78 Results for : issi

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    IS61WV5128BLL-10 - High-Speed SRAM, 4 Mb (512 K x 8), 3,3 V, 10ns, TSOP-44
    Statisches Hochgeschwindigkeits-CMOS-RAM 3,3V 512kx8 10ns TSOP44(II) Beschreibung:Die ISSI IS61WV5128Bxx sind sehr schnelle statische 8-Bit-CMOS-RAMs mit 524.288 Wörtern und niedrigem Stromverbrauch. Die IS61/64WV5128Bxx werden mit der Hochleistungs-CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Dieser äußerst zuverlässige Prozess in Verbindung mit innovativen Schaltungstechniken führt zu einer höheren Leistung und Geräten mit niedrigem Stromverbrauch. Wenn CE auf HIGH (abgewählt) steht, geht das Gerät in einen Standby-Modus über, in dem die Verlustleistung mit CMOS-Eingangspegeln nach unten reduziert werden kann. Die IS61/64WV5128Bxx arbeiten mit einer einzigen Stromversorgung. Die IS61/64WV5128BLL sind in 36-poligen 400-mil SOJ- und 44-poligen TSOP-Gehäusen (Typ II) erhältlich. Merkmale:• Hochgeschwindigkeits-Zugriffszeit: 10 ns• Niedrige Wirkleistung: 85 mW (typisch)• Niedrige Standby-Leistung: 7 mW (typisch) CMOS-Standby• Einzel-Stromversorgung Vdd 2,4V bis 3,6V• Vollständig statischer Betrieb: keine Uhr oder Auffrischung erforderlich• Drei Zustandsausgänge• Temperaturunterstützung für Industrie und Automobil• Bleifrei verfügbar
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    • Price: 6.55 EUR excl. shipping
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    IS62C256AL-45UL - SRAM, 256 Kb (32 K x 8), 5 V, 45ns, SOP-28
    32Kx8 Low Power CMOS Static RAM, SRAM, 5V 45ns SOP28BeschreibungDer ISSI IS62C256AL ist ein statisches 8-Bit-CMOS-RAM mit 32.768 Worten und geringem Stromverbrauch. Er wird unter Verwendung der leistungsstarken, stromsparenden CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Wenn CE auf HIGH (abgewählt) steht, geht das Gerät in einen Standby-Modus über, in dem die Verlustleistung bei CMOS-Eingangspegeln bis auf 150 µW (typisch) reduziert werden kann. Eine einfache Speichererweiterung ist durch die Verwendung eines aktiven LOW Chip Select (CE)-Eingangs und eines aktiven LOW Output Enable (OE)-Eingangs möglich. Die aktive LOW Write Enable (WE) steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen des Speichers.Der IS62C256AL/IS65C256AL ist pinkompatibel mit anderen 32Kx8 SRAMs im Kunststoff-SOP- oder TSOP-Gehäuse (Typ I).Merkmale• Zugriffszeit: 25 ns, 45 ns• Niedrige Wirkleistung: 200 mW (typisch)• Geringe Standby-Leistung - 150 µW (typisch) CMOS-Standby - 15 mW (typisch) Betrieb• Vollständig statischer Betrieb: keine Uhr oder Auffrischung erforderlich• TTL-kompatible Ein- und Ausgänge• Einzelne 5V-Stromversorgung• Bleifrei verfügbar• Industrie- und Automobiltemperaturen verfügbar
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    • Price: 1.55 EUR excl. shipping
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    IS61LV6416-10TL - SRAM, 1 Mb (64 K x 16), 3,135 … 3,6 V, TSOP-44
    64K x 16 High-Speed CMOS Static RAM with 3.3V SUPPLY, SRAM 3,3V 64kx16 10ns TSOP44(II)The ISSI IS61LV6416/IS61LV6416L is a High-Speed, 1,048,576-bit Static RAM organized as 65,536 words by 16 bits. It is fabricated using ISSI's high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with nnovative circuit design techniques, yields access times as fast as 8 ns with Low Power consumption.
