11 Results for : 45ns

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    IS62C256AL-45UL - SRAM, 256 Kb (32 K x 8), 5 V, 45ns, SOP-28
    32Kx8 Low Power CMOS Static RAM, SRAM, 5V 45ns SOP28BeschreibungDer ISSI IS62C256AL ist ein statisches 8-Bit-CMOS-RAM mit 32.768 Worten und geringem Stromverbrauch. Er wird unter Verwendung der leistungsstarken, stromsparenden CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Wenn CE auf HIGH (abgewählt) steht, geht das Gerät in einen Standby-Modus über, in dem die Verlustleistung bei CMOS-Eingangspegeln bis auf 150 µW (typisch) reduziert werden kann. Eine einfache Speichererweiterung ist durch die Verwendung eines aktiven LOW Chip Select (CE)-Eingangs und eines aktiven LOW Output Enable (OE)-Eingangs möglich. Die aktive LOW Write Enable (WE) steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen des Speichers.Der IS62C256AL/IS65C256AL ist pinkompatibel mit anderen 32Kx8 SRAMs im Kunststoff-SOP- oder TSOP-Gehäuse (Typ I).Merkmale• Zugriffszeit: 25 ns, 45 ns• Niedrige Wirkleistung: 200 mW (typisch)• Geringe Standby-Leistung - 150 µW (typisch) CMOS-Standby - 15 mW (typisch) Betrieb• Vollständig statischer Betrieb: keine Uhr oder Auffrischung erforderlich• TTL-kompatible Ein- und Ausgänge• Einzelne 5V-Stromversorgung• Bleifrei verfügbar• Industrie- und Automobiltemperaturen verfügbar
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    • Price: 1.55 EUR excl. shipping
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    CY62148ELL-45ZSX - SRAM, 4 Mb (512 K x 8), 5 V, 45ns, TSOP-32
    4-Mbit (512 K × 8) Static RAM, SRAM, 5V 512kx8 45ns TSOP32(II)Beschreibung:Der CY62148E ist ein hochleistungsfähiges statisches CMOS-RAM, das als 512 K-Worte mit 8 Bits organisiert ist. Dieses Bauelement zeichnet sich durch ein fortschrittliches Schaltungsdesign aus, das einen extrem niedrigen Standby-Strom liefert. Dies ist ideal für die Bereitstellung von More Battery Life™ (MoBL) in tragbaren Anwendungen. Das Gerät verfügt auch über eine automatische Abschaltfunktion, die den Stromverbrauch erheblich reduziert, wenn die Adressen nicht umschalten. Wenn das Gerät in den Standby-Modus versetzt wird, verringert sich der Stromverbrauch um mehr als 99%, wenn es abgewählt wird (CE HIGH). Die acht Eingangs- und Ausgangspins (I/O0 bis I/O7) werden in einen hochohmigen Zustand versetzt, wenn der Baustein abgewählt (CE HIGH), Ausgänge deaktiviert (OE HIGH) oder während eines aktiven Schreibvorgangs (CE LOW und WE LOW). Um auf das Gerät zu schreiben, nehmen Sie die Eingänge Chip Enable (CE) und Write Enable (WE) LOW. Die Daten auf den acht I/O-Pins (I/O0 bis I/O7) werden dann an die auf den Adresspins (A0 bis A18) angegebene Stelle geschrieben. Um aus dem Gerät zu lesen, nehmen Sie Chip Enable (CE) und Output Enable (OE) LOW, während Sie Write Enable (WE) HIGH erzwingen. Unter diesen Bedingungen erscheint der Inhalt der durch die Adresspins spezifizierten Speicherstelle auf den E/A-Pins. Der Baustein CY62148E eignet sich für den