86 Results for : 10ns

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    PHS-memory 8GB RAM Speicher für Lenovo ThinkCentre M910z (10NS) DDR4 SO DIMM 2400MHz (SP233458)
    PHS-memory 8GB RAM Speicher für Lenovo ThinkCentre M910z (10NS) DDR4 SO DIMM 2400MHz (SP233458)
    • Shop: JACOB Computer
    • Price: 85.58 EUR excl. shipping
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    PHS-memory 16GB RAM Speicher für Lenovo ThinkCentre M910z (10NS) DDR4 SO DIMM 2400MHz (SP233457)
    PHS-memory 16GB RAM Speicher für Lenovo ThinkCentre M910z (10NS) DDR4 SO DIMM 2400MHz (SP233457)
    • Shop: JACOB Computer
    • Price: 161.77 EUR excl. shipping
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    PHS-memory 32GB RAM Speicher für Lenovo ThinkCentre M910z (10NS) DDR4 SO DIMM 2666MHz PC4-2666V-S (SP293943)
    PHS-memory 32GB RAM Speicher für Lenovo ThinkCentre M910z (10NS) DDR4 SO DIMM 2666MHz PC4-2666V-S (SP293943)
    • Shop: JACOB Computer
    • Price: 284.53 EUR excl. shipping
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    PHS-memory 16GB RAM Speicher für Lenovo ThinkCentre M910z (10NS) DDR4 SO DIMM 2400MHz (SP233457)
    PHS-memory 16GB RAM Speicher für Lenovo ThinkCentre M910z (10NS) DDR4 SO DIMM 2400MHz (SP233457)
    • Shop: JACOB Computer
    • Price: 129.26 EUR excl. shipping
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    PHS-memory 32GB RAM Speicher für Lenovo ThinkCentre M910z (10NS) DDR4 SO DIMM 2666MHz PC4-2666V-S (SP293943)
    PHS-memory 32GB RAM Speicher für Lenovo ThinkCentre M910z (10NS) DDR4 SO DIMM 2666MHz PC4-2666V-S (SP293943)
    • Shop: JACOB Computer
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    IS61WV5128BLL-10 - High-Speed SRAM, 4 Mb (512 K x 8), 3,3 V, 10ns, TSOP-44
    Statisches Hochgeschwindigkeits-CMOS-RAM 3,3V 512kx8 10ns TSOP44(II) Beschreibung:Die ISSI IS61WV5128Bxx sind sehr schnelle statische 8-Bit-CMOS-RAMs mit 524.288 Wörtern und niedrigem Stromverbrauch. Die IS61/64WV5128Bxx werden mit der Hochleistungs-CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Dieser äußerst zuverlässige Prozess in Verbindung mit innovativen Schaltungstechniken führt zu einer höheren Leistung und Geräten mit niedrigem Stromverbrauch. Wenn CE auf HIGH (abgewählt) steht, geht das Gerät in einen Standby-Modus über, in dem die Verlustleistung mit CMOS-Eingangspegeln nach unten reduziert werden kann. Die IS61/64WV5128Bxx arbeiten mit einer einzigen Stromversorgung. Die IS61/64WV5128BLL sind in 36-poligen 400-mil SOJ- und 44-poligen TSOP-Gehäusen (Typ II) erhältlich. Merkmale:• Hochgeschwindigkeits-Zugriffszeit: 10 ns• Niedrige Wirkleistung: 85 mW (typisch)• Niedrige Standby-Leistung: 7 mW (typisch) CMOS-Standby• Einzel-Stromversorgung Vdd 2,4V bis 3,6V• Vollständig statischer Betrieb: keine Uhr oder Auffrischung erforderlich• Drei Zustandsausgänge• Temperaturunterstützung für Industrie und Automobil• Bleifrei verfügbar
    • Shop: reichelt elektronik
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    IS61WV1288EEBLL - High-Speed SRAM, 1 Mb (128 K x 8), 3,3 V, 10ns, TSOP-32
    Statisches Hochgeschwindigkeits-CMOS-RAM 3,3V 128kx8 10ns TSOP32(I) mit ECCBeschreibung:Das ISSI IS61/64WV1288EEBLL ist ein statisches Hochgeschwindigkeits-RAM mit 1.048.576 Bit, das als 131.072 Wörter mit 8 Bit organisiert ist. Er wird unter Verwendung der Hochleistungs-CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Dieser hochzuverlässige Prozess in Verbindung mit innovativen Schaltungstechniken führt zu hochleistungsfähigen Bauelementen mit geringem Stromverbrauch. Wenn CE auf HIGH (abgewählt) steht, geht das Gerät in einen Standby-Modus über, in dem die Verlustleistung mit CMOS-Eingangspegeln nach unten reduziert werden kann. Eine einfache Speichererweiterung ist durch die Verwendung von Chip Enable- und Output Enable-Eingängen, CE und OE möglich. Der aktive LOW Write Enable (WE) steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen des Speichers. Der IS61/64WV1288EEBLL ist im JEDEC-Standard-Gehäuse mit 32-poligem SOJ, TSOP-II, sTSOP-I und 48-Kugel-BGA (6mmx8mm) untergebracht.Merkmale:• Hochgeschwindigkeits-Zugriffszeit: 10 ns• Niedrige Wirkleistung: 85 mW (typisch)• Niedrige Standby-Leistung: 7 mW (typisch) CMOS-Standby• Einzelne Stromversorgung• Vollständig statischer Betrieb: keine Uhr oder Auffrischung erforderlich• Drei Zustandsausgänge• Temperaturunterstützung für Industrie und Automobil• Bleifrei verfügbar• Fehlererkennung und Fehlerkorrektur
