81 Results for : 247ac
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IRFP 064N - MOSFET, N-Kanal, 55 V, 110 A, Rds(on) 0,008 Ohm, TO-247AC
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IRFP 4321 - MOSFET, N-Kanal, 150 V, 78 A, Rds(on) 0,012 Ohm, TO-247AC
HEXFET Power MOSFETApplicationsMotion Control ApplicationsHigh Efficiency Synchronous Rectification in SMPSUninterruptible Power SupplyHard Switched and High Frequency CircuitsBenefitsLow RDSON Reduces LossesLow Gate Charge Improves the Switching PerformanceImproved Diode Recovery Improves Switching & EMI Performance30V Gate Voltage Rating Improves RobustnessFully Characterized Avalanche SOA- Shop: reichelt elektronik
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IRFP 4468 - MOSFET, N-Kanal, 100 V, 195 A, RDS(on) 0,002 Ohm, TO-247AC
HEXFET Power MOSFETApplicationsHigh Efficiency Synchronous Rectification in SMPSUninterruptible Power SupplyHigh Speed Power SwitchingHard Switched and High Frequency CircuitsBenefitsImproved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RuggednessFully Characterized Capacitance and Avalanche SOAEnhanced body diode dV/dt and dI/dt CapabilityLead-Free- Shop: reichelt elektronik
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IRFP 260N - MOSFET, N-Kanal, 200 V, 50 A, Rds(on) 0,04 Ohm, TO-247AC
IRFP260NPbFHEXFET® Leistungs-MOSFETBeschreibung:HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier/Infineon nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen On-Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein extrem effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das TO-247-Gehäuse wird bevorzugt für kommerziell-industrielle Anwendungen eingesetzt, bei denen höhere Leistungen die Verwendung von TO-220-Bauteilen ausschließen. Das TO-247-Gehäuse ist dem früheren TO-218-Gehäuse ähnlich, aber aufgrund seiner isolierten Montagebohrung überlegen.Merkmale:• Fortschrittliche Prozesstechnologie• Dynamischer dv/dt-Wert• 175°C Betriebstemperatur• Schnelles Schalten• Vollständige Avalanche-Bewertung• Einfaches Parallelisieren• Einfache Antriebsanforderungen• Bleifrei- Shop: reichelt elektronik
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IRG 4PH 50U - IGBT-Transistor, N-Kanal, 1200 V, 45 A, 200 W, TO-247AC
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IRFP 4668 - MOSFET, N-Kanal, 200 V, 130 A, RDS(on) 0,008 Ohm, TO-247AC
HEXFET Power MOSFETApplicationsHigh Efficiency Synchronous Rectification in SMPSUninterruptible Power SupplyHigh Speed Power SwitchingHard Switched and High Frequency CircuitsBenefitsImproved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RuggednessFully Characterized Capacitance and Avalanche SOAEnhanced body diode dV/dt and dI/dt CapabilityLead-Free- Shop: reichelt elektronik
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IRFP 9140N - MOSFET, P-Kanal, -100 V, -23 A, RDS(on) 0,117 Ohm, TO-247AC
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IRFP 054 - MOSFET, N-Kanal, 60 V, 70 A, Rds(on) 0,014 Ohm, TO-247AC
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IRFP 450 - MOSFET, N-Kanal, 500 V, 14 A, Rds(on) 0,40 Ohm, TO-247AC
Power MOSFETFEATURES• Dynamic dV/dt Rating• Repetitive Avalanche Rated• Isolated Central Mounting Hole• Fast Switching• Ease of Paralleling• Simple Drive Requirements• Lead (Pb)-free Available- Shop: reichelt elektronik
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IRFP 250 - MOSFET, N-Kanal, 200 V, 30 A, RDS(on) 0,085 Ohm, TO-247AC
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