Anschluss von Prozessoren mit TTL-I/P-Pegeln. Er ist nicht für Prozessoren geeignet, die CMOS I/P-Level benötigen. Merkmale:• Sehr hohe Geschwindigkeit: 45 ns• Spannungsbereich: 4,5 V bis 5,5 V• Pin kompatibel mit CY62148B• Extrem niedrige Standby-Leistung - Typischer Bereitschaftsstrom: 1 µA - Maximaler Standby-Strom: 7 µA (Industrie)• Ultra-niedrige Wirkleistung - Typischer Wirkstrom: 2,0 mA bei f = 1 MHz- Einfache Speichererweiterung mit CE- und OE-Funktionen• Automatische Abschaltung bei Abwahl• Komplementärer Metalloxid-Halbleiter (CMOS) für optimale Geschwindigkeit und Leistung• Verfügbar im Pb-freien 32-Pin Thin Small Outline Package (TSOP) II und 32-polige SOIC-Gehäuse (Small-Outline Integrated Circuit)[1]
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    • Price: 4.10 EUR excl. shipping
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    CY62128ELL-45SX - SRAM, 1 Mb (128 K x 8), 5 V, 45ns, SOP-32
    1-Mbit (128 K × 8) Static RAM, SRAM, 5V 128kx8 45ns SOP32BeschreibungDer CY62128E ist ein hochleistungsfähiger statischer CMOS-RAM, der als 128K-Wörter mit 8 Bit organisiert ist. Dieses Bauelement zeichnet sich durch ein fortschrittliches Schaltungsdesign aus, das einen extrem niedrigen aktiven Strom liefert. Dies ist ideal für die Bereitstellung von More Battery Life™ (MoBL) in tragbaren Anwendungen. Das Gerät verfügt auch über eine automatische Abschaltfunktion, die den Stromverbrauch erheblich reduziert, wenn die Adressen nicht umschalten. Wenn das Gerät in den Standby-Modus versetzt wird, reduziert sich der Stromverbrauch um mehr als 99 Prozent, wenn es abgewählt wird (CE1 HIGH oder CE2 LOW). Die acht Eingangs- und Ausgangspins (I/O0 bis I/O7) werden in einen hochohmigen Zustand versetzt, wenn der Baustein abgewählt wird (CE1 HIGH oder CE2 LOW), die Ausgänge deaktiviert werden (OE HIGH) oder ein Schreibvorgang läuft (CE1 LOW und CE2 HIGH und WE LOW) Um auf den Baustein zu schreiben, nehmen Sie die Eingänge Chip Enable (CE1 LOW und CE2 HIGH) und Write Enable (WE) LOW. Die Daten auf den acht I/O-Pins (I/O0 bis I/O7) werden dann an die auf den Adresspins (A0 bis A16) angegebene Stelle geschrieben. Um aus dem Gerät zu lesen, nehmen Sie Chip Enable (CE1 LOW und CE2 HIGH) und Output Enable (OE) LOW, während Sie Write Enable (WE) HIGH erzwingen. Unter diesen Bedingungen erscheint der Inhalt der durch die Adresspins spezifizierten Speicherstelle auf den E/A-Pins. Der Baustein CY62128E eignet sich für den Anschluss von Prozessoren mit TTL-I/P-Pegeln. Er ist nicht für Prozessoren geeignet, die CMOS I/P-Level benötigen. Merkmale• Ultra-niedriger Standby-Strom• Sehr hohe Geschwindigkeit: 45 ns• Temperaturbereiche: Industrie: -40 °C bis +85 °C• Spannungsbereich: 4,5 V bis 5,5 V• Pin kompatibel mit CY62128B• Extrem niedrige Standby-Leistung - Typischer Standby-Strom: 1 A - Maximaler Standby-Strom: 4 A (Industrie)• Ultra-niedrige Wirkleistung - Typischer Wirkstrom: 1,3 mA bei f = 1 MHz• Einfache Speichererweiterung mit CE1, CE2 und OE-Funktionen• Automatisches Ausschalten bei Abwahl• Komplementärer Metalloxid-Halbleiter (CMOS) für optimale Geschwindigkeit und Leistung• Angeboten in standardmäßigen Pb-freien 32-poligen STSOP-, 32-poligen SOIC- und 32-poligen Thin Small Outline Packages (TSOP) Typ I-Gehäusen
