537 Results for : cl11

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    Kurzinfo: SILICON POWER - DDR3 - 8 GB - UDIMM, 240-polig - PC3-8500, PC3-10600, PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - ungepuffert - nicht-ECC Gruppe RAM Hersteller SILICON POWER Hersteller Art. Nr. SP008GBLTU160N02 Modell SILICON POWER EAN/UPC 4712702626353 Produktbeschreibung: SILICON POWER - Memory - 8 GB - DIMM 240-PIN - DDR3 SDRAM Paketierte Menge 1 Speicherkapazität 8 GB Erweiterungstyp Generisch Technologie DDR3 SDRAM Formfaktor DIMM 240-PIN Speichergeschwindigkeit 1600 MHz Datenintegritätsprüfung Nicht-ECC Latenzzeiten CL11 (11-11-11) Metallüberzug Gold CAS Latency CL11 Ausführliche Details Allgemein Paketierte Menge 1 Speicherkapazität 8 GB Erweiterungstyp Generisch Speicher Typ DRAM Technologie DDR3 SDRAM Formfaktor DIMM 240-PIN Modulhöhe (Zoll) 1.187 Speichergeschwindigkeit 1600 MHz Latenzzeiten CL11 (11-11-11) Datenintegritätsprüfung Nicht-ECC Modulkonfiguration 512 x 8 CAS Latency CL11 Metallüberzug Gold
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    Kurzinfo: G.Skill Aegis - Memory - 4 GB - DIMM 240-PIN - DDR3 - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - ungepuffert - nicht-ECC Gruppe RAM Hersteller G.Skill Hersteller Art. Nr. F3-1600C11S-4GIS Modell Aegis EAN/UPC Produktbeschreibung: G.Skill AEGIS - Memory - 4 GB - DIMM 240-PIN - DDR3 SDRAM Paketierte Menge 1 Speicherkapazität 4 GB Erweiterungstyp Generisch Technologie DDR3 SDRAM Formfaktor DIMM 240-PIN Speichergeschwindigkeit 1600 MHz Datenintegritätsprüfung Nicht-ECC Latenzzeiten CL11 (11-11-11-28) Leistungsmerkmale Single Rank Versorgungsspannung 1.5 V CAS Latency CL11 Ausführliche Details Allgemein Paketierte Menge 1 Speicherkapazität 4 GB Erweiterungstyp Generisch Speicher Typ DRAM Technologie DDR3 SDRAM Formfaktor DIMM 240-PIN Speichergeschwindigkeit 1600 MHz Latenzzeiten CL11 (11-11-11-28) Datenintegritätsprüfung Nicht-ECC RAM-Merkmale Single Rank CAS Latency CL11 Versorgungsspannung 1.5 V
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    Kurzinfo: Samsung Semiconductor - Memory - 16 GB - DIMM 240-PIN - DDR3 - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - registriert - ECC Gruppe RAM Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. M393B2G70QH0-YK0 Produktbeschreibung: Samsung Semiconductor - Memory - 16 GB - DIMM 240-PIN - DDR3 SDRAM Paketierte Menge 1 Speicherkapazität 16 GB Erweiterungstyp Generisch Technologie DDR3 SDRAM Formfaktor DIMM 240-PIN Speichergeschwindigkeit 1600 MHz Datenintegritätsprüfung ECC Latenzzeiten CL11 (11-11-11) Leistungsmerkmale Acht Bänke Dual Rank Niederspannung Versorgungsspannung 1.35 V CAS Latency CL11 Ausführliche Details Allgemein Paketierte Menge 1 Speicherkapazität 16 GB Erweiterungstyp Generisch Speicher Typ DRAM Technologie DDR3 SDRAM Formfaktor DIMM 240-PIN Modulhöhe (Zoll) 1.18 Speichergeschwindigkeit 1600 MHz Latenzzeiten CL11 (11-11-11) Datenintegritätsprüfung ECC RAM-Merkmale Acht Bänke Dual Rank Niederspannung Modulkonfiguration 2048 x 72 CAS Latency CL11 Chip-Organisation 1024 x 4 Versorgungsspannung
