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Inver Lodge

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Alnakeb:Statistical Inference for Inver

Erscheinungsdatum: 16.04.2017, Medium: Taschenbuch, Einband: Kartoniert / Broschiert, Titel: Statistical Inference for Inverse Weibull Model, Autor: Alnakeb, Mohamad Fawzy, Verlag: Noor Publishing, Sprache: Englisch, Rubrik: Mathematik // Wahrscheinlichkeitstheorie, Seiten: 256, Informationen: Paperback, Gewicht: 398 gr, Verkäufer: averdo

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MCP 14E8-E/P - 2,0 A Dual-MOSFET-Treiber, 1 x inver. / 1 x nicht inver., DIP-8

2,0A Dual-High-Speed-Leistungs-MOSFET-Treiber mit EnableBeschreibungDie MCP14E6/7/8-Bausteine sind Hochgeschwindigkeits-MOSFET-Treiber, die einen Spitzenstrom von 2,0A liefern können. Die dualen invertierenden, dualen nicht-invertierenden und komplementären Ausgänge werden direkt von TTL oder CMOS (3V bis 18V) gesteuert. Diese Bausteine zeichnen sich außerdem durch einen niedrigen Shoot-Through-Strom, schnelle Anstiegs-/Abfallzeiten und Laufzeitverzögerungen aus, was sie ideal für Anwendungen mit hoher Schaltfrequenz macht. Die MCP14E6/7/8-Bausteine arbeiten mit einer Versorgungsspannung von 4,5V bis 18V und können problemlos 1000 pF an MOSFET-Gate-Kapazität laden und entladen. Sie bieten sowohl im EIN- als auch im AUS-Zustand ausreichend niedrige Impedanzen, um sicherzustellen, dass der vorgesehene Zustand der MOSFETs auch durch große Transienten nicht beeinträchtigt wird. Die zusätzliche Steuerung der Ausgänge des MCP14E6/7/8 wird durch die Verwendung von separaten Enable-Funktionen ermöglicht. Die Pins ENB_A und ENB_B sind active-high und werden intern auf VDD gezogen. Für den Standardbetrieb können die Pins potentialfrei belassen werden. Die MCP14E6/7/8-Treiberfamilie mit zwei Ausgängen und 2,0 A wird sowohl in oberflächenmontierten als auch in durchkontaktierten Gehäusen mit einem Temperaturbereich von -40oC bis +125oC angeboten. Der niedrige Wärmewiderstand des thermisch verbesserten DFN-Gehäuses ermöglicht eine höhere Verlustleistung für die Ansteuerung größerer kapazitiver oder ohmscher Lasten. Diese Bauteile sind unter allen Bedingungen innerhalb ihrer Leistungs- und Spannungsnennwerte hochgradig latch-up-resistent. Sie werden nicht beschädigt, wenn am Masse-Pin Rauschspitzen von bis zu 5V (beider Polarität) auftreten. Die Bausteine sind vollständig gegen Latch-up geschützt, wenn sie gemäß JEDEC JESD78A getestet werden. Alle Anschlüsse sind vollständig gegen elektrostatische Entladung (ESD) geschützt, bis zu 4 kV (HBM) oder 400V (MM).Merkmale• MCP14E6 Zweifach invertierend• MCP14E7 Zweifach nicht-invertierend• MCP14E8 Einmal invertierend, einmal nicht invertierend• Hoher Spitzenausgangsstrom: 2,0 A (typisch)• Unabhängige Enable-Funktion für jeden Treiberausgang• Weiter Eingangsversorgungsspannungsbereich: - 4,5V bis 18V• Niedriger Shoot-Through/Cross-Conduction-Strom in Ausgangsstufe• Hohe kapazitive Lasttreiberfähigkeit:- tR: 12 ns mit 1000 pF Last (typisch)- tF: 15 ns mit 1000 pF Last (typisch)• Kurze Verzögerungszeiten: 45 ns (typisch)• Niedriger Versorgungsstrom:- Mit logischem '1'-Eingang/Enable - 1 mA (typisch)- Mit logischem '0'-Eingang/Enable - 300 µA (typisch)• Latch-up-geschützt: Bestanden JEDEC JESD78A• Logikeingang widersteht negativem Swing, bis zu 5V• Platzsparende Gehäuse: - 8-poliges SOIC, PDIP, 6x5 DFNAnwendungen• Schaltnetzteile• Impuls-Transformator-Antrieb• Leitungstreiber• Motor- und Solenoid-Antrieb

