26 Results for : leistungssysteme

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    Kühn:Lebenszyklusorientierte Leistungss
    Erscheinungsdatum: 29.04.2016, Medium: Taschenbuch, Einband: Kartoniert / Broschiert, Titel: Lebenszyklusorientierte Leistungssysteme im Werkzeugbau, Autor: Kühn, Thomas Alexander, Verlag: Apprimus Wissenschaftsver // Apprimus Verlag, Sprache: Deutsch, Schlagworte: Dienstleistungsmanagement // Management // Werkzeug // Werkzeugbau // Werkzeugmechaniker // Maschinenbau und Werkstoffe, Rubrik: Maschinenbau // Fertigungstechnik, Seiten: 244, Gewicht: 350 gr, Verkäufer: averdo
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    Marketing für Leistungssysteme
    Marketing für Leistungssysteme ab 49.99 € als Taschenbuch: Auflage 1995. Aus dem Bereich: Bücher, Wissenschaft, Wirtschaftswissenschaft,
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    Marketing für Leistungssysteme
    Marketing für Leistungssysteme ab 35.96 € als pdf eBook: . Aus dem Bereich: eBooks, Wirtschaft,
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    UJ3D06508TS - SiC-Schottkydiode 650V, MPS, 8A, Gen-III, TO-220-2L
    Gen-III | 8A - 650V SiC-Schottky-DiodeBeschreibung:United Silicon Carbide, Inc. bietet die 3. Generation von Hochleistungs-SiC-Merged-PiN-Schottky (MPS)-Dioden an. Mit Null Sperr-Rückgewinnungsladung und einer maximalen Sperrschichttemperatur von 175°C sind diese Dioden ideal für Hochfrequenz- und Hocheffizienz-Leistungssysteme mit minimalem Kühlbedarf geeignet.Eigenschaften:175°C maximale Sperrschicht-BetriebstemperaturEinfache ParallelisierungExtrem schnelles, temperaturunabhängiges SchaltenKeine Rückwärts- oder VorwärtserholungVerbesserte Stoßstromfähigkeit, MPS-StrukturAusgezeichnete thermische Leistung, Ag gesintert100% UIS getestetAEC-Q101-qualifiziertTypische Anwendungen:LeistungswandlerIndustrielle MotorantriebeSchaltnetzteileModule zur BlindleistungskompensationLieferung in kompletter Industrieverpackung (Stangenware a 50 Stück) möglich, sprechen sie mit unserer Angebotsabteilung!
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    UJ3D06510TS - SiC-Schottkydiode 650V, MPS, 10A, Gen-III, TO-220-2L
    Gen-III | 10A - 650V SiC-Schottky-DiodeBeschreibung:United Silicon Carbide, Inc. bietet die 3. Generation von Hochleistungs-SiC-Merged-PiN-Schottky (MPS)-Dioden an. Mit Null Sperr-Rückgewinnungsladung und einer maximalen Sperrschichttemperatur von 175°C sind diese Dioden ideal für Hochfrequenz- und Hocheffizienz-Leistungssysteme mit minimalem Kühlbedarf geeignet.Eigenschaften:175°C maximale Sperrschicht-BetriebstemperaturEinfache ParallelisierungExtrem schnelles, temperaturunabhängiges SchaltenKeine Rückwärts- oder VorwärtserholungVerbesserte Stoßstromfähigkeit, MPS-StrukturAusgezeichnete thermische Leistung, Ag gesintert100% UIS getestetAEC-Q101-qualifiziertTypische Anwendungen:LeistungswandlerIndustrielle MotorantriebeSchaltnetzteileModule zur BlindleistungskompensationLieferung in kompletter Industrieverpackung (Stangenware a 50 Stück) möglich, sprechen sie mit unserer Angebotsabteilung!
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    UJ3D06516TS - SiC-Schottkydiode 650V, MPS, 16A, Gen-III, TO-220-2L
    Gen-III | 16A - 650V SiC-Schottky-DiodeBeschreibung:United Silicon Carbide, Inc. bietet die 3. Generation von Hochleistungs-SiC-Merged-PiN-Schottky (MPS)-Dioden an. Mit Null Sperr-Rückgewinnungsladung und einer maximalen Sperrschichttemperatur von 175°C sind diese Dioden ideal für Hochfrequenz- und Hocheffizienz-Leistungssysteme mit minimalem Kühlbedarf geeignet.Eigenschaften:175°C maximale Sperrschicht-BetriebstemperaturEinfache ParallelisierungExtrem schnelles, temperaturunabhängiges SchaltenKeine Rückwärts- oder VorwärtserholungVerbesserte Stoßstromfähigkeit, MPS-StrukturAusgezeichnete thermische Leistung, Ag gesintert100% UIS getestetAEC-Q101-qualifiziertTypische Anwendungen:LeistungswandlerIndustrielle MotorantriebeSchaltnetzteileModule zur BlindleistungskompensationLieferung in kompletter Industrieverpackung (Stangenware a 50 Stück) möglich, sprechen sie mit unserer Angebotsabteilung!
