43 Results for : abgewählt

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    Sascha Vogel: Physik in Hollywood ? Die Science-Show
    Funktionieren eigentlich Lichtschwerter? Wie kommt es eigentlich, dass James Bond immer gewinnt? Was hat Spiderman mit Physik zu tun und wie schafft es Iron Man eigentlich, seinen Teilchen-Beschleuniger so schnell zu bauen? Dass Hollywood nicht der Gipfel des wissenschaftlichen Realismus ist, ist hinlänglich bekannt. Wie dick es allerdings kommt, zeigt Sascha Vogel mit seinem preisgekrönten Programm ?Physik in Hollywood?. Aber keine Angst ? hier geht?s nicht um Formeln und Naturkonstanten, sondern um den Spaß an und in der Wissenschaft! In Vogels Rundumschlag durch die Filmwelt bleibt mit Sicherheit kein Auge trocken, auch wenn man Physik schon nach der dritten Klasse abgewählt hat. Von Armageddon über Star Wars bis zum Zoolander ? nichts ist vor ihm sicher! Physik in Hollywood ? mit Sicherheit anders!
    • Shop: Konzertkasse
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    Mutige 1-Zimmer-Wohnung zur Miete in Lavapiés
    ** Der echte Überlebende ** Weil ich immer als Reality-Star leben wollte ** Wird es mir hier gefallen? ** Ja. Sie werden, wenn Sie die Bindung zu Ihren Freunden oder Ihrer Familie stärken möchten. Wenn ja, werden Sie das große Schlafzimmer mit Dschungel-Print und drei Betten lieben. Schnarcher werden abgewählt. **Ja wirklich? Erzähl mir mehr...** Sie erhalten eine super coole lila Couch für Ihre Beichte. Dann brechen Sie zusammen am E...
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    Ein Jahrhundert wird abgewählt
    Ein Jahrhundert wird abgewählt ab 19.99 € als epub eBook: Europa im Umbruch 1980-1990Erweiterte Neuausgabe. Aus dem Bereich: eBooks, Belletristik, Erzählungen,
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    CY62148ELL-45ZSX - SRAM, 4 Mb (512 K x 8), 5 V, 45ns, TSOP-32
    4-Mbit (512 K × 8) Static RAM, SRAM, 5V 512kx8 45ns TSOP32(II)Beschreibung:Der CY62148E ist ein hochleistungsfähiges statisches CMOS-RAM, das als 512 K-Worte mit 8 Bits organisiert ist. Dieses Bauelement zeichnet sich durch ein fortschrittliches Schaltungsdesign aus, das einen extrem niedrigen Standby-Strom liefert. Dies ist ideal für die Bereitstellung von More Battery Life™ (MoBL) in tragbaren Anwendungen. Das Gerät verfügt auch über eine automatische Abschaltfunktion, die den Stromverbrauch erheblich reduziert, wenn die Adressen nicht umschalten. Wenn das Gerät in den Standby-Modus versetzt wird, verringert sich der Stromverbrauch um mehr als 99%, wenn es abgewählt wird (CE HIGH). Die acht Eingangs- und Ausgangspins (I/O0 bis I/O7) werden in einen hochohmigen Zustand versetzt, wenn der Baustein abgewählt (CE HIGH), Ausgänge deaktiviert (OE HIGH) oder während eines aktiven Schreibvorgangs (CE LOW und WE LOW). Um auf das Gerät zu schreiben, nehmen Sie die Eingänge Chip Enable (CE) und Write Enable (WE) LOW. Die Daten auf den acht I/O-Pins (I/O0 bis I/O7) werden dann an die auf den Adresspins (A0 bis A18) angegebene Stelle geschrieben. Um aus dem Gerät zu lesen, nehmen Sie Chip Enable (CE) und Output Enable (OE) LOW, während Sie Write Enable (WE) HIGH erzwingen. Unter diesen Bedingungen erscheint der Inhalt der durch die Adresspins spezifizierten Speicherstelle auf den E/A-Pins. Der Baustein CY62148E eignet sich für den Anschluss von Prozessoren mit TTL-I/P-Pegeln. Er ist nicht für Prozessoren geeignet, die CMOS I/P-Level benötigen. Merkmale:• Sehr hohe Geschwindigkeit: 45 ns• Spannungsbereich: 4,5 V bis 5,5 V• Pin kompatibel mit CY62148B• Extrem niedrige Standby-Leistung - Typischer Bereitschaftsstrom: 1 µA - Maximaler Standby-Strom: 7 µA (Industrie)• Ultra-niedrige Wirkleistung - Typischer Wirkstrom: 2,0 mA bei f = 1 MHz- Einfache Speichererweiterung mit CE- und OE-Funktionen• Automatische Abschaltung bei Abwahl• Komplementärer Metalloxid-Halbleiter (CMOS) für optimale Geschwindigkeit und Leistung• Verfügbar im Pb-freien 32-Pin Thin Small Outline Package (TSOP) II und 32-polige SOIC-Gehäuse (Small-Outline Integrated Circuit)[1]
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    CY62148ELL-55SX - SRAM, 4 Mb (512 K x 8), 5 V, 55ns, SOP-32
    4-Mbit (512 K × 8) Static RAM, LLPow as 5V 512kx8 55ns SOP32Beschreibung:Der CY62148E ist ein hochleistungsfähiges statisches CMOS-RAM, das als 512 K-Worte mit 8 Bits organisiert ist. Dieses Bauelement zeichnet sich durch ein fortschrittliches Schaltungsdesign aus, das einen extrem niedrigen Standby-Strom liefert. Dies ist ideal für die Bereitstellung von More Battery Life™ (MoBL) in tragbaren Anwendungen. Das Gerät verfügt auch über eine automatische Abschaltfunktion, die den Stromverbrauch erheblich reduziert, wenn die Adressen nicht umschalten. Wenn das Gerät in den Standby-Modus versetzt wird, verringert sich der Stromverbrauch um mehr als 99%, wenn es abgewählt wird (CE HIGH). Die acht Eingangs- und Ausgangspins (I/O0 bis I/O7) werden in einen hochohmigen Zustand versetzt, wenn der Baustein abgewählt (CE HIGH), Ausgänge deaktiviert (OE HIGH) oder während eines aktiven Schreibvorgangs (CE LOW und WE LOW). Um auf das Gerät zu schreiben, nehmen Sie die Eingänge Chip Enable (CE) und Write Enable (WE) LOW. Die Daten auf den acht I/O-Pins (I/O0 bis I/O7) werden dann an die auf den Adresspins (A0 bis A18) angegebene Stelle geschrieben. Um aus dem Gerät zu lesen, nehmen Sie Chip Enable (CE) und Output Enable (OE) LOW, während Sie Write Enable (WE) HIGH erzwingen. Unter diesen Bedingungen erscheint der Inhalt der durch die Adresspins spezifizierten Speicherstelle auf den E/A-Pins. Der Baustein CY62148E eignet sich für den Anschluss von Prozessoren mit TTL-I/P-Pegeln. Er ist nicht für Prozessoren geeignet, die CMOS I/P-Level benötigen. Merkmale:• Sehr hohe Geschwindigkeit: 55 ns• Spannungsbereich: 4,5 V bis 5,5 V• Pin kompatibel mit CY62148B• Extrem niedrige Standby-Leistung - Typischer Bereitschaftsstrom: 1 µA - Maximaler Standby-Strom: 7 µA (Industrie)• Ultra-niedrige Wirkleistung - Typischer Wirkstrom: 2,0 mA bei f = 1 MHz- Einfache Speichererweiterung mit CE- und OE-Funktionen• Automatische Abschaltung bei Abwahl• Komplementärer Metalloxid-Halbleiter (CMOS) für optimale Geschwindigkeit und Leistung• Verfügbar im Pb-freien 32-Pin Thin Small Outline Package (TSOP) II und 32-polige SOIC-Gehäuse (Small-Outline Integrated Circuit)[1]