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    Kurzinfo: Crucial - DDR3 - 4 GB - SO-DIMM, 204-polig - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - ungepuffert - nicht-ECC Gruppe RAM Hersteller Crucial Hersteller Art. Nr. CT51264BF160BJ Modell EAN/UPC 0649528762191 Produktbeschreibung: Crucial - DDR3 - 4 GB - SO-DIMM, 204-polig Kapazität 4 GB Speichertyp DDR3 SDRAM - SO-DIMM, 204-polig Erweiterungstyp Generisch Datenintegritätsprüfung Nicht-ECC Geschwindigkeit 1600 MHz (PC3-12800) Latenzzeiten CL11 Leistungsmerkmale Ungepuffert Spannung 1.35 V Metallüberzug Gold Ausführliche Details Allgemein Kapazität 4 GB Erweiterungstyp Generisch Speicher Typ DRAM Technologie DDR3 SDRAM Formfaktor SO-DIMM, 204-polig Modulhöhe (Zoll) 1.18 Geschwindigkeit 1600 MHz (PC3-12800) Latenzzeiten CL11 Datenintegritätsprüfung Nicht-ECC Besonderheiten Ungepuffert Spannung 1.35 V Metallüberzug Gold Erweiterung / Konnektivität Kompatible Steckplätze 1 x Speicher - SO-DIMM, 204-polig
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    Kurzinfo: Corsair - Memory - 16 GB : 2 x 8 GB - SO-DIMM, 204-polig - DDR3 - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - ungepuffert - nicht-ECC Gruppe RAM Hersteller Corsair Hersteller Art. Nr. CMSA16GX3M2A1600C11 Modell EAN/UPC Produktbeschreibung: Corsair - Memory - 16 GB - SO-DIMM, 204-polig - DDR3 SDRAM Paketierte Menge 2 (Spezifikationen gelten für einen Artikel) Speicherkapazität 16 GB Erweiterungstyp Generisch Technologie DDR3 SDRAM Formfaktor SO-DIMM, 204-polig Speichergeschwindigkeit 1600 MHz Datenintegritätsprüfung Nicht-ECC Latenzzeiten CL11 Leistungsmerkmale Dualer Kanal Versorgungsspannung 1.35 V CAS Latency CL11 Ausführliche Details Allgemein Paketierte Menge 2 Speicherkapazität 16 GB Erweiterungstyp Generisch Speicher Typ SO-DIMM Technologie DDR3 SDRAM Formfaktor SO-DIMM, 204-polig Speichergeschwindigkeit 1600 MHz Latenzzeiten CL11 Datenintegritätsprüfung Nicht-ECC RAM-Merkmale Dualer Kanal CAS Latency CL11 Versorgungsspannung 1.35 V
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    Hersteller: V7, Marke: V7, Titel: 32GB DDR3 1600MHZ CL11 REG, Rubrik: Komponenten // Speichermodule // DDR3-RAM, System: NMS, Verkäufer: averdo
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    Hersteller: V7, Marke: V7, Titel: 16GB DDR3 1600MHZ CL11 REG, Rubrik: Komponenten // Speichermodule // DDR3-RAM, System: NMS, Verkäufer: averdo
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    Hersteller: V7, Marke: V7, Titel: 2X4GB KIT DDR3 1600MHZ CL11, Rubrik: Komponenten // Speichermodule // DDR3-RAM, System: NMS, Verkäufer: averdo
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    Hersteller: V7, Marke: V7, Titel: 2X8GB KIT DDR3 1600MHZ CL11, Rubrik: Komponenten // Speichermodule // DDR3-RAM, System: NMS, Verkäufer: averdo
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    Hersteller: V7, Marke: V7, Titel: 2X2GB KIT DDR3 1600MHZ CL11, Rubrik: Komponenten // Speichermodule // DDR3-RAM, System: NMS, Verkäufer: averdo
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