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Cao:Study of AlN/GaN HEMTs

Erscheinungsdatum: 03/2011, Medium: Taschenbuch, Einband: Kartoniert / Broschiert, Titel: Study of AlN/GaN HEMTs, Titelzusatz: MBE Growths, Transport Properties and Device Issues, Autor: Cao, Yu, Verlag: VDM Verlag, Sprache: Englisch, Rubrik: Elektronik // Elektrotechnik, Nachrichtentechnik, Seiten: 196, Informationen: Paperback, Gewicht: 297 gr, Verkäufer: averdo

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Chen:Exploration of the Potential Defec

Erscheinungsdatum: 01/2009, Medium: Taschenbuch, Einband: Kartoniert / Broschiert, Titel: Exploration of the Potential Defects in GaN HEMTs, Titelzusatz: with Hyperspectrum Image Techniques, Autor: Chen, Hsiang, Verlag: VDM Verlag, Sprache: Englisch, Rubrik: Technik // Sonstiges, Seiten: 148, Informationen: Paperback, Gewicht: 237 gr, Verkäufer: averdo

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EVALMASTERGAN2 - Demonstrationsboard für MASTERGAN2, 650 V GaN HEMTs

Das EVALMASTERGAN2-Board ist ein einfach zu bedienendes und schnell anpassbares Werkzeug, um die Eigenschaften des MASTERGAN2 zu bewerten und schnell neue Topologien zu erstellen, ohne dass ein komplettes PCB-Design erforderlich ist.Der EVALMASTERGAN2 bietet einen integrierten programmierbaren Totzeitgenerator mit einer einzigen VCC-Versorgung (typ. 6 V). Ein integrierter linearer Spannungsregler bietet eine 3,3-V-Schiene zur Versorgung von Niederspannungs-Logikschaltungen wie Mikrocontrollern oder FPGA.Einige Ersatz-Footprints sind ebenfalls enthalten, um das Board an die endgültige Anwendung anpassen zu können. Zu diesen Anpassungen gehören: Verwendung eines separaten Eingangssignals oder eines einzelnen PWM-Signals, Verwendung einer externen Bootstrap-Diode, separate Versorgung für VCC, PVCC oder Vbo und auch die Verwendung eines Low-Side-Shunt-Widerstands für Spitzenstrom-Topologien.Alle Pins des MASTERGAN sind zugänglich.Der EVALMASTERGAN2 ist eine 56 x 70 mm breite FR-4-Leiterplatte, die ohne Zwangsbelüftung einen Rth(J-A) von 35 °C/W ergibt. Besondere Merkmale2x Enhanced Mode GaN HEMTsHalbbrücken Entwicklungsboard, geeignet für 600 VVersorgungsspannungseingang über Schraubklemmeintegrierter Totzeitgenerator Signale mit unabhängig voneinander einstellbaren TotzeitenIntegrierter 3,3-V-Regler für die Versorgung externer SchaltkreiseHochfrequenzanschluss für MASTERGAN2 GL- und GH-Pin-ÜberwachungSteckplätze für Low Side Shunt, externe Bootstrap-KondensatorenMaße: 56 x 70 mm

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EVALMASTERGAN4 - Demonstrationsboard für MASTERGAN4, 650 V GaN HEMTs