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    • Price: 3.08 EUR excl. shipping
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    IS61WV1288EEBLL - High-Speed SRAM, 1 Mb (128 K x 8), 3,3 V, 10ns, TSOP-32
    Statisches Hochgeschwindigkeits-CMOS-RAM 3,3V 128kx8 10ns TSOP32(I) mit ECCBeschreibung:Das ISSI IS61/64WV1288EEBLL ist ein statisches Hochgeschwindigkeits-RAM mit 1.048.576 Bit, das als 131.072 Wörter mit 8 Bit organisiert ist. Er wird unter Verwendung der Hochleistungs-CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Dieser hochzuverlässige Prozess in Verbindung mit innovativen Schaltungstechniken führt zu hochleistungsfähigen Bauelementen mit geringem Stromverbrauch. Wenn CE auf HIGH (abgewählt) steht, geht das Gerät in einen Standby-Modus über, in dem die Verlustleistung mit CMOS-Eingangspegeln nach unten reduziert werden kann. Eine einfache Speichererweiterung ist durch die Verwendung von Chip Enable- und Output Enable-Eingängen, CE und OE möglich. Der aktive LOW Write Enable (WE) steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen des Speichers. Der IS61/64WV1288EEBLL ist im JEDEC-Standard-Gehäuse mit 32-poligem SOJ, TSOP-II, sTSOP-I und 48-Kugel-BGA (6mmx8mm) untergebracht.Merkmale:• Hochgeschwindigkeits-Zugriffszeit: 10 ns• Niedrige Wirkleistung: 85 mW (typisch)• Niedrige Standby-Leistung: 7 mW (typisch) CMOS-Standby• Einzelne Stromversorgung• Vollständig statischer Betrieb: keine Uhr oder Auffrischung erforderlich• Drei Zustandsausgänge• Temperaturunterstützung für Industrie und Automobil• Bleifrei verfügbar• Fehlererkennung und Fehlerkorrektur
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    • Price: 2.15 EUR excl. shipping
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    IS61C1024AL-12TL - High-Speed SRAM, 1 Mb (128 K x 8), 5 V, 12ns, TSOP-32
    High-Speed CMOS Static RAM 5V 128kx8 12ns TSOP32(I)Beschreibung:Die ISSI IS61C1024AL/IS64C1024AL ist ein statisches 8-Bit-CMOS-RAM mit 131.072 Worten bei sehr hoher Geschwindigkeit und geringem Stromverbrauch. Sie werden mit der Hochleistungs-CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Dieser äußerst zuverlässige Prozess in Verbindung mit innovativen Schaltungstechniken führt zu höherer Leistung und Geräten mit niedrigem Stromverbrauch. Wenn CE1 auf HIGH oder CE2 auf LOW (abgewählt) steht, geht das Gerät in einen Standby-Modus, in dem die Verlustleistung durch die Verwendung von CMOS-Eingangspegeln reduziert werden kann. Eine einfache Speichererweiterung ist durch die Verwendung von zwei Chip-Enable-Eingängen, CE1 und CE2, möglich. Der aktive LOW Write Enable (WE) steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen des Speichers. Der IS61C1024AL/IS64C1024AL ist in 32-poligen 300-mil SOJ-, 32-poligen 400-mil SOJ-, 32-poligen TSOP- (Typ I, 8x20) und 32-poligen sTSOP- (Typ I, 8 x 13,4) Gehäusen erhältlich.Merkmale:• Hochgeschwindigkeits-Zugriffszeit: 12, 15 ns• Niedrige Aktivleistung: 160 mW (typisch)• Geringe Standby-Leistung: 1000 µW (typisch) CMOS standby• Ausgangsfreigabe (OE) und Zwei-Chip-Freigabe (CE1 und CE2) Eingänge zur Erleichterung der Anwendung• Vollständig statischer Betrieb: keine Uhr oder Auffrischung erforderlich• TTL-kompatible Ein- und Ausgänge• Einzelne 5V (±10%) Stromversorgung• Kommerzielle, industrielle und automobile Temperaturbereiche verfügbar• Bleifrei verfügbar
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    • Price: 3.40 EUR excl. shipping
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    IS61C25616AL-10K - High-Speed SRAM, 4 Mb (256 K x 16), 5 V, 10ns, SOJ-44