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    UJ3D06520KSD - SiC-Dual-Schottkydiode 650V, MPS, 2x10A, Gen-III, TO-247-3L
    Gen-III | 2x10A - 650V SiC-Schottky-DiodeBeschreibung:United Silicon Carbide, Inc. bietet die 3. Generation von Hochleistungs-SiC-Merged-PiN-Schottky (MPS)-Dioden an. Mit Null Sperr-Rückgewinnungsladung und einer maximalen Sperrschichttemperatur von 175°C sind diese Dioden ideal für Hochfrequenz- und Hocheffizienz-Leistungssysteme mit minimalem Kühlbedarf geeignet.Eigenschaften:175°C maximale Sperrschicht-BetriebstemperaturEinfache ParallelisierungExtrem schnelles, temperaturunabhängiges SchaltenKeine Rückwärts- oder VorwärtserholungVerbesserte Stoßstromfähigkeit, MPS-StrukturAusgezeichnete thermische Leistung, Ag gesintert100% UIS getestetAEC-Q101-qualifiziertTypische Anwendungen:LeistungswandlerIndustrielle MotorantriebeSchaltnetzteileModule zur BlindleistungskompensationLieferung in kompletter Industrieverpackung (Stangenware a 30 Stück) möglich, sprechen sie mit unserer Angebotsabteilung!
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    UJ3D06520TS - SiC-Schottkydiode 650V, MPS, 20A, Gen-III, TO-220-2L
    Gen-III | 20A - 650V SiC-Schottky-DiodeBeschreibung:United Silicon Carbide, Inc. bietet die 3. Generation von Hochleistungs-SiC-Merged-PiN-Schottky (MPS)-Dioden an. Mit Null Sperr-Rückgewinnungsladung und einer maximalen Sperrschichttemperatur von 175°C sind diese Dioden ideal für Hochfrequenz- und Hocheffizienz-Leistungssysteme mit minimalem Kühlbedarf geeignet.Eigenschaften:175°C maximale Sperrschicht-BetriebstemperaturEinfache ParallelisierungExtrem schnelles, temperaturunabhängiges SchaltenKeine Rückwärts- oder VorwärtserholungVerbesserte Stoßstromfähigkeit, MPS-StrukturAusgezeichnete thermische Leistung, Ag gesintert100% UIS getestetAEC-Q101-qualifiziertTypische Anwendungen:LeistungswandlerIndustrielle MotorantriebeSchaltnetzteileModule zur BlindleistungskompensationLieferung in kompletter Industrieverpackung (Stangenware a 50 Stück) möglich, sprechen sie mit unserer Angebotsabteilung!
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    UJ3D06560KSD - SiC-Dual-Schottkydiode 650V, MPS, 2x30A, Gen-III, TO-247-3L
    Gen-III | 2x30A - 650V SiC-Schottky-DiodeBeschreibung:United Silicon Carbide, Inc. bietet die 3. Generation von Hochleistungs-SiC-Merged-PiN-Schottky (MPS)-Dioden an. Mit Null Sperr-Rückgewinnungsladung und einer maximalen Sperrschichttemperatur von 175°C sind diese Dioden ideal für Hochfrequenz- und Hocheffizienz-Leistungssysteme mit minimalem Kühlbedarf geeignet.Eigenschaften:175°C maximale Sperrschicht-BetriebstemperaturEinfache ParallelisierungExtrem schnelles, temperaturunabhängiges SchaltenKeine Rückwärts- oder VorwärtserholungVerbesserte Stoßstromfähigkeit, MPS-StrukturAusgezeichnete thermische Leistung, Ag gesintert100% UIS getestetAEC-Q101-qualifiziertTypische Anwendungen:LeistungswandlerIndustrielle MotorantriebeSchaltnetzteileModule zur BlindleistungskompensationLieferung in kompletter Industrieverpackung (Stangenware a 30 Stück) möglich, sprechen sie mit unserer Angebotsabteilung!
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    UJ3D1210KSD - SiC-Dual-Schottkydiode 1200V, MPS, 2x5A, Gen-III, TO-247-3L
    Gen-III | 2x5A - 1200V SiC-Schottky-DiodeBeschreibung:United Silicon Carbide, Inc. bietet die 3. Generation von Hochleistungs-SiC-Merged-PiN-Schottky (MPS)-Dioden an. Mit Null Sperr-Rückgewinnungsladung und einer maximalen Sperrschichttemperatur von 175°C sind diese Dioden ideal für Hochfrequenz- und Hocheffizienz-Leistungssysteme mit minimalem Kühlbedarf geeignet.Eigenschaften:175°C maximale Sperrschicht-BetriebstemperaturEinfache ParallelisierungExtrem schnelles, temperaturunabhängiges SchaltenKeine Rückwärts- oder VorwärtserholungVerbesserte Stoßstromfähigkeit, MPS-StrukturAusgezeichnete thermische Leistung, Ag gesintert100% UIS getestetAEC-Q101-qualifiziertTypische Anwendungen:LeistungswandlerIndustrielle MotorantriebeSchaltnetzteileModule zur BlindleistungskompensationLieferung in kompletter Industrieverpackung (Stangenware a 30 Stück) möglich, sprechen sie mit unserer Angebotsabteilung!
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