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    • Price: 2.35 EUR excl. shipping
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    CY62158ELL-45ZSX - SRAM, 8 Mb (1 M x 8), 5 V, 45ns, TSOP-44
    8-Mbit (1 M × 8) Static RAM, SRAM LLPow as 5V 1Mx8 45ns TSOP44(II)BeschreibungDas CY62158E MoBL® ist ein hochleistungsfähiges statisches CMOS-RAM, das als 1024K Wörter mit 8 Bit organisiert ist. Dieses Bauelement zeichnet sich durch ein fortschrittliches Schaltungsdesign aus, das einen extrem niedrigen aktiven Strom liefert. Dies ist ideal für die Bereitstellung von More Battery Life™ (MoBL) in tragbaren Anwendungen. Das Gerät verfügt außerdem über eine automatische Abschaltfunktion, die den Stromverbrauch erheblich reduziert. Wenn das Gerät in den Standby-Modus versetzt wird, verringert sich der Stromverbrauch bei Abwahl (CE1 HIGH oder CE2 LOW) erheblich. Um auf das Gerät zu schreiben, nehmen Sie Chip Enables (CE1 LOW und CE2 HIGH) und Write Enable (WE) Eingang LOW. Die Daten auf den acht I/O-Pins (I/O0 bis I/O7) werden dann an die auf den Adresspins (A0 bis A19) angegebene Stelle geschrieben. Um aus dem Gerät zu lesen, nehmen Sie Chip Enables (CE1 LOW und CE2 HIGH) und OE LOW, während Sie das WE HIGH erzwingen. Unter diesen Bedingungen erscheint der Inhalt der durch die Adresspins spezifizierten Speicherstelle auf den E/A-Pins. Die acht Eingangs- und Ausgangspins (I/O0 bis I/O7) werden in einen hochohmigen Zustand versetzt, wenn der Baustein abgewählt wird (CE1 HIGH oder CE2 LOW), die Ausgänge deaktiviert werden (OE HIGH) oder ein Schreibvorgang läuft (CE1 LOW und CE2 HIGH und WE LOW). Eine vollständige Beschreibung der Lese- und Schreibmodi finden Sie in der Wahrheitstabelle auf Seite 11. Der Baustein CY62158E eignet sich für den Anschluss von Prozessoren mit TTL-I/P-Pegeln. Er ist nicht für Prozessoren geeignet, die CMOS I/P-Level benötigen. Merkmale• Sehr hohe Geschwindigkeit: 45 ns - Großer Spannungsbereich: 4,5 V-5,5 V• Ultra-niedrige Wirkleistung - Typischer Wirkstrom: 1,8 mA bei f = 1 MHz - Typischer Wirkstrom: 18 mA bei f = fmax• Extrem niedrige Standby-Leistung - Typischer Standby-Strom: 2 A - Maximaler Standby-Strom: 8 A• Einfache Speichererweiterung mit CE1, CE2 und OE-Funktionen• Automatisches Ausschalten bei Abwahl• CMOS für optimale Geschwindigkeit und Leistung• Wird im Pb-freien 44-poligen TSOP II-Paket angeboten
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    • Price: 12.75 EUR excl. shipping
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    CY62146ELL-45ZSX - SRAM, 4 Mb (256 K x 16), 5 V, 45ns, TSOP-44