    High-Speed CMOS Static RAM 5V 256kx16 10ns SOJ44(I)Beschreibung:Die ISSI IS61C25616AL/AS und IS64C25616AL/AS sind statische Hochgeschwindigkeits-RAMs mit 4.194.304 Bit, die als 262.144 Worte mal 16 Bit organisiert sind. Sie werden mit der Hochleistungs-CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Dieser äußerst zuverlässige Prozess in Verbindung mit innovativen Schaltungstechniken ermöglicht Zugriffszeiten von bis zu 12 ns bei geringem Stromverbrauch. Wenn CE auf HIGH (abgewählt) steht, geht das Gerät in einen Standby-Modus über, in dem die Verlustleistung mit CMOS-Eingangspegeln nach unten reduziert werden kann. Eine einfache Speichererweiterung ist durch die Verwendung von Chip Enable- und Output Enable-Eingängen, CE und OE möglich. Der aktive LOW Write Enable (WE) steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen des Speichers. Ein Datenbyte ermöglicht den Zugriff auf Upper Byte (UB) und Lower Byte (LB). Die IS61C25616AL/AS und IS64C25616AL/AS sind in den JEDEC-Standards 44-poliger 400-mil SOJ und 44-poliger TSOP (Typ II) verpackt.Merkmale:• Hochgeschwindigkeits-Zugriffszeit: 10 ns• Niedrige Wirkleistung: 150 mW (typisch)• Geringe Standby-Leistung: 10 mW (typisch) CMOS-Standby• Vollständig statischer Betrieb: keine Uhr oder Auffrischung erforderlich• TTL-kompatible Ein- und Ausgänge• Einzelne 5V (±10%) Stromversorgung• Verfügbar im 44-poligen SOJ-Gehäuse und 44-poliger TSOP (Typ II)• Kommerzielle, industrielle und Automobil-Temperaturbereiche verfügbar• Bleifrei verfügbar
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    • Price: 4.93 EUR excl. shipping
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    IS61WV25616BLL - High-Speed SRAM, 4 Mb (256 K x 16), 3,3 V, 10ns, TSOP-44
    Statisches Hochgeschwindigkeits-CMOS-RAM 3,3V 256kx16 10ns TSOP44(II) Beschreibung:Bei den ISSI IS61WV25616Axx/Bxx handelt es sich um statische 4.194.304-Bit-Hochgeschwindigkeits-RAMs, die als 262.144 Worte mal 16 Bit organisiert sind. Sie werden mit der Hochleistungs-CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Dieser äußerst zuverlässige Prozess in Verbindung mit innovativen Schaltungstechniken führt zu hochleistungsfähigen Bauelementen mit geringem Stromverbrauch. Wenn CE auf HIGH (abgewählt) steht, geht das Gerät in einen Standby-Modus über, in dem die Verlustleistung mit CMOS-Eingangspegeln nach unten reduziert werden kann. Eine einfache Speichererweiterung ist durch die Verwendung von Chip Enable- und Output Enable-Eingängen, CE und OE möglich. Der aktive LOW Write Enable (WE) steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen des Speichers. Ein Datenbyte ermöglicht den Zugriff auf Upper Byte (UB) und Lower Byte (LB). Die IS61WV6416DAxx/DBxx werden im JEDEC-Standardgehäuse mit 44-poligem TSOP Typ II, 44-poligem 400-mil SOJ und 48-poligem Mini-BGA (6mm x 8mm) gefertigt.Merkmale:• Hochgeschwindigkeits-Zugriffszeit: 10 ns- Niedrige Wirkleistung: 85 mW (typisch)- Niedrige Standby-Leistung: 7 mW (typisch) CMOS-Standby• Einzel-Stromversorgung Vdd 2,4V bis 3,6V• Vollständig statischer Betrieb: keine Uhr oder Auffrischung erforderlich• Drei Zustandsausgänge• Temperaturunterstützung für Industrie und Automobil• Bleifrei verfügbar• Datenkontrolle für obere und untere Bytes
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    • Price: 3.93 EUR excl. shipping
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    IS61WV6416DBLL - High-Speed SRAM, 1 Mb (64 K x 16), 3,3 V, 10ns, TSOP-44
    Statisches Hochgeschwindigkeits-CMOS-RAM 3,3V 64kx16 10ns TSOP44(II) Beschreibung:Die ISSI IS61WV6416DAxx/DBxx sind statische Hochgeschwindigkeits-RAMs mit 1.048.576 Bit, die als 65.536 Worte mal 16 Bit organisiert sind. Sie werden mit der Hochleistungs-CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Dieser äußerst zuverlässige Prozess in Verbindung mit innovativen Schaltungstechniken führt zu hochleistungsfähigen Bauelementen mit geringem Stromverbrauch. Wenn CE auf HIGH (abgewählt) steht, geht das Gerät in einen Standby-Modus über, in dem die Verlustleistung mit CMOS-Eingangspegeln nach unten reduziert werden kann. Eine einfache Speichererweiterung ist durch die Verwendung von Chip Enable- und Output Enable-Eingängen, CE und OE möglich. Der aktive LOW Write Enable (WE) steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen des Speichers. Ein Datenbyte ermöglicht den Zugriff auf Upper Byte (UB) und Lower Byte (LB). Die IS61WV6416DAxx/DBxx werden im JEDEC-Standardgehäuse mit 44-poligem TSOP Typ II, 44-poligem 400-mil SOJ und 48-poligem Mini-BGA (6mm x 8mm) gefertigt.Merkmale:• Hochgeschwindigkeits-Zugriffszeit: 10 ns• Niedrige Wirkleistung: 135 mW (typisch)• Niedrige Standby-Leistung: 12 µW (typisch) CMOS-Standby• Einzel-Stromversorgung Vdd 2,4V bis 3,6V• Vollständig statischer Betrieb: keine Uhr oder Auffrischung erforderlich• Drei Zustandsausgänge• Temperaturunterstützung für Industrie und Automobil• Bleifrei verfügbar• Datenkontrolle für obere und untere Bytes
