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  IGW15N120H3 - IGBT-Transistor, N-CH, 1200V, 30A, 217W, TO-247-3

  IGW15N120H31200V Hochgeschwindigkeits-IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-TechnologieMerkmale und Vorteile:• TRENCHSTOP™ Technologieangebot• sehr niedrige Abschaltenergie• niedriger VCEsat• niedrige EMI• maximale Sperrschichttemperatur 175°C• nach JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert- Pb-freie Verbleiung, halogenfreie Formmasse, RoHS-konform- Vollständiges Produktspektrum und PSpice-Modelle: http://www.infineon.com/igbt/Anwendungen:• unterbrechungsfreie Stromversorgungen• Schweißkonverter• Umrichter mit hoher Schaltfrequenz

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  IGW40N60H3 - IGBT-Transistor, N-Kanal, 600 V, 80 A, 306W, TO-247-3

  IGW40N60H3600V Hochgeschwindigkeits-IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-TechnologieMerkmale und Vorteile:• TRENCHSTOP™ Technologieangebot• sehr niedriger VCEsat• niedrige EMI• Sehr weiche, schnell wiederherstellende Anti-Parallel-Diode• maximale Sperrschichttemperatur 175°C• nach JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert• Pb-freie Verbleiung, halogenfreie Formmasse, RoHS-konform• Vollständiges Produktspektrum und PSpice-Modelle: http://www.infineon.com/igbt/Anwendungen:• unterbrechungsfreie Stromversorgungen• Schweißkonverter• Umrichter mit hoher Schaltfrequenz

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  IKW15N120H3 - IGBT-Transistor, N-CH, 1200V, 30A, 217W, TO-247

  IKW15N120H31200V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-Technologie mit weicher und schnell wiederherstellender Anti-Parallel-DiodeMerkmale und Vorteile:• Hochgeschwindigkeits-Technologieangebot TRENCHSTOP™• sehr niedriger VCEsat• niedrige EMI• Sehr weiche, schnell wiederherstellende Anti-Parallel-Diode• maximale Sperrschichttemperatur 175°C• nach JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert• Pb-freie Verbleiung, halogenfreie Formmasse, RoHS-konform• Vollständiges Produktspektrum und PSpice-Modelle: http://www.infineon.com/igbt/Anwendungen:• unterbrechungsfreie Stromversorgungen• Schweißkonverter• Umrichter mit hoher Schaltfrequenz

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  IKW40N120H3 - IGBT-Transistor, N-Kanal, 1200 V, 80 A, 483 W, TO-247

  IKW40N120H31200V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-Technologie mit weicher und schnell wiederherstellender Anti-Parallel-DiodeMerkmale und Vorteile:• Hochgeschwindigkeits-Technologieangebot TRENCHSTOP™• sehr niedriger VCEsat• niedrige EMI• Sehr weiche, schnell wiederherstellende Anti-Parallel-Diode• maximale Sperrschichttemperatur 175°C• nach JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert• Pb-freie Verbleiung, halogenfreie Formmasse, RoHS-konform• Vollständiges Produktspektrum und PSpice-Modelle: http://www.infineon.com/igbt/Anwendungen:• unterbrechungsfreie Stromversorgungen• Schweißkonverter• Umrichter mit hoher Schaltfrequenz

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  IGW50N65F5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 80A, 305W, TO-247-3

  IGW50N65F5650V Hochgeschwindigkeits-FAST IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 TechnologieMerkmale und Vorteile:- Hochgeschwindigkeits-F5 TRENCHSTOP™ Technologieangebot• Klassenbester Wirkungsgrad bei hartem Schalten und Resonanztopologien• 650V Durchbruchspannung• Niedrige Gate-Ladung QG• Ideal geeignet mit SIC-Schottky-Diode in Aufwärtswandlern• maximale Sperrschichttemperatur 175°C• nach JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert• Pb-freie Verbleiung, halogenfreie Formmasse, RoHS-konform• Vollständiges Produktspektrum und PSpice-Modelle: http://www.infineon.com/igbt/Anwendungen:• Solar-Umrichter• unterbrechungsfreie Stromversorgungen• Schweißkonverter• Schaltfrequenzwandler für den mittleren bis hohen Bereich

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  IGW40N65F5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 74A, 255W, TO-247-3

  IGW40N65F5650V Hochgeschwindigkeits-FAST IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 TechnologieMerkmale und Vorteile:- Hochgeschwindigkeits-F5 TRENCHSTOP™ Technologieangebot• Klassenbester Wirkungsgrad bei hartem Schalten und Resonanztopologien• 650V Durchbruchspannung• Niedrige Gate-Ladung QG• Ideal geeignet mit SIC-Schottky-Diode in Aufwärtswandlern• maximale Sperrschichttemperatur 175°C• nach JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert• Pb-freie Verbleiung, halogenfreie Formmasse, RoHS-konform• Vollständiges Produktspektrum und PSpice-Modelle: http://www.infineon.com/igbt/Anwendungen:• Solar-Umrichter• unterbrechungsfreie Stromversorgungen• Schweißkonverter• Schaltfrequenzwandler für den mittleren bis hohen Bereich