    4-Mbit (256 K × 16) Static RAM, SRAM, 5V 256kx16 45ns TSOP32(II)BeschreibungDer CY62146E ist ein hochleistungsfähiges statisches CMOS-RAM, das als 256K-Wörter mit 16 Bit organisiert ist. Dieses Bauelement zeichnet sich durch ein fortschrittliches Schaltungsdesign aus, das einen extrem niedrigen aktiven Strom liefert. Es ist ideal für die Bereitstellung einer längeren Batterielebensdauer (MoBL®) in tragbaren Anwendungen. Das Gerät verfügt auch über eine automatische Abschaltfunktion, die den Stromverbrauch reduziert, wenn die Adressen nicht umschalten. Wenn das Gerät in den Standby-Modus versetzt wird, verringert sich der Stromverbrauch um mehr als 99%, wenn es abgewählt wird (CE HIGH). Die Eingangs- und Ausgangspins (I/O0 bis I/O15) werden in einen hochohmigen Zustand versetzt, wenn der Baustein abgewählt wird (CE HIGH), die Ausgänge deaktiviert werden (OE HIGH), sowohl Byte High Enable als auch Byte Low Enable deaktiviert werden (BHE, BLE HIGH) oder während eines Schreibvorgangs (CE LOW und WE LOW). Um auf das Gerät zu schreiben, nehmen Sie die Eingänge Chip Enable (CE) und Write Enable (WE) LOW. Wenn Byte Low Enable (BLE) LOW ist, dann werden Daten von I/O-Pins (I/O0 bis I/O7) an die auf den Adresspins (A0 bis A17) angegebene Stelle geschrieben. Wenn Byte High Enable (BHE) LOW ist, dann werden Daten von I/O-Pins (I/O8 bisI/O15) wird an die auf den Adresspins (A0 bis A17) angegebene Stelle geschrieben. Um aus dem Gerät zu lesen, nehmen Sie Chip Enable (CE) und Output Enable (OE) LOW, während Sie Write Enable (WE) HIGH erzwingen. Wenn Byte Low Enable (BLE) LOW ist, erscheinen Daten aus der durch die Adresspins angegebenen Speicherstelle auf I/O0 bis I/O7. Wenn Byte High Enable (BHE) LOW ist, erscheinen Daten aus dem Speicher auf I/O8 bis I/O15. Siehe Wahrheitstabelle auf Seite 11 für eine vollständige Beschreibung der Lese- und Schreibmodi. Der Baustein CY62146E eignet sich für den Anschluss von Prozessoren mit TTL-I/P-Pegeln. Er ist nicht für Prozessoren geeignet, die CMOS I/P-Level benötigen. Merkmale• Sehr hohe Geschwindigkeit: 45 ns• Großer Spannungsbereich: 4,5 V bis 5,5 V• Extrem niedrige Standby-Leistung - Typischer Standby-Strom: 1 µA - Maximaler Standby-Strom: 7 µA• Ultra-niedrige Wirkleistung - Typischer Wirkstrom: 2 mA bei f = 1 MHz• Einfache Speichererweiterung mit CE- und OE-Funktionen• Automatisches Ausschalten bei Abwahl• Komplementärer Metalloxid-Halbleiter (CMOS) für optimale Geschwindigkeit und Leistung• Erhältlich im Pb-freien 44-Pin Thin Small Outline Package (TSOP) Typ II-Paket
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    • Price: 13.10 EUR excl. shipping
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    CY62128ELL-45ZXI - SRAM, 1 Mb (128 K x 8 ), 5 V, 45ns, TSOP-32