Das EVALMASTERGAN4-Board ist ein einfach zu bedienendes und schnell anpassbares Werkzeug, um die Eigenschaften des MASTERGAN4 zu bewerten und schnell neue Topologien zu erstellen, ohne dass ein komplettes PCB-Design erforderlich ist.Der EVALMASTERGAN4 bietet einen integrierten programmierbaren Totzeitgenerator mit einer einzigen VCC-Versorgung (typ. 6 V). Ein integrierter linearer Spannungsregler bietet eine 3,3-V-Schiene zur Versorgung von Niederspannungs-Logikschaltungen wie Mikrocontrollern oder FPGA.Einige Ersatz-Footprints sind ebenfalls enthalten, um das Board an die endgültige Anwendung anpassen zu können. Zu diesen Anpassungen gehören: Verwendung eines separaten Eingangssignals oder eines einzelnen PWM-Signals, Verwendung einer externen Bootstrap-Diode, separate Versorgung für VCC, PVCC oder Vbo und auch die Verwendung eines Low-Side-Shunt-Widerstands für Spitzenstrom-Topologien.Alle Pins des MASTERGAN sind zugänglich.Der EVALMASTERGAN4 ist eine 56 x 70 mm breite FR-4-Leiterplatte, die ohne Zwangsbelüftung einen Rth(J-A) von 35 °C/W ergibt. Besondere Merkmale2x Enhanced Mode GaN HEMTsHalbbrücken Entwicklungsboard, geeignet für 600 VVersorgungsspannungseingang über Schraubklemmeintegrierter Totzeitgenerator Signale mit unabhängig voneinander einstellbaren TotzeitenIntegrierter 3,3-V-Regler für die Versorgung externer SchaltkreiseHochfrequenzanschluss für MASTERGAN4 GL- und GH-Pin-ÜberwachungSteckplätze für Low Side Shunt, externe Bootstrap-KondensatorenMaße: 56 x 70 mm

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EVALMASTERGAN5 - Demonstrationsboard für MASTERGAN5, 650 V GaN HEMTs

Das EVALMASTERGAN5-Board ist ein einfach zu bedienendes und schnell anpassbares Werkzeug, um die Eigenschaften des MASTERGAN5 zu bewerten und schnell neue Topologien zu erstellen, ohne dass ein komplettes PCB-Design erforderlich ist.Der EVALMASTERGAN5 bietet einen integrierten programmierbaren Totzeitgenerator mit einer einzigen VCC-Versorgung (typ. 6 V). Ein integrierter linearer Spannungsregler bietet eine 3,3-V-Schiene zur Versorgung von Niederspannungs-Logikschaltungen wie Mikrocontrollern oder FPGA.Einige Ersatz-Footprints sind ebenfalls enthalten, um das Board an die endgültige Anwendung anpassen zu können. Zu diesen Anpassungen gehören: Verwendung eines separaten Eingangssignals oder eines einzelnen PWM-Signals, Verwendung einer externen Bootstrap-Diode, separate Versorgung für VCC, PVCC oder Vbo und auch die Verwendung eines Low-Side-Shunt-Widerstands für Spitzenstrom-Topologien.Alle Pins des MASTERGAN sind zugänglich.Der EVALMASTERGAN5 ist eine 56 x 70 mm breite FR-4-Leiterplatte, die ohne Zwangsbelüftung einen Rth(J-A) von 35 °C/W ergibt. Besondere Merkmale2x Enhanced Mode GaN HEMTsHalbbrücken Entwicklungsboard, geeignet für 600 VVersorgungsspannungseingang über Schraubklemmeintegrierter Totzeitgenerator Signale mit unabhängig voneinander einstellbaren TotzeitenIntegrierter 3,3-V-Regler für die Versorgung externer SchaltkreiseHochfrequenzanschluss für MASTERGAN5 GL- und GH-Pin-ÜberwachungSteckplätze für Low Side Shunt, externe Bootstrap-KondensatorenMaße: 56 x 70 mm

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EVALMASTERGAN3 - Demonstrationsboard für MASTERGAN3, 650 V GaN HEMTs