    • Shop: reichelt elektronik
    • Price: 2.15 EUR excl. shipping
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    CY7C1049GN30-10Z - High-Speed SRAM, 4 Mb (512 K x 8), 3,3 V, 10ns, TSOP-44
    Statisches Hochgeschwindigkeits-CMOS-RAM 3,3V 512kx8 10ns TSOP44(II)Funktionale BeschreibungCY7C1049GN ist ein hochleistungsfähiger, schneller statischer CMOS-RAM-Baustein, der in 512K Worten zu 8 Bits organisiert ist. Das Schreiben von Daten erfolgt durch die Aktivierung der Eingänge Chip Enable (CE) und Write Enable (WE) auf LOW, während die Daten auf den Pins I/O0 bis I/O7 und die Adresse auf den Pins A0 bis A18 bereitgestellt werden. Daten werden gelesen, indem die Chip Enable (CE)- und Output Enable (OE)-Eingänge LOW gesetzt werden und die erforderliche Adresse auf den Adressleitungen bereitgestellt wird. Auf die gelesenen Daten kann über die I/O-Leitungen (I/O0 bis I/O7) zugegriffen werden. Alle E/As (E/A0 bis E/A7) werden während der folgenden Ereignisse in einen hochohmigen Zustand versetzt:• Das Gerät wird abgewählt (CE HIGH)• Das Steuersignal OE wird deaktiviert.Merkmale- Hohe Geschwindigkeit: tAA = 10 ns • Niedrige Wirk- und Ruheströme - Wirkstrom: Icc = 38-mA typisch - Standby-Strom: Isb2 = 6-mA typisch• Betriebsspannungsbereich: 2,2 V bis 3,6 V• 1.0-V-Datenspeicherung• TTL-kompatible Ein- und Ausgänge• Pb-freie 44-polige TSOP II
    • Shop: reichelt elektronik
    • Price: 3.45 EUR excl. shipping
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    LT 1016 CN8 - Komparator, 1-fach, DIP-8
    Sehr schneller Komparator, 10ns(ultra fast precision comparator)Gehäuse: DIP-8Hersteller: Linear Technologie
    • Shop: reichelt elektronik
    • Price: 7.15 EUR excl. shipping
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    IS61WV25616BLL - High-Speed SRAM, 4 Mb (256 K x 16), 3,3 V, 10ns, TSOP-44
    Statisches Hochgeschwindigkeits-CMOS-RAM 3,3V 256kx16 10ns TSOP44(II) Beschreibung:Bei den ISSI IS61WV25616Axx/Bxx handelt es sich um statische 4.194.304-Bit-Hochgeschwindigkeits-RAMs, die als 262.144 Worte mal 16 Bit organisiert sind. Sie werden mit der Hochleistungs-CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Dieser äußerst zuverlässige Prozess in Verbindung mit innovativen Schaltungstechniken führt zu hochleistungsfähigen Bauelementen mit geringem Stromverbrauch. Wenn CE auf HIGH (abgewählt) steht, geht das Gerät in einen Standby-Modus über, in dem die Verlustleistung mit CMOS-Eingangspegeln nach unten reduziert werden kann. Eine einfache Speichererweiterung ist durch die Verwendung von Chip Enable- und Output Enable-Eingängen, CE und OE möglich. Der aktive LOW Write Enable (WE) steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen des Speichers. Ein Datenbyte ermöglicht den Zugriff auf Upper Byte (UB) und Lower Byte (LB). Die IS61WV6416DAxx/DBxx werden im JEDEC-Standardgehäuse mit 44-poligem TSOP Typ II, 44-poligem 400-mil SOJ und 48-poligem Mini-BGA (6mm x 8mm) gefertigt.Merkmale:• Hochgeschwindigkeits-Zugriffszeit: 10 ns- Niedrige Wirkleistung: 85 mW (typisch)- Niedrige Standby-Leistung: 7 mW (typisch) CMOS-Standby• Einzel-Stromversorgung Vdd 2,4V bis 3,6V• Vollständig statischer Betrieb: keine Uhr oder Auffrischung erforderlich• Drei Zustandsausgänge• Temperaturunterstützung für Industrie und Automobil• Bleifrei verfügbar• Datenkontrolle für obere und untere Bytes
    • Shop: reichelt elektronik
    • Price: 3.93 EUR excl. shipping

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