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    IS61WV5128BLL-10 - High-Speed SRAM, 4 Mb (512 K x 8), 3,3 V, 10ns, TSOP-44
    Statisches Hochgeschwindigkeits-CMOS-RAM 3,3V 512kx8 10ns TSOP44(II) Beschreibung:Die ISSI IS61WV5128Bxx sind sehr schnelle statische 8-Bit-CMOS-RAMs mit 524.288 Wörtern und niedrigem Stromverbrauch. Die IS61/64WV5128Bxx werden mit der Hochleistungs-CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Dieser äußerst zuverlässige Prozess in Verbindung mit innovativen Schaltungstechniken führt zu einer höheren Leistung und Geräten mit niedrigem Stromverbrauch. Wenn CE auf HIGH (abgewählt) steht, geht das Gerät in einen Standby-Modus über, in dem die Verlustleistung mit CMOS-Eingangspegeln nach unten reduziert werden kann. Die IS61/64WV5128Bxx arbeiten mit einer einzigen Stromversorgung. Die IS61/64WV5128BLL sind in 36-poligen 400-mil SOJ- und 44-poligen TSOP-Gehäusen (Typ II) erhältlich. Merkmale:• Hochgeschwindigkeits-Zugriffszeit: 10 ns• Niedrige Wirkleistung: 85 mW (typisch)• Niedrige Standby-Leistung: 7 mW (typisch) CMOS-Standby• Einzel-Stromversorgung Vdd 2,4V bis 3,6V• Vollständig statischer Betrieb: keine Uhr oder Auffrischung erforderlich• Drei Zustandsausgänge• Temperaturunterstützung für Industrie und Automobil• Bleifrei verfügbar
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    • Price: 6.55 EUR excl. shipping
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    IS62C256AL-45UL - SRAM, 256 Kb (32 K x 8), 5 V, 45ns, SOP-28
    32Kx8 Low Power CMOS Static RAM, SRAM, 5V 45ns SOP28BeschreibungDer ISSI IS62C256AL ist ein statisches 8-Bit-CMOS-RAM mit 32.768 Worten und geringem Stromverbrauch. Er wird unter Verwendung der leistungsstarken, stromsparenden CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Wenn CE auf HIGH (abgewählt) steht, geht das Gerät in einen Standby-Modus über, in dem die Verlustleistung bei CMOS-Eingangspegeln bis auf 150 µW (typisch) reduziert werden kann. Eine einfache Speichererweiterung ist durch die Verwendung eines aktiven LOW Chip Select (CE)-Eingangs und eines aktiven LOW Output Enable (OE)-Eingangs möglich. Die aktive LOW Write Enable (WE) steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen des Speichers.Der IS62C256AL/IS65C256AL ist pinkompatibel mit anderen 32Kx8 SRAMs im Kunststoff-SOP- oder TSOP-Gehäuse (Typ I).Merkmale• Zugriffszeit: 25 ns, 45 ns• Niedrige Wirkleistung: 200 mW (typisch)• Geringe Standby-Leistung - 150 µW (typisch) CMOS-Standby - 15 mW (typisch) Betrieb• Vollständig statischer Betrieb: keine Uhr oder Auffrischung erforderlich• TTL-kompatible Ein- und Ausgänge• Einzelne 5V-Stromversorgung• Bleifrei verfügbar• Industrie- und Automobiltemperaturen verfügbar
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    • Price: 1.55 EUR excl. shipping
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    62256-70 M - Hochgeschwindigkeits Low Power S-RAM, 32kx8, 5 V, 70ns, SOP-28