Das EVALMASTERGAN3-Board ist ein einfach zu bedienendes und schnell anpassbares Werkzeug, um die Eigenschaften des MASTERGAN3 zu bewerten und schnell neue Topologien zu erstellen, ohne dass ein komplettes PCB-Design erforderlich ist.Der EVALMASTERGAN3 bietet einen integrierten programmierbaren Totzeitgenerator mit einer einzigen VCC-Versorgung (typ. 6 V). Ein integrierter linearer Spannungsregler bietet eine 3,3-V-Schiene zur Versorgung von Niederspannungs-Logikschaltungen wie Mikrocontrollern oder FPGA.Einige Ersatz-Footprints sind ebenfalls enthalten, um das Board an die endgültige Anwendung anpassen zu können. Zu diesen Anpassungen gehören: Verwendung eines separaten Eingangssignals oder eines einzelnen PWM-Signals, Verwendung einer externen Bootstrap-Diode, separate Versorgung für VCC, PVCC oder Vbo und auch die Verwendung eines Low-Side-Shunt-Widerstands für Spitzenstrom-Topologien.Alle Pins des MASTERGAN sind zugänglich.Der EVALMASTERGAN3 ist eine 56 x 70 mm breite FR-4-Leiterplatte, die ohne Zwangsbelüftung einen Rth(J-A) von 35 °C/W ergibt. Besondere Merkmale2x Enhanced Mode GaN HEMTsHalbbrücken Entwicklungsboard, geeignet für 600 VVersorgungsspannungseingang über Schraubklemmeintegrierter Totzeitgenerator Signale mit unabhängig voneinander einstellbaren TotzeitenIntegrierter 3,3-V-Regler für die Versorgung externer SchaltkreiseHochfrequenzanschluss für MASTERGAN3 GL- und GH-Pin-ÜberwachungSteckplätze für Low Side Shunt, externe Bootstrap-KondensatorenMaße: 56 x 70 mm

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EVALMASTERGAN1 - Demonstrationsboard für MASTERGAN1, 650 V GaN HEMTs

Das EVALMASTERGAN1-Board ist ein einfach zu bedienendes und schnell anpassbares Werkzeug, um die Eigenschaften des MASTERGAN1 zu bewerten und schnell neue Topologien zu erstellen, ohne dass ein komplettes PCB-Design erforderlich ist.Der EVALMASTERGAN1 bietet einen integrierten programmierbaren Totzeitgenerator mit einer einzigen VCC-Versorgung (typ. 6 V). Ein integrierter linearer Spannungsregler bietet eine 3,3-V-Schiene zur Versorgung von Niederspannungs-Logikschaltungen wie Mikrocontrollern oder FPGA.Einige Ersatz-Footprints sind ebenfalls enthalten, um das Board an die endgültige Anwendung anpassen zu können. Zu diesen Anpassungen gehören: Verwendung eines separaten Eingangssignals oder eines einzelnen PWM-Signals, Verwendung einer externen Bootstrap-Diode, separate Versorgung für VCC, PVCC oder Vbo und auch die Verwendung eines Low-Side-Shunt-Widerstands für Spitzenstrom-Topologien.Alle Pins des MASTERGAN sind zugänglich.Der EVALMASTERGAN1 ist eine 56 x 70 mm breite FR-4-Leiterplatte, die ohne Zwangsbelüftung einen Rth(J-A) von 35 °C/W ergibt. Besondere Merkmale2x Enhanced Mode GaN HEMTsHalbbrücken Entwicklungsboard, geeignet für 600 VVersorgungsspannungseingang über Schraubklemmeintegrierter Totzeitgenerator Signale mit unabhängig voneinander einstellbaren TotzeitenIntegrierter 3,3-V-Regler für die Versorgung externer SchaltkreiseHochfrequenzanschluss für MASTERGAN1 GL- und GH-Pin-ÜberwachungSteckplätze für Low Side Shunt, externe Bootstrap-KondensatorenMaße: 56 x 70 mm

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Chattopadhyay:DEVICE MODELING OF AlGaN/

Erscheinungsdatum: 11/2010, Medium: Taschenbuch, Einband: Kartoniert / Broschiert, Titel: DEVICE MODELING OF AlGaN/GaN HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS (HEMTs), Titelzusatz: - AN ANALYTICAL APPROACH, Autor: Chattopadhyay, Manju Korwal, Verlag: LAP Lambert Acad. Publ., Sprache: Englisch, Rubrik: Elektronik // Elektrotechnik, Nachrichtentechnik, Seiten: 128, Informationen: Paperback, Gewicht: 212 gr, Verkäufer: averdo

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