der dritten GenerationMerkmale• revolutionäres Halbleitermaterial - Siliziumkarbid• herausragendes Schaltverhalten• keine Rückwärtswiederherstellung / keine Vorwärtswiederherstellung• positiver Temperaturkoeffizient• hohe Stoßstromfestigkeit• bleifreie Verbleiung; RoHS-konform• qualifiziert nach JEDEC• Durchschlagsspannung geprüft bei 20mA2)• optimiert für den HochtemperaturbetriebthinQ! 3G Diode, entwickelt für schnelle Schaltanwendungen wie:• SMPS z.B.; CCM PFC• Motorantriebe; Solaranwendungen; USV

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  IDH04G65C5 - SiC-Schottkydiode, 650V, 4A, TO220AC

  5. Generation thinQ!™ SiC Schottky DiodeDie 5. Generation ThinQ!™ repräsentiert die Spitzentechnologie von Infineon für die SiC Schottky Barrieredioden. Das bereits mit G3 eingeführte Infineon-eigene Diffusionslötverfahren wird nun mit einem neuen, kompakteren Design und einer Dünnwafer-Technologie kombiniert. Das Ergebnis ist eine neue Produktfamilie mit verbessertem Wirkungsgrad über alle Lastbedingungen, die sowohl auf die verbesserten thermischen Eigenschaften als auch auf einen niedrigeren Leistungswert (Qc x Vf) zurückzuführen ist. Die neue thinQ!™ Generation 5 wurde als Ergänzung zur 650V CoolMOS™ Familien entwickelt: Dies gewährleistet die Erfüllung höchster Anwendungsanforderungen in diesem Spannungsbereich.Merkmale• revolutionäres Halbleitermaterial - Siliziumkarbid• hervorragendens Schaltverhalten• keine Rückwärtswiederherstellung / keine Vorwärtswiederherstellung• positiver Temperaturkoeffizient• hohe Stoßstromfestigkeit• bleifreie Verbleiung; RoHS-konform• qualifiziert nach JEDEC• Durchschlagsspannung geprüft bei 11 mA2)• optimiert für den HochtemperaturbetriebVorteile• verbesserung der Systemeffizienz gegenüber Si-Dioden• Systemkosten-/Größeneinsparungen durch reduzierten Kühlbedarf• ermöglicht Lösungen mit höherer Frequenz / erhöhter Leistungsdichte• höhere Systemzuverlässigkeit durch niedrigere Betriebstemperaturen• reduzierte EMIAnwendungen• Schaltnetzteile• Leistungsfaktorkorrektur• Solarwechselrichter• unterbrechungsfreie Stromversorgung

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  IDH08G65C5 - SiC-Schottkydiode, 650V, 8A, TO220AC

  5. Generation thinQ!™ SiC Schottky DiodeDie 5. Generation ThinQ!™ repräsentiert die Spitzentechnologie von Infineon für die SiC Schottky Barrieredioden. Das bereits mit G3 eingeführte Infineon-eigene Diffusionslötverfahren wird nun mit einem neuen, kompakteren Design und einer Dünnwafer-Technologie kombiniert. Das Ergebnis ist eine neue Produktfamilie mit verbessertem Wirkungsgrad über alle Lastbedingungen, die sowohl auf die verbesserten thermischen Eigenschaften als auch auf einen niedrigeren Leistungswert (Qc x Vf) zurückzuführen ist. Die neue thinQ!™ Generation 5 wurde als Ergänzung zur 650V CoolMOS™ Familien entwickelt: Dies gewährleistet die Erfüllung höchster Anwendungsanforderungen in diesem Spannungsbereich.Merkmale• revolutionäres Halbleitermaterial - Siliziumkarbid• hervorragendens Schaltverhalten• keine Rückwärtswiederherstellung / keine Vorwärtswiederherstellung• positiver Temperaturkoeffizient• hohe Stoßstromfestigkeit• bleifreie Verbleiung; RoHS-konform• qualifiziert nach JEDEC• Durchschlagsspannung geprüft bei 11 mA2)• optimiert für den HochtemperaturbetriebVorteile• verbesserung der Systemeffizienz gegenüber Si-Dioden• Systemkosten-/Größeneinsparungen durch reduzierten Kühlbedarf• ermöglicht Lösungen mit höherer Frequenz / erhöhter Leistungsdichte• höhere Systemzuverlässigkeit durch niedrigere Betriebstemperaturen• reduzierte EMIAnwendungen• Schaltnetzteile• Leistungsfaktorkorrektur• Solarwechselrichter• unterbrechungsfreie Stromversorgung

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  C3D02060E - SMD-SiC-Schottkydiode 600V, 4A, TO252

  Technische Daten• revolutionäres Halbleitermaterial SiC• kein Rückwärts-/kein Vorwärts-Erholverhalten• temperaturunabhängiges Schaltverhalten• extrem schnelles Schalten• optimiert für den Betrieb bei hohen Temperaturen• AEC-Q101-zertifiziertAnwendungen• Schaltnetzteile• Verstärkungsdioden für Leistungsfaktokorrektur und DC/DC-Wandler• Freilaufdioden in Umrichterstufen• Gleichrichter

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  C3D02060F - SiC-Schottkydiode, 600V, 1,7A, TO220AC-Fullpak

  Merkmale• 600-Volt Schottky-Gleichrichter• Null-Rückwärts-Rückgewinnungsstrom• Null-Wiederherstellungsspannung• Hochfrequenzbetrieb• positiver Temperaturkoeffizient• extrem schnelles Umschalten• positiver Temperaturkoeffizient auf VF - vollständig isoliertes GehäuseVorteile• ersetzen Sie bipolare durch unipolare Gleichrichter• minimale Schaltverluste• höhere Effizienz• Reduzierung des Kühlkörperbedarfs• parallele Geräte ohne thermische AusreißerAnwendungen• Schaltnetzteilee (SMPS)• Boost-Dioden in PFC- oder DC/DC-Stufen• Freilaufdioden in Wechselrichterstufen• AC/DC-Wandler

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  C3D02065E - SMD-SiC-Schottkydiode 650V, 4A, TO252

  Technische Daten• revolutionäres Halbleitermaterial SiC• kein Rückwärts-/kein Vorwärts-Erholverhalten• temperaturunabhängiges Schaltverhalten• extrem schnelles Schalten• optimiert für den Betrieb bei hohen Temperaturen• AEC-Q101-zertifiziertAnwendungen• Schaltnetzteile• Verstärkungsdioden für Leistungsfaktokorrektur und DC/DC-Wandler• Freilaufdioden in Umrichterstufen• Gleichrichter

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  C3D03060E - SMD-SiC-Schottkydiode 600V, 5A, TO252

  Technische Daten• revolutionäres Halbleitermaterial SiC• kein Rückwärts-/kein Vorwärts-Erholverhalten• temperaturunabhängiges Schaltverhalten• extrem schnelles Schalten• optimiert für den Betrieb bei hohen Temperaturen• AEC-Q101-zertifiziertAnwendungen• Schaltnetzteile• Verstärkungsdioden für Leistungsfaktokorrektur und DC/DC-Wandler• Freilaufdioden in Umrichterstufen• Gleichrichter

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