    Hochgeschwindigkeits-SRAM mit extrem niedriger LeistungBeschreibung:Der 62256 ist ein statischer CMOS-Random-Access-Speicher mit hoher Leistung, hoher Geschwindigkeit und extrem niedrigem Stromverbrauch, der als 32.768 Wörter mit 8 Bit organisiert ist und mit einer einzigen Versorgungsspannung von 4,5 bis 5,5 V arbeitet. Fortschrittliche CMOS-Technologie und Schaltungstechniken bieten sowohl Hochgeschwindigkeits- und Super-Low-Power-Funktionen als auch eine maximale Zugriffszeit von 45/70ns im 5,0V-Betrieb. Eine einfache Speichererweiterung wird durch eine aktive LOW-Chip-Freigabe (/CE) und eine aktive LOW-Ausgangsfreigabe (/OE) ermöglicht. Der 62256 verfügt über eine automatische Abschaltfunktion, die den Stromverbrauch beim Abwählen des Chips deutlich reduziert. Der 62256 ist in JEDEC-konformen 28-poligen SOP- (330 mil) und PDIP-Gehäusen (600 mil) erhältlich.Merkmale:• Breite Betriebsspannung: 4,5 ~ 5,5V• Ultra-niedriger Stromverbrauch : 2mA@1MHz (Max.) , Vcc=5.0V.1,0 uA (Typ.) CMOS-Standby-Strom• Hochgeschwindigkeits-Zugriffszeit : 45/70ns.• Automatische Abschaltung, wenn der Chip abgewählt wird.• Drei Statusausgänge und TTL-kompatibel.• Datenerhaltungs-Versorgungsspannung von nur 1,5V.• Einfache Erweiterung mit /CE- und /OE-Optionen.
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    • Price: 1.45 EUR excl. shipping
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    CY62128ELL-45SX - SRAM, 1 Mb (128 K x 8), 5 V, 45ns, SOP-32
    1-Mbit (128 K × 8) Static RAM, SRAM, 5V 128kx8 45ns SOP32BeschreibungDer CY62128E ist ein hochleistungsfähiger statischer CMOS-RAM, der als 128K-Wörter mit 8 Bit organisiert ist. Dieses Bauelement zeichnet sich durch ein fortschrittliches Schaltungsdesign aus, das einen extrem niedrigen aktiven Strom liefert. Dies ist ideal für die Bereitstellung von More Battery Life™ (MoBL) in tragbaren Anwendungen. Das Gerät verfügt auch über eine automatische Abschaltfunktion, die den Stromverbrauch erheblich reduziert, wenn die Adressen nicht umschalten. Wenn das Gerät in den Standby-Modus versetzt wird, reduziert sich der Stromverbrauch um mehr als 99 Prozent, wenn es abgewählt wird (CE1 HIGH oder CE2 LOW). Die acht Eingangs- und Ausgangspins (I/O0 bis I/O7) werden in einen hochohmigen Zustand versetzt, wenn der Baustein abgewählt wird (CE1 HIGH oder CE2 LOW), die Ausgänge deaktiviert werden (OE HIGH) oder ein Schreibvorgang läuft (CE1 LOW und CE2 HIGH und WE LOW) Um auf den Baustein zu schreiben, nehmen Sie die Eingänge Chip Enable (CE1 LOW und CE2 HIGH) und Write Enable (WE) LOW. Die Daten auf den acht I/O-Pins (I/O0 bis I/O7) werden dann an die auf den Adresspins (A0 bis A16) angegebene Stelle geschrieben. Um aus dem Gerät zu lesen, nehmen Sie Chip Enable (CE1 LOW und CE2 HIGH) und Output Enable (OE) LOW, während Sie Write Enable (WE) HIGH erzwingen. Unter diesen Bedingungen erscheint der Inhalt der durch die Adresspins spezifizierten Speicherstelle auf den E/A-Pins. Der Baustein CY62128E eignet sich für den Anschluss von Prozessoren mit TTL-I/P-Pegeln. Er ist nicht für Prozessoren geeignet, die CMOS I/P-Level benötigen. Merkmale• Ultra-niedriger Standby-Strom• Sehr hohe Geschwindigkeit: 45 ns• Temperaturbereiche: Industrie: -40 °C bis +85 °C• Spannungsbereich: 4,5 