    1-Mbit (128K × 8-Bit) Statischer RAM BeschreibungDer CY62128E ist ein hochleistungsfähiger statischer CMOS-RAM, der als 128K-Wörter mit 8 Bit organisiert ist. Dieses Bauelement zeichnet sich durch ein fortschrittliches Schaltungsdesign aus, das einen extrem niedrigen aktiven Strom liefert. Dies ist ideal für die Bereitstellung von More Battery Life™ (MoBL) in tragbaren Anwendungen. Das Gerät verfügt auch über eine automatische Abschaltfunktion, die den Stromverbrauch erheblich reduziert, wenn die Adressen nicht umschalten. Wenn das Gerät in den Standby-Modus versetzt wird, reduziert sich der Stromverbrauch um mehr als 99 Prozent, wenn es abgewählt wird (CE1 HIGH oder CE2 LOW). Die acht Eingangs- und Ausgangspins (I/O0 bis I/O7) werden in einen hochohmigen Zustand versetzt, wenn der Baustein abgewählt wird (CE1 HIGH oder CE2 LOW), die Ausgänge deaktiviert werden (OE HIGH) oder ein Schreibvorgang läuft (CE1 LOW und CE2 HIGH und WE LOW) Um auf den Baustein zu schreiben, nehmen Sie die Eingänge Chip Enable (CE1 LOW und CE2 HIGH) und Write Enable (WE) LOW. Die Daten auf den acht I/O-Pins (I/O0 bis I/O7) werden dann an die auf den Adresspins (A0 bis A16) angegebene Stelle geschrieben. Um aus dem Gerät zu lesen, nehmen Sie Chip Enable (CE1 LOW und CE2 HIGH) und Output Enable (OE) LOW, während Sie Write Enable (WE) HIGH erzwingen. Unter diesen Bedingungen erscheint der Inhalt der durch die Adresspins spezifizierten Speicherstelle auf den E/A-Pins. Der Baustein CY62128E eignet sich für den Anschluss von Prozessoren mit TTL-I/P-Pegeln. Er ist nicht für Prozessoren geeignet, die CMOS I/P-Level benötigen. Weitere Einzelheiten und Alternativvorschläge finden Sie unter Elektrische Kenndaten auf Seite 5.Merkmale• Ultra-niedriger Standby-Strom• Sehr hohe Geschwindigkeit: 45 ns• Temperaturbereiche: Industrie: -40 °C bis +85 °C• Spannungsbereich: 4,5 V bis 5,5 V• Pin kompatibel mit CY62128B• Extrem niedrige Standby-Leistung - Typischer Standby-Strom: 1 A - Maximaler Standby-Strom: 4 A (Industrie)• Ultra-niedrige Wirkleistung - Typischer Wirkstrom: 1,3 mA bei f = 1 MHz• Einfache Speichererweiterung mit CE1, CE2 und OE-Funktionen• Automatisches Ausschalten bei Abwahl• Komplementärer Metalloxid-Halbleiter (CMOS) für optimale Geschwindigkeit und Leistung• Angeboten in standardmäßigen Pb-freien 32-poligen STSOP-, 32-poligen SOIC- und 32-poligen Thin Small Outline Packages (TSOP) Typ I-Gehäusen
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    • Price: 2.20 EUR excl. shipping
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    AT27C512R-45PU - OTP-EPROM, 512 Kb (64-Kbit x 8) , 45 ns , 5 V, PDIP-28
    Atmel AT27C512R512K (64K x 8) Einmalig programmierbarer, schreibgeschützter SpeicherBeschreibungDer Atmel® AT27C512R ist ein 524.288-Bit-OTP-EPROM (One-Time-Programmable-Only-Read-Only-Speicher) mit niedrigem Stromverbrauch und hoher Leistung, der als 64K mal 8 Bit organisiert ist. Er benötigt im normalen Lesebetrieb nur eine 5V-Stromversorgung. Auf jedes Byte kann in weniger als 45ns zugegriffen werden, wodurch die Notwendigkeit für geschwindigkeitsreduzierende WAIT-Zustände bei Hochleistungs-Mikroprozessorsystemen entfällt. Die Atmel-skalierte CMOS-Technologie bietet hohe Geschwindigkeit, geringeren aktiven Stromverbrauch und eine deutlich schnellere Programmierung. Der Stromverbrauch beträgt typischerweise nur 8 mA im aktiven Modus und weniger als 10µA im Standby-Modus. Der