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  IGW40N65H5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 74A, 255W, TO-247-3

  IGW40N65H5650V Hochgeschwindigkeits-IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 TechnologieMerkmale und Vorteile:• Hochgeschwindigkeits-H5 TRENCHSTOP™ Technologieangebot• Klassenbester Wirkungsgrad bei hartem Schalten und Resonanz Topologien• Plug-and-Play-Ersatz für IGBTs der vorherigen Generation• 650V Durchbruchspannung• Niedrige Gate-Ladung QG• Klassenbester Wirkungsgrad bei hartem Schalten und Resonanztopologien• Plug-and-Play-Ersatz für IGBTs der vorherigen Generation• 650V Durchbruchspannung• Niedrige Gate-Ladung QG• maximale Sperrschichttemperatur 175°C• nach JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert• Pb-freie Verbleiung, halogenfreie Formmasse, RoHS-konform• Vollständiges Produktspektrum und PSpice-Modelle: http://www.infineon.com/igbt/Anwendungen:• Solar-Umrichter• unterbrechungsfreie Stromversorgungen• Schweißkonverter• Umrichter mit hoher Schaltfrequenz

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  IGZ100N65H5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 161A, 536W, TO-247-4

  IGZ100N65H5650V Hochgeschwindigkeits-IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 TechnologieMerkmale und Vorteile:• Hochgeschwindigkeits-H5 TRENCHSTOP™ Technologieangebot• Extrem verlustarmes Schalten dank des Kelvin-Emitterpins in Kombination mit TRENCHSTOP™ 5• Klassenbester Wirkungsgrad bei hartem Schalten und Resonanztopologien• Plug-and-Play-Ersatz für IGBTs der vorherigen Generation• 650V Durchbruchspannung• Niedrige Gate-Ladung QG• maximale Sperrschichttemperatur 175°C• nach JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert• Pb-freie Verbleiung, halogenfreie Formmasse, RoHS-konform• Vollständiges Produktspektrum und PSpice-Modelle: http://www.infineon.com/igbt/Anwendungen:• Solare String-Wandler• unterbrechungsfreie Stromversorgungen• Schweißkonverter• Schaltfrequenzwandler für den mittleren bis hohen Bereich

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  IGZ50N65H5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 85A, 273W, TO-247-4

  IGZ50N65H5650V Hochgeschwindigkeits-IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 TechnologieMerkmale und Vorteile:• Hochgeschwindigkeits-H5 TRENCHSTOP™ Technologieangebot• Extrem verlustarmes Schalten dank des Kelvin-Emitterpins in Kombination mit TRENCHSTOP™ 5• Klassenbester Wirkungsgrad bei hartem Schalten und Resonanztopologien• Plug-and-Play-Ersatz für IGBTs der vorherigen Generation• 650V Durchbruchspannung• Niedrige Gate-Ladung QG• maximale Sperrschichttemperatur 175°C• nach JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert• Pb-freie Verbleiung, halogenfreie Formmasse, RoHS-konform• Vollständiges Produktspektrum und PSpice-Modelle: http://www.infineon.com/igbt/Anwendungen:• Solare String-Wandler• unterbrechungsfreie Stromversorgungen• Schweißkonverter• Schaltfrequenzwandler für den mittleren bis hohen Bereich

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  IGZ75N65H5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 119A, 395W, TO-247-4

  IGZ75N65H5650V Hochgeschwindigkeits-IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 TechnologieMerkmale und Vorteile:• Hochgeschwindigkeits-H5 TRENCHSTOP™ Technologieangebot• Extrem verlustarmes Schalten dank des Kelvin-Emitterpins in Kombination mit TRENCHSTOP™ 5• Klassenbester Wirkungsgrad bei hartem Schalten und Resonanztopologien• Plug-and-Play-Ersatz für IGBTs der vorherigen Generation• 650V Durchbruchspannung• Niedrige Gate-Ladung QG• maximale Sperrschichttemperatur 175°C• nach JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert• Pb-freie Verbleiung, halogenfreie Formmasse, RoHS-konform• Vollständiges Produktspektrum und PSpice-Modelle: http://www.infineon.com/igbt/Anwendungen:• Solare String-Wandler• unterbrechungsfreie Stromversorgungen• Schweißkonverter• Schaltfrequenzwandler für den mittleren bis hohen Bereich

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