    • Shop: reichelt elektronik
    • Price: 3.20 EUR excl. shipping
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    IS61C25616AL-10T - High-Speed SRAM, 4 Mb (256 K x 16), 5 V, 10ns, TSOP-44
    High-Speed CMOS Static RAM 5V 256kx16 10ns TSOP44(II)Beschreibung:Die ISSI IS61C25616AL/AS und IS64C25616AL/AS sind statische Hochgeschwindigkeits-RAMs mit 4.194.304 Bit, die als 262.144 Worte mal 16 Bit organisiert sind. Sie werden mit der Hochleistungs-CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Dieser äußerst zuverlässige Prozess in Verbindung mit innovativen Schaltungstechniken ermöglicht Zugriffszeiten von bis zu 12 ns bei geringem Stromverbrauch. Wenn CE auf HIGH (abgewählt) steht, geht das Gerät in einen Standby-Modus über, in dem die Verlustleistung mit CMOS-Eingangspegeln nach unten reduziert werden kann. Eine einfache Speichererweiterung ist durch die Verwendung von Chip Enable- und Output Enable-Eingängen, CE und OE möglich. Der aktive LOW Write Enable (WE) steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen des Speichers. Ein Datenbyte ermöglicht den Zugriff auf Upper Byte (UB) und Lower Byte (LB). Die IS61C25616AL/AS und IS64C25616AL/AS sind in den JEDEC-Standards 44-poliger 400-mil SOJ und 44-poliger TSOP (Typ II) verpackt.Merkmale:• Hochgeschwindigkeits-Zugriffszeit: 10 ns• Niedrige Wirkleistung: 150 mW (typisch)• Geringe Standby-Leistung: 10 mW (typisch) CMOS-Standby• Vollständig statischer Betrieb: keine Uhr oder Auffrischung erforderlich• TTL-kompatible Ein- und Ausgänge• Einzelne 5V (±10%) Stromversorgung• Verfügbar im 44-poligen SOJ-Gehäuse und 44-poliger TSOP (Typ II)• Kommerzielle, industrielle und Automobil-Temperaturbereiche verfügbar• Bleifrei verfügbar
    • Shop: reichelt elektronik
    • Price: 7.15 EUR excl. shipping
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    IS61C5128AL-10KL - High-Speed SRAM, 4 Mb (512 K x 8), 5 V, 10ns, SO-36J
    High-Speed CMOS Static RAM 5V 512kx8 10ns SOJ-36Beschreibung:Die ISSI IS61C5128AL/AS und IS64C5128AL/AS sind statische Hochgeschwindigkeits-RAMs mit 4.194.304 Bit, die als 524.288 Worte mal 8 Bit organisiert sind. Sie werden mit der Hochleistungs-CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Dieser äußerst zuverlässige Prozess in Verbindung mit innovativen Schaltungstechniken ermöglicht Zugriffszeiten von bis zu 12 ns bei geringem Stromverbrauch. Wenn CE auf HIGH (abgewählt) steht, geht das Gerät in einen Standby-Modus über, in dem die Verlustleistung mit CMOS-Eingangspegeln nach unten reduziert werden kann. Eine einfache Speichererweiterung ist durch die Verwendung von Chip Enable- und Output Enable-Eingängen, CE und OE möglich. Der aktive LOW Write Enable (WE) steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen des Speichers. Ein Datenbyte ermöglicht den Zugriff auf Upper Byte (UB) und Lower Byte (LB). Die IS61C5128AL/AS sind in den JEDEC-Standard-Gehäusen 36-Pin SOJ (400-mil), 32-Pin sTSOP-I, 32-Pin SOP, 44-Pin TSOP-II und 32-Pin TSOP-II untergebracht.Merkmale:• Hochgeschwindigkeits-Zugriffszeit: 10 ns• Niedrige Wirkleistung: 150 mW (typisch)• Geringe Standby-Leistung: 10 mW (typisch) CMOS-Standby• Vollständig statischer Betrieb: keine Uhr oder Auffrischung erforderlich• TTL-kompatible Ein- und Ausgänge• Einzelne 5V (±10%) Stromversorgung• Erhältlich in einem 36-poligen SOJ (400-mil)-Gehäuse und einem 44-poligen TSOP (Typ II)• Kommerzielle, industrielle und Automobil-Temperaturbereiche verfügbar• Bleifrei verfügbar
    • Shop: reichelt elektronik
    • Price: 4.02 EUR excl. shipping

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