AT27C512R ist in einer Auswahl von JEDEC-zugelassenen PDIP- und PLCC-Gehäusen erhältlich, die dem Industriestandard entsprechen und einmal programmierbar (OTP) sind. Alle Bausteine verfügen über eine Zweileitungssteuerung (CE, OE), um Entwicklern die Flexibilität zu geben, Buskonflikte zu vermeiden. Mit einer Speicherkapazität von 64K Byte ermöglicht der AT27C512R die zuverlässige Speicherung von Firmware und den Zugriff des Systems ohne die Verzögerungen von Massenspeichermedien. Der AT27C512R verfügt über zusätzliche Funktionen, um eine hohe Qualität und einen effizienten Produktionseinsatz zu gewährleisten. Der schnelle Programmieralgorithmus reduziert die zur Programmierung des Bauteils erforderliche Zeit und garantiert eine zuverlässige Programmierung. Die Programmierzeit beträgt typischerweise nur 100µs/Byte. Der integrierte Produktidentifikationscode identifiziert das Bauteil und den Hersteller elektronisch. Dieses Merkmal wird von Industriestandard-Programmiergeräten verwendet, um die richtigen Programmieralgorithmen und -spannungen auszuwählen.Merkmale• Schnelle Lesezugriffszeit - 70/45ns• CMOS-Betrieb mit niedrigem Stromverbrauch- 100µA max Standby- 20mA max. aktiv bei 5MHz• JEDEC-Standard-Gehäuse- PDIP mit 28 Pin- 32-Pin-PLCC• 5V ± 10% Versorgung• Hochzuverlässige CMOS-Technologie- 2.000V ESD-Schutz- 200mA-Latchup-Immunität• Algorithmus zur schnellen Programmierung - 100µs/byte (typisch)• CMOS- und TTL-kompatible Ein- und Ausgänge• Integrierter Produktidentifikationscode• Industrie- und Automobiltemperaturbereiche• Grüne (Pb/halide-freie) Verpackungsoption
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    CY62167G-45ZXI - SRAM, 16 Mb (2 M x 8/ 1 M x 16 ), 5 V, 45ns, TSOP-48
    16-Mbit (1Mb × 16-bit/2Mb × 8-bit) Statisches RAM mit Fehlerkorrekturcode (ECC)BeschreibungCY62167G und CY62167GE sind hochleistungsfähige CMOS-SRAM-Bausteine mit niedrigem Stromverbrauch (MoBL®) und eingebettetem ECC[1]. Beide Bausteine werden in Single- und Dual-Chip-Enable-Optionen und in Mehrfach-Pin-Konfigurationen angeboten. Der Baustein CY62167GE enthält eineERR-Pin, der ein Einzelbit-Fehlererkennungs- und Korrekturereignis während eines Lesezyklus signalisiert. Um auf Geräte mit einem einzigen Chip-Freigabeeingang zuzugreifen, setzen Sie den Chip-Freigabeeingang (CE) auf LOW. Um auf Dual-Chip-Freigabegeräte zuzugreifen, müssen beide Chip-Freigabeeingänge aktiviert werden - CE1 als LOW und CE2 als HIGH. Um Datenschreiboperationen durchzuführen, setzen Sie den Write Enable (WE)-Eingang auf LOW und stellen die Daten und die Adresse an den Datenpins (I/O0 bis I/O15) bzw. Adresspins (A0 bis A19) des Geräts bereit. Die Eingänge Byte High Enable (BHE) und Byte Low Enable (BLE) steuern Byte-Schreiboperationen und schreiben Daten auf den entsprechenden E/A-Leitungen in die angegebene Speicherstelle. BHE steuert I/O8 bis I/O15 und BLE steuert I/O0 bis I/O7. Um Daten zu lesen, aktivieren Sie den Eingang Output Enable (OE) und geben Sie die erforderliche Adresse auf