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  IRFR3410PBF - MOSFET N-Ch 100V 31A 0,039R TO252AA

  HEXFETPower-MOSFETMerkmale• Niedrige Gate-to-Drain-Ladung zur Reduzierung von Schaltverlusten• Vollständig charakterisierte Kapazität einschließlich eines effektiven COSS zur Vereinfachung des Designs• Vollständig charakterisierte Lawinenspannung und -stromAnwendung• Hochfrequenz-DC/DC-Wandler• Bleifrei

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  IRFB 4710 - MOSFET, N-Kanal, 100 V, 75 A, RDS(on) 0,014 Ohm, TO-220AB

  IRFB4710PbF, HEXFET Leistungs-MOSFETVorteile• Niedrige Gate-to-Drain-Ladung zur Reduzierung der Schaltverluste- Vollständig charakterisierte Kapazität einschließlich effektivem Coss zur Vereinfachung des Designs• Vollständig charakterisierte Avalanche-Spannung und StromAnwendungen• Hochfrequenz DC/DC-Wandler• Motorsteuerung• Nicht unterbrechbare Stromversorgungen• Bleifrei

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  IRFR 13N20D - MOSFET, N-CH, 200V, 13A, 0,235R, D-PAK

  Der IRFR13N20DPBF ist ein HEXFET®-N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit geringer Gate-Drain-Ladung, um Schaltverluste zu reduzieren. Er ist für Hochfrequenz-DC/DC-Wandler geeignet. Vollständig charakterisierte Avalanchespannung und -stromstärke Vollständig charakterisierte Kapazität einschließlich effektivem COSS zur Vereinfachung des Designs

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  IRFB 3307Z - MOSFET N-Kanal, 75 V, 120 A, RDS(on) 0,0046 Ohm, TO-220AB

  HEXFET-Leistungs-MOSFETAnwendungenHocheffiziente synchrone Gleichrichtung in SMPSUnterbrechungsfreie StromversorgungHochgeschwindigkeits-SchaltnetzteilHart geschaltete und HochfrequenzschaltungenVorteileVerbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dv/dt-RobustheitVollständig charakterisierte Kapazitäts- und Avalanche-SOAErhöhte dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit der Body-Diode

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  IRFS3307ZPBF - MOSFET N-Kanal, 75 V, 120 A, RDS(on) 0,0046 Ohm, D²Pak

  HEXFET-Leistungs-MOSFETAnwendungenHocheffiziente synchrone Gleichrichtung in SMPSUnterbrechungsfreie StromversorgungHochgeschwindigkeits-SchaltnetzteilHart geschaltete und HochfrequenzschaltungenVorteileVerbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dv/dt-RobustheitVollständig charakterisierte Kapazitäts- und Avalanche-SOAErhöhte dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit der Body-Diode

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  IRLB 3813 IR - MOSFET, N-Kanal, 30 V, 260 A, RDS(on) 0,00195 Ohm, TO-220

  HEXFET Leistungs-MOSFETVorteile:• Sehr niedriger RDS(on) bei 4,5V VGS• Ultra-niedrige Gate-Impedanz• Vollständig charakterisierte Avalanche-Spannung und Strom• BleifreiAnwendungen:• Optimiert für USV/Inverter-Anwendungen• Isolierte Hochfrequenz-DC-DC-Wandler mit synchroner Gleichrichtung für Telekommunikations- und Industrieanwendungen• Elektrowerkzeuge

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  IRFB 3607 - MOSFET, N-Kanal, 75 V, 80 A, RDS(on) 0,00734 Ohm, TO-220AB

  IRFB3607PbF , HEXFET Leistungs-MOSFETVorteil:• Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dv/dt-Robustheit• Vollständig charakterisierte Kapazitäts- und Avalanche-SOA• Verbesserte dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit der Body-DiodeAnwendungen:• Hocheffiziente synchrone Gleichrichtung in SMPS• Unterbrechungsfreie Stromversorgung• Hochgeschwindigkeits-Schaltnetzteil• Hart geschaltete und Hochfrequenzschaltungen

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  IRFR1018EPBF - MOSFET N-Kanal, 60 V, 56 A, DS(on) 0,0084 Ohm, TO252AA

  IRFR1018EPbF, HEXFET Leistungs-MOSFETVorteile• Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dv/dt-Robustheit• Vollständig charakterisierte Kapazität und Avalanche SOA• Verbesserte dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit der Body-DiodeAnwendungen• Hocheffiziente synchrone Gleichrichtung in SMPS• Unterbrechungsfreie Stromversorgung• Hochgeschwindigkeits-Schaltnetzteil• Hart geschaltete und Hochfrequenzschaltungen

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  IRLR8743PBF - MOSFET N-LogL, 30 V, 160 A, RDS(on) 0,0031 Ohm, TO252AA

  IRLR8743PbF, HEXFET Leistungs-MOSFETVorteile:• Sehr niedriger RDS(on) bei 4,5V VGS• Ultra-niedrige Gate-Impedanz• Vollständig charakterisierte Avalanche-Spannung und -StromAnwendungen:• Synchrone Hochfrequenz-Abwärtswandler für die Stromversorgung von Computerprozessoren• Isolierte Hochfrequenz-DC/DC-Wandler mit synchroner Gleichrichtung für Telekommunikation und Industrie• Bleifrei

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  IRFB 4115 - MOSFET, N-Kanal, 150 V, 104 A, RDS(on) 0,0093 Ohm, TO-220-AB

  IRFB4115PBF , HEXFETPower MOSFETVorteile• Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dv/dt-Robustheit• Vollständig charakterisierte Kapazitäts- und Avalanche-SOA• Verbesserte dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit der Body-Diode• Bleifrei• RoHS-konform, halogenfreiAnwendungen• Hocheffiziente synchrone Gleichrichtung in SMPS• Unterbrechungsfreie Stromversorgung• Hochgeschwindigkeits-Schaltnetzteil• Hart geschaltete und Hochfrequenzschaltungen

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