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MCP 14E11-E/P - 3,0 A Dual-MOSFET-Treiber, 1 x inver. / 1 x nicht inver., DIP-8

3,0A Dual-Hochgeschwindigkeitsleistungs-MOSFET-Treiber mit EnableProduktbeschreibung:Die Bausteine MCP14E9/10/11 sind Hochgeschwindigkeits-MOSFET-Treiber, die einen Spitzenstrom von 3,0A liefern können. Die dualen invertierenden, dualen nicht-invertierenden und komplementären Ausgänge werden direkt entweder von TTL oder CMOS (3V bis 18V) gesteuert. Diese Bausteine zeichnen sich außerdem durch einen niedrigen Durchschaltstrom, nahezu angepasste Anstiegs-/Abfallzeiten und Ausbreitungsverzögerungen aus, wodurch sie sich ideal für Anwendungen mit hoher Schaltfrequenz eignen. Die Bausteine MCP14E9/10/11 arbeiten mit einer Einzelstromversorgung von 4,5V bis 18V und können problemlos 1800 pF MOSFET-Gate-Kapazität laden und entladen. Sie bieten sowohl im EIN- als auch im AUS-Zustand ausreichend niedrige Impedanzen, um sicherzustellen, dass der beabsichtigte Zustand der MOSFETs auch durch große Transienten nicht beeinträchtigt wird. Die zusätzliche Steuerung der MCP14E9/10/11-Ausgänge wird durch die Verwendung separater Freigabefunktionen ermöglicht. Die Pins ENB_A und ENB_B sind Active-High und werden intern auf VDD hochgezogen. Für den Standardbetrieb können die Pins potentialfrei bleiben. Die Treiberfamilie MCP14E9/10/11 mit zwei 3,0A-Ausgängen wird sowohl in oberflächenmontierbaren Gehäusen als auch in Durchsteckgehäusen mit einem Temperaturbereich von -40oC bis +125oC angeboten. Der niedrige thermische Widerstand des thermisch verbesserten DFN-Gehäuses ermöglicht eine höhere Verlustleistung zur Ansteuerung größerer kapazitiver oder ohmscher Lasten. Diese Bausteine sind unter allen Bedingungen innerhalb ihrer Leistungs- und Spannungswerte hoch einrastungsfest. Sie können nicht beschädigt werden, wenn bis zu 5 V Störspitzen (beider Polaritäten) am Masse-Pin auftreten. Die Bauelemente sind vollständig verriegelungssicher, wenn sie gemäß JEDEC JESD78A getestet werden. Alle Anschlüsse sind vollständig gegen elektrostatische Entladung (ESD) bis zu 4 kV (HBM) oder 400V (MM) geschützt.Merkmale:• Hoher Spitzenausgangsstrom: 3,0A (typisch)• Unabhängige Freigabefunktion für jeden Fahrer Ausgabe• Großer Betriebsbereich der Eingangs-Versorgungsspannung: - 4,5V bis 18V• Niedriger Durchschuss-/Querleitungsstrom in Endstufe• Antriebsfähigkeit bei hoher kapazitiver Last:- tR: 14 ns mit 1800 pF Last (typisch)- tF: 17 ns mit 1800 pF Belastung (typisch)• Kurze Verzögerungszeiten:- tD1: 45 ns (typisch)- tD2: 45 ns (typisch)• Niedriger Versorgungsstrom:- Mit Logic '1' Eingang/Freigabe - 1 mA (typisch)- Mit Logik '0' Eingang/Freigabe - 300 µA (typisch)• Latch-up Geschützt: Bestanden JEDEC JESD78A• Logikeingang widersteht negativem Schwingen, bis zu 5V• Platzsparende Pakete: - 8-poliger SOIC, PDIP, 6x5 DFNAnwendungen:• Schaltnetzteile• Puls-Transformator-Antrieb• Leitungstreiber• Motor und Magnetantrieb

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MCP 14E8-E/SN - 2,0 A Dual-MOSFET-Treiber, 1 x inver. / 1 x nicht inver., SO-8

