34 Results for : soj

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    Lierac pflegende Körperlotion PREMIUM CR SOJ?US ABSOLUT 50ML
    Lierac pflegende Körperlotion PREMIUM CR SOJ?US ABSOLUT 50ML multifarben In Damengrößen erhältlich. Einheitsgrösse. Jetzt PREMIUM CR SOJ?US ABSOLUT 50ML von Lierac auf Spartoo.de versandkostenfrei bestellen! 5% Rabatt mit Code: 5JULDE
    • Shop: Spartoo
    • Price: 120.16 EUR excl. shipping
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    Lierac pflegende Körperlotion PREMIUM CR SOJ?US ABSOLUT 50ML
    Lierac pflegende Körperlotion PREMIUM CR SOJ?US ABSOLUT 50ML multifarben In Herrengrößen erhältlich. Einheitsgrösse. Jetzt PREMIUM CR SOJ?US ABSOLUT 50ML von Lierac auf Spartoo.de versandkostenfrei bestellen! 5% Rabatt mit Code: 5JULDE
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    Lierac pflegende Körperlotion PREMIUM CR SOJ?US ABSOLUT 50ML
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    RE 932EP - SO/SOJ-SMD Multiadapter
    SO/ SOJ-SMD MultiadapterAdaptionsplatine für 10 verschiedene SO-Gehäuse 1,27 mm pitch, 0,50 Mil auf DIL 8/14/16 (153 Mil) 1,27 mm pitch, 0,50 Mil auf DIL 8/16/20/24/28/32 (295 Mil) 1,27 mm pitch, 0,50 Mil auf DIL 40SOJ (400 Mil). Oberfläche chem. Gold, Komponentenseiten mit Lötstoppmaske vorgeritzte Sollbruchstellen zum Trennen einzelner Module
    • Shop: reichelt elektronik
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    CY7C1019DV33-10V - High-Speed SRAM, 1 Mb (128 K x 8), 3,3 V, 10ns, SOJ-32
    Statisches Hochgeschwindigkeits-CMOS-RAM 3,3V 128kx8 10ns SOJ-32Funktionale BeschreibungDer CY7C1019DV33 ist ein hochleistungsfähiges statisches CMOS-RAM, das als 131.072 Wörter zu 8 Bit organisiert ist. Eine einfache Speichererweiterung wird durch eine aktive LOW-Chip-Freigabe (CE), eine aktive LOW-Ausgangsfreigabe (OE) und Treiber mit drei Zuständen ermöglicht. Dieser Baustein verfügt über eine automatische Abschaltfunktion, die bei Abwahl den Stromverbrauch erheblich reduziert. Das Schreiben in den Baustein erfolgt über die Eingänge Chip Enable (CE) und Write Enable (WE) LOW. Die Daten auf den acht I/O-Pins (I/O0 bis I/O7) werden dann an die auf den Adresspins (A0 bis A16) angegebene Stelle geschrieben. Das Lesen aus dem Gerät erfolgt, indem Chip Enable (CE) und Output Enable (OE) LOW genommen werden, während Write Enable (WE) HIGH erzwungen wird. Unter diesen Bedingungen erscheint der Inhalt der durch die Adresspins spezifizierten Speicherstelle auf den I/O-Pins. Die acht Eingangs-/Ausgangs-Pins (I/O0 bis I/O7) werden in einen hochohmigen Zustand versetzt, wenn der Baustein abgewählt wird (CE HIGH), die Ausgänge deaktiviert werden (OE HIGH) oder während eines Schreibvorgangs (CE LOW, und WE LOW).Der CY7C1019DV33 ist in Pb-freiem, 32-poligem, 400 Mil breitem, vergossenem SOJ-Gehäuse, erhältlich.Merkmale• Pin- und funktionskompatibel mit CY7C1019CV33• Hohe Geschwindigkeit: taa = 10 ns• Niedrige Wirkleistung: Icc = 60 mA @ 10 ns• Niedrige CMOS-Standby-Leistung: Isb2 = 3 mA• 2,0 V Datenspeicherung• Automatische Abschaltung bei Abwahl• CMOS für optimale Geschwindigkeit/Leistung• Zentrale Stromversorgung/Massebelegung• Einfache Speichererweiterung mit CE- und OE-Optionen• Erhältlich in Pb-freien, 32-poligen, 400 Mil breiten, geformten SOJ-Gehäusen
    • Shop: reichelt elektronik
    • Price: 2.45 EUR excl. shipping
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    Universal PLCC-Ausziehwerkzeug
    Zange zum einfachen Entnehmen von ICs aus einer PLCC- oder SOJ-Fassung. Bei Verwendung des Ausziehers wird der Chip gleichmäßig aus der Fassung gezogen.
    • Shop: ManoMano
    • Price: 2.25 EUR excl. shipping
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    CY7C1021DV33-10V - High-Speed SRAM, 1 Mb (64 K x 16), 3,3 V, 10ns, SOJ-44
    Statisches Hochgeschwindigkeits-CMOS-RAM 3,3V 64kx16 10ns SOJ-44Funktionale BeschreibungDer CY7C1021DV33 ist ein hochleistungsfähiger statischer CMOS-RAM, der als 65.536 Wörter mit 16 Bit organisiert ist. Dieser Baustein verfügt über eine automatische Abschaltfunktion, die bei Abwahl den Stromverbrauch erheblich reduziert. Das Schreiben in den Baustein erfolgt, indem die Eingänge Chip Enable (CE) und Write Enable (WE) auf LOW gesetzt werden. Wenn Byte Low Enable (BLE) LOW ist, dann werden Daten von I/O-Pins (I/O0 bis I/O7) an die auf den Adresspins (A0 bis A15) angegebene Stelle geschrieben. Wenn Byte High Enable (BHE) LOW ist, dann werden Daten von I/O-Pins (I/O8 bis I/O15) an die auf den Adresspins (A0 bis A15) angegebene Stelle geschrieben. Das Lesen aus dem Baustein erfolgt, indem Chip Enable (CE) und Output Enable (OE) LOW genommen werden, während Write Enable (WE) HIGH erzwungen wird. Wenn Byte Low Enable (BLE) LOW ist, erscheinen Daten von der durch die Adresspins angegebenen Speicherstelle auf I/O0 bis I/O7. Wenn Byte High Enable (BHE) LOW ist, erscheinen Daten aus dem Speicher an I/O8 bis I/O15. Eine vollständige Beschreibung