den Adressleitungen an. Sie können auf Lesedaten auf den E/A-Leitungen (I/O0 bis I/O15) zugreifen. Um Byte-Zugriffe durchzuführen, setzen Sie das erforderliche Byte-Freigabesignal (BHE oder BLE) ein, um entweder das obere oder das untere Datenbyte von der angegebenen Adressposition zu lesen. Alle E/As (I/O0 bis I/O15) werden in einen hochohmigen Zustand versetzt, wenn der Baustein abgewählt wird (CE HIGH für einen Single-Chip-Freigabebaustein und CE1 HIGH / CE2 LOW für einen Dual-Chip-Freigabebaustein), oder die Steuersignale deaktiviert werden (OE, BLE, BHE). Diese Bausteine verfügen über eine einzigartige Byte-Power-down-Funktion, bei der die Bausteine, wenn beide Byte-Freigaben (BHE und BLE) deaktiviert sind, unabhängig vom Zustand der Chip-Freigaben nahtlos in den Standby-Modus wechseln und dadurch Strom sparen. Bei den CY62167GE-Bausteinen wird die Erkennung und Korrektur eines Einzelbitfehlers an der Stelle, auf die zugegriffen wird, durch die Behauptung des ERR-Ausgangs (ERR = High) angezeigt. Die Bausteine CY62167G und CY62167GE sind in einerPb-freie 48-polige TSOP I-Gehäuse und VFBGA-Gehäuse mit 48 Kugeln.Merkmale• Ultra-niedriger Standby-Strom - Typischer Standby-Strom: 5,5 µA - Maximaler Standby-Strom: 16 µA• Hohe Geschwindigkeit: 45 ns/55 ns• Eingebetteter fehlerkorrigierender Code (ECC) für Einzelbit-Fehlerkorrektur• Großer Spannungsbereich: 1,65 V bis 2,2 V, 2,2 V bis 3,6 V und 4,5 V bis 5,5 V• 1.0-V-Datenspeicherung• Transistor-Transistor-Logik (TTL)-kompatible Ein- und Ausgänge• Fehleranzeige-Pin (ERR) zur Anzeige der 1-Bit-Fehlererkennung und -Korrektur• 48-poliges TSOP I-Gehäuse, konfigurierbar als 1M × 16 oder 2M × 8 SRAM• Erhältlich in Pb-freiem 48-Ball VFBGA und 48-Pin TSOP I Gehäuse
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    IS61C6416AL-12TL - High-Speed SRAM, 1 Mb (64 K x 16), 5 V, 12ns, TSOP-44
    High-Speed CMOS Static RAM 5V 64kx16 12ns TSOP44(II)Beschreibung:Die ISSI IS61C6416AL, IS62C6416AL, IS64C6416AL und IS65C6416AL sind statische Hochgeschwindigkeits-RAMs mit 1.048.576 Bit, die als 65.536 Wörter mit 16 Bit organisiert sind. Sie werden mit der Hochleistungs-CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Dieses äußerst zuverlässige Verfahren in Verbindung mit innovativen Schaltungstechniken ermöglicht Zugriffszeiten von bis zu 12 ns bei geringem Stromverbrauch. Wenn CE auf HIGH (abgewählt) steht, geht das Gerät in einen Standby-Modus, in dem die Verlustleistung mit CMOS-Eingangspegeln nach unten reduziert werden kann. Eine einfache Speichererweiterung ist durch die Verwendung von Chip-Enable- und Output-Enable-Eingängen, CE und OE möglich. Die aktive LOW Write Enable (WE) steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen des Speichers. Ein Datenbyte ermöglicht den Zugriff auf Upper Byte (UB) und Lower Byte (LB). Die IS61C6416AL, IS62C6416AL, IS64C6416AL und IS65C6416AL sind in den JEDEC-Standards 44-poliger 400-mil SOJ und 44-poliger TSOP (Typ II) verpackt.Merkmale:• IS61C6416AL und IS64C6416AL - Hochgeschwindigkeits-Zugriffszeit: 12 ns, 15ns - Niedrige Wirkleistung: 175 mW (typisch) - Niedrige Standby-Leistung: 1 mW (typisch) CMOS-Standby• IS62C6416AL und IS65C6416AL - Hochgeschwindigkeits-Zugriffszeit: 35 ns, 45ns - Niedrige Wirkleistung: 50 mW (typisch) - Geringe Standby-Leistung: 100 µW (typisch) CMOS-Standby• TTL-kompatible Schnittstellenpegel• Einzelne 5V ± 10% Stromversorgung• Vollständig statischer Betrieb: keine Uhr oder Auffrischung erforderlich• Verfügbar im 44-poligen SOJ- und TSOP (Typ II)• Kommerzielle, industrielle und Automobil-Temperatur verfügbare Bereiche• Bleifrei verfügbar
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    AT27C010-70PU - OTP-EPROM, 1024 Kb (128-Kbit x 8) , 70 ns , 5 V, PDIP-32
    1Mb (128Kbit x 8) OTP-EPROM Beschreibung:Der Atmel® AT27C010 ist ein stromsparender, hochleistungsfähiger 1.048.576-bit, einmalig programmierbarer, schreibgeschützter Speicher (OTP EPROM), der als 128K mal 8-bit organisiert ist. Der Baustein benötigt im normalen Lesebetrieb nur eine 5V-Stromversorgung. Auf jedes Byte kann in weniger als 45ns zugegriffen werden, wodurch die Notwendigkeit für geschwindigkeitsreduzierende WAIT-Zustände bei Hochleistungsmikroprozessorsystemen entfällt. Im Lesemodus verbraucht der AT27C010 typischerweise nur 8 mA. Der Versorgungsstrom im Standby-Modus ist typischerweise kleiner als 10µA. Der AT27C010 ist in einer Auswahl von JEDEC-zugelassenen PDIP- und PLCC-Gehäusen erhältlich, die dem Industriestandard entsprechen und einmalig programmierbar (OTP) sind. Alle Bausteine verfügen über eine Zweileitungssteuerung (CE, OE), um Entwicklern die Flexibilität zu geben, Buskonflikte zu vermeiden. Mit einer Speicherkapazität von 128K Byte ermöglicht der AT27C010 die zuverlässige Speicherung von Firmware und den Zugriff des Systems ohne die Verzögerungen von Massenspeichermedien. Der AT27C010 verfügt über zusätzliche Funktionen, um eine hohe Qualität und einen effizienten Produktionseinsatz zu gewährleisten. Der schnelle Programmieralgorithmus reduziert die zur Programmierung des Teils erforderliche Zeit und garantiert eine zuverlässige Programmierung. Die Programmierzeit beträgt typischerweise nur 100 µs/Byte. Der integrierte Produktidentifikationscode identifiziert das Bauteil und den Hersteller elektronisch. Diese Funktion wird von Industriestandard-Programmiergeräten verwendet, um die richtigen Programmieralgorithmen und -spannungen auszuwählen.Merkmale• Schnelle Lesezugriffszeit - 70ns• CMOS-Betrieb mit niedrigem Stromverbrauch- 100µA max Standby- 25mA max. aktiv bei 5MHz• JEDEC-Standard-Pakete- 32-Kanal-PDIP- 32-Kanal-PLCC• 5V±10% Versorgung• Hochzuverlässige CMOS-Technologie- 2.000V ESD-Schutz- 200mA-Latchup-Immunität• Algorithmus zur schnellen Programmierung - 100µs/byte (typisch)• CMOS- und TTL-kompatible Ein- und Ausgänge• Integrierter Produktidentifikationscode• Industrie- und Automobiltemperaturbereiche• Grüne (Pb/fallwasserfreie) Verpackungsoption
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