2,0A Dual-High-Speed-Leistungs-MOSFET-Treiber mit EnableBeschreibungDie MCP14E6/7/8-Bausteine sind Hochgeschwindigkeits-MOSFET-Treiber, die einen Spitzenstrom von 2,0A liefern können. Die dualen invertierenden, dualen nicht-invertierenden und komplementären Ausgänge werden direkt von TTL oder CMOS (3V bis 18V) gesteuert. Diese Bausteine zeichnen sich außerdem durch einen niedrigen Shoot-Through-Strom, schnelle Anstiegs-/Abfallzeiten und Laufzeitverzögerungen aus, was sie ideal für Anwendungen mit hoher Schaltfrequenz macht. Die MCP14E6/7/8-Bausteine arbeiten mit einer Versorgungsspannung von 4,5V bis 18V und können problemlos 1000 pF an MOSFET-Gate-Kapazität laden und entladen. Sie bieten sowohl im EIN- als auch im AUS-Zustand ausreichend niedrige Impedanzen, um sicherzustellen, dass der vorgesehene Zustand der MOSFETs auch durch große Transienten nicht beeinträchtigt wird. Die zusätzliche Steuerung der Ausgänge des MCP14E6/7/8 wird durch die Verwendung von separaten Enable-Funktionen ermöglicht. Die Pins ENB_A und ENB_B sind active-high und werden intern auf VDD gezogen. Für den Standardbetrieb können die Pins potentialfrei belassen werden. Die MCP14E6/7/8-Treiberfamilie mit zwei Ausgängen und 2,0 A wird sowohl in oberflächenmontierten als auch in durchkontaktierten Gehäusen mit einem Temperaturbereich von -40oC bis +125oC angeboten. Der niedrige Wärmewiderstand des thermisch verbesserten DFN-Gehäuses ermöglicht eine höhere Verlustleistung für die Ansteuerung größerer kapazitiver oder ohmscher Lasten. Diese Bauteile sind unter allen Bedingungen innerhalb ihrer Leistungs- und Spannungsnennwerte hochgradig latch-up-resistent. Sie werden nicht beschädigt, wenn am Masse-Pin Rauschspitzen von bis zu 5V (beider Polarität) auftreten. Die Bausteine sind vollständig gegen Latch-up geschützt, wenn sie gemäß JEDEC JESD78A getestet werden. Alle Anschlüsse sind vollständig gegen elektrostatische Entladung (ESD) geschützt, bis zu 4 kV (HBM) oder 400V (MM).Merkmale• MCP14E6 Zweifach invertierend• MCP14E7 Zweifach nicht-invertierend• MCP14E8 Einmal invertierend, einmal nicht invertierend• Hoher Spitzenausgangsstrom: 2,0 A (typisch)• Unabhängige Enable-Funktion für jeden Treiberausgang• Weiter Eingangsversorgungsspannungsbereich: - 4,5V bis 18V• Niedriger Shoot-Through/Cross-Conduction-Strom in Ausgangsstufe• Hohe kapazitive Lasttreiberfähigkeit:- tR: 12 ns mit 1000 pF Last (typisch)- tF: 15 ns mit 1000 pF Last (typisch)• Kurze Verzögerungszeiten: 45 ns (typisch)• Niedriger Versorgungsstrom:- Mit logischem '1'-Eingang/Enable - 1 mA (typisch)- Mit logischem '0'-Eingang/Enable - 300 µA (typisch)• Latch-up-geschützt: Bestanden JEDEC JESD78A• Logikeingang widersteht negativem Swing, bis zu 5V• Platzsparende Gehäuse: - 8-poliges SOIC, PDIP, 6x5 DFNAnwendungen• Schaltnetzteile• Impuls-Transformator-Antrieb• Leitungstreiber• Motor- und Solenoid-Antrieb

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Hassaine:Control de Potencia para Inver

Erscheinungsdatum: 06/2012, Medium: Taschenbuch, Einband: Kartoniert / Broschiert, Titel: Control de Potencia para Inversores Fotovoltaicos Conectados a Red, Titelzusatz: Implementación de un Control Digital de potencia Activa y Reactiva para Inversores Fotovoltaicos Conectados a Red, Autor: Hassaine, Linda, Verlag: EAE, Sprache: Spanisch, Rubrik: Elektronik // Elektrotechnik, Nachrichtentechnik, Seiten: 288, Informationen: Paperback, Gewicht: 445 gr, Verkäufer: averdo

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Walcott:Sir Archibald Campbell of Inver

Erscheinungsdatum: 07.04.2017, Medium: Taschenbuch, Einband: Kartoniert / Broschiert, Titel: Sir Archibald Campbell of Inverneill, Autor: Walcott, Charles Hosmer, Verlag: Hansebooks, Sprache: Englisch, Rubrik: Belletristik // Biographien, Erinnerungen, Seiten: 76, Informationen: Paperback, Gewicht: 119 gr, Verkäufer: averdo

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