V bis 5,5 V• Pin kompatibel mit CY62128B• Extrem niedrige Standby-Leistung - Typischer Standby-Strom: 1 A - Maximaler Standby-Strom: 4 A (Industrie)• Ultra-niedrige Wirkleistung - Typischer Wirkstrom: 1,3 mA bei f = 1 MHz• Einfache Speichererweiterung mit CE1, CE2 und OE-Funktionen• Automatisches Ausschalten bei Abwahl• Komplementärer Metalloxid-Halbleiter (CMOS) für optimale Geschwindigkeit und Leistung• Angeboten in standardmäßigen Pb-freien 32-poligen STSOP-, 32-poligen SOIC- und 32-poligen Thin Small Outline Packages (TSOP) Typ I-Gehäusen
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    CY62128ELL-45ZXI - SRAM, 1 Mb (128 K x 8 ), 5 V, 45ns, TSOP-32
    1-Mbit (128K × 8-Bit) Statischer RAM BeschreibungDer CY62128E ist ein hochleistungsfähiger statischer CMOS-RAM, der als 128K-Wörter mit 8 Bit organisiert ist. Dieses Bauelement zeichnet sich durch ein fortschrittliches Schaltungsdesign aus, das einen extrem niedrigen aktiven Strom liefert. Dies ist ideal für die Bereitstellung von More Battery Life™ (MoBL) in tragbaren Anwendungen. Das Gerät verfügt auch über eine automatische Abschaltfunktion, die den Stromverbrauch erheblich reduziert, wenn die Adressen nicht umschalten. Wenn das Gerät in den Standby-Modus versetzt wird, reduziert sich der Stromverbrauch um mehr als 99 Prozent, wenn es abgewählt wird (CE1 HIGH oder CE2 LOW). Die acht Eingangs- und Ausgangspins (I/O0 bis I/O7) werden in einen hochohmigen Zustand versetzt, wenn der Baustein abgewählt wird (CE1 HIGH oder CE2 LOW), die Ausgänge deaktiviert werden (OE HIGH) oder ein Schreibvorgang läuft (CE1 LOW und CE2 HIGH und WE LOW) Um auf den Baustein zu schreiben, nehmen Sie die Eingänge Chip Enable (CE1 LOW und CE2 HIGH) und Write Enable (WE) LOW. Die Daten auf den acht I/O-Pins (I/O0 bis I/O7) werden dann an die auf den Adresspins (A0 bis A16) angegebene Stelle geschrieben. Um aus dem Gerät zu lesen, nehmen Sie Chip Enable (CE1 LOW und CE2 HIGH) und Output Enable (OE) LOW, während Sie Write Enable (WE) HIGH erzwingen. Unter diesen Bedingungen erscheint der Inhalt der durch die Adresspins spezifizierten Speicherstelle auf den E/A-Pins. Der Baustein CY62128E eignet sich für den Anschluss von Prozessoren mit TTL-I/P-Pegeln. Er ist nicht für Prozessoren geeignet, die CMOS I/P-Level benötigen. Weitere Einzelheiten und Alternativvorschläge finden Sie unter Elektrische Kenndaten auf Seite 5.Merkmale• Ultra-niedriger Standby-Strom• Sehr hohe Geschwindigkeit: 45 ns• Temperaturbereiche: Industrie: -40 °C bis +85 °C• Spannungsbereich: 4,5 V bis 5,5 V• Pin kompatibel mit CY62128B• Extrem niedrige Standby-Leistung - Typischer Standby-Strom: 1 A - Maximaler Standby-Strom: 4 A (Industrie)• Ultra-niedrige Wirkleistung - Typischer Wirkstrom: 1,3 mA bei f = 1 MHz• Einfache Speichererweiterung mit CE1, CE2 und OE-Funktionen• Automatisches Ausschalten bei Abwahl• Komplementärer Metalloxid-Halbleiter (CMOS) für optimale Geschwindigkeit und Leistung• Angeboten in standardmäßigen Pb-freien 32-poligen STSOP-, 32-poligen SOIC- und 32-poligen Thin Small Outline Packages (TSOP) Typ I-Gehäusen
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