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  HIR 383C-L289 - Infrarot-Diode, GaAlAs, 850 nm, 18°, 5 mm T-1 3/4

  5-mm-Infrarot-LED , T-1 3/4Beschreibung• EVERLIGHT'S Infrarot-Emittierende Diode(HIR383C/L289) ist eine Hochintensitätsdiode, die in einem wasserklaren Kunststoffgehäuse gegossen ist.• Das Gerät ist spektral mit einem Fototransistor, einer Fotodiode und einem Infrarot-Empfängermodul abgestimmt.Merkmale• Hohe Zuverlässigkeit• Hohe Strahlungsintensität• Spitzen-Wellenlänge ?p=850nm• 2,54 mm Rastermass• Niedrige Durchlassspannung• Pb frei• Das Produkt selbst bleibt innerhalb der RoHS-konformen Version.Anwendungen• Freies Luft-Übertragungssystem• Infrarot-Fernbedienungseinheiten mit hohem Leistungsbedarf• Rauchmelder• Angewandtes Infrarot-System

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  IR 333A EVL - Infrarot-Diode, GaAlAs, 940 nm, 20°, 5 mm, T1 3/4

  GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 5mm , T-1 3/4Beschreibungen• Die Infrarot-Emitterdiode von EVERLIGHT (IR333-A) ist eine Hochintensitätsdiode, die in ein blaues, transparentes Kunststoffgehäuse eingegossen ist.• Das Gerät ist spektral mit einem Fototransistor, einer Fotodiode und einem Infrarot-Empfängermodul abgestimmt.Merkmale• Hohe Zuverlässigkeit• Hohe Strahlungsintensität• Spitzen-Wellenlänge ?p=940nm• 2,54 mm Leitungsabstand• Niedrige Durchlassspannung• Pb frei• Das Produkt selbst bleibt innerhalb der RoHS-konformen Version.Anwendungen• Infrarot-Fernbedienungseinheiten mit hohem Leistungsbedarf• Rauchmelder• Angewandtes Infrarot-System

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  IR 383 EVL - Infrarot-Diode, GaAlAs, 940 nm, 20°, 5 mm T-1 3/4

  5-mm-Infrarot-LED , T-1 3/4Beschreibung• Die Infrarot-Emitterdiode von EVERLIGHT(IR383) ist eine Hochintensitätsdiode, die in einem blauen, transparenten Kunststoffgehäuse gegossen ist.• Das Gerät ist spektral mit einem Fototransistor, einer Fotodiode und einem Infrarot-Empfängermodul abgestimmt.Merkmale• Hohe Zuverlässigkeit• Hohe Strahlungsintensität• Spitzen-Wellenlänge ?p=940nm• 2,54 mm Rastermass• Niedrige Durchlassspannung• Pb frei• Das Produkt selbst bleibt innerhalb der RoHS-konformen Version.Anwendungen• Freies Luft-Übertragungssystem• Infrarot-Fernbedienungseinheiten mit hohem Leistungsbedarf• Rauchmelder• Angewandtes Infrarot-System

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  SFH 309-4 OSO - Fototransistor, NPN, 380...1100nm, 24°, THT-3mm

  NPN-Silizium-FototransistorWesentliche Merkmale•Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit: 380 nm ... 1180 nm (SFH 309), 880 nm...1120 nm (SFH 309 FA)•Hohe Linearität•Gehäuse: 3mm Radial (T 1), Harz•Gruppiert lieferbarAnwendungen•Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb•Industrieelektronik•„Messen/Steuern/Regeln“

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  SFH 309-5 OSO - Fototransistor, NPN, 380...1100nm, 24°, THT-3mm

  NPN-Silizium-FototransistorWesentliche Merkmale•Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit: 380 nm ... 1180 nm (SFH 309), 880 nm...1120 nm (SFH 309 FA)•Hohe Linearität•Gehäuse: 3mm Radial (T 1), Harz•Gruppiert lieferbarAnwendungen•Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb•Industrieelektronik•„Messen/Steuern/Regeln“

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  HIR 204/H0 - Infrarot-Diode, GaAlAs, 850 nm, 40°, 3 mm, T1

  3-mm-Infrarot-LED , T-1 Beschreibung• EVERLIGHT'S Infrarot-Emittierende Diode(HIR204/H0) ist eine Hochintensitätsdiode, die in einem gelben, transparenten Kunststoffgehäuse gegossen ist.• Das Gerät ist spektral mit einem Fototransistor, einer Fotodiode und einem Infrarot-Empfängermodul abgestimmt.Merkmale• Hohe Zuverlässigkeit• Hohe Strahlungsintensität• Spitzen-Wellenlänge ?p=850nm• 2,54 mm Rastermass• Niedrige Durchlassspannung• Pb frei• Das Produkt selbst bleibt innerhalb der RoHS-konformen Version.Anwendungen• Freies Luft-Übertragungssystem• Optoelektronischer Schalter• Infrarot-Fernbedienungseinheiten mit hohem Leistungsbedarf• Rauchmelder• Angewandtes Infrarot-System• Kamera

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  IR 333-H0L10 EVL - Infrarot-Diode, GaAlAs, 940 nm, 40°, 5 mm, T1 3/4

  5-mm-Infrarot-LED , T-1 3/4Beschreibung• Die Infrarot-Emitterdiode von EVERLIGHT (IR333/H0/L10) ist eine Hochintensitätsdiode, die in einem blauen, transparenten Kunststoffgehäuse gegossen ist.• Das Gerät ist spektral mit einem Fototransistor, einer Fotodiode und einem Infrarot-Empfängermodul abgestimmt.Merkmale• Hohe Zuverlässigkeit• Hohe Strahlungsintensität• Spitzen-Wellenlänge ?p=940nm• 2,54 mm Rastermass• Niedrige Durchlassspannung• Pb frei• Das Produkt selbst bleibt innerhalb der RoHS-konformen Version.Anwendungen• Freies Luft-Übertragungssystem• Infrarot-Fernbedienungseinheiten mit hohem Leistungsbedarf• Rauchmelder• Angewandtes Infrarot-System

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  SIR 204 EVL - Infrarot-Diode, GaAlAs, 875 nm, 30°, 3 mm, T1

  3-mm-Infrarot-LED , T-1 Beschreibung• EVERLIGHT'S Infrarot-Emittierende Diode(SIR204-A) ist eine Diode mit hoher Intensität, die in einem blauen, transparenten Kunststoffgehäuse gegossen ist.• Das Gerät ist spektral mit einem Fototransistor, einer Fotodiode und einem Infrarot-Empfängermodul abgestimmt.Merkmale• Hohe Zuverlässigkeit• Gute spektrale Anpassung an Si-Photodetektor• Spitzen-Wellenlänge ?p=875nm• 2,54 mm Rastermass• Niedrige Durchlassspannung• Pb frei• Das Produkt selbst bleibt innerhalb der RoHS-konformen Version.Anwendungen• Freies Luft-Übertragungssystem• Optoelektronischer Schalter• Infrarot-Fernbedienungseinheiten mit hohem Leistungsbedarf• Rauchmelder• Angewandtes Infrarot-System

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  SFH 300 FA-3/4 - Fototransistor, NPN, 730...1120nm, 50°, THT-5mm

  Radial 5 mm, Silizium-NPN-FototransistorMerkmale:• Gehäuse: schwarzes Epoxidharz• ESD: 2 kV nach ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Klasse 2)• Spektralbereich der Empfindlichkeit: (typ) 730 ... 1120 nm• Hohe Linearität• Verfügbar in GruppenAnwendungen:• Industrielle Automatisierung (Maschinensteuerungen, Lichtschranken, Vision-Steuerungen)• Elektronische Ausrüstung• Highbay Industrial• Weiße Ware

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  SFH 309 FA-4 OSO - Fototransistor, NPN, 730...1120nm, 24°, THT-3mm

  NPN-Silizium-FototransistorWesentliche Merkmale•Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit: 380 nm ... 1180 nm (SFH 309), 880 nm...1120 nm (SFH 309 FA)•Hohe Linearität•Gehäuse: 3mm Radial (T 1), Harz•Gruppiert lieferbarAnwendungen•Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb•Industrieelektronik•„Messen/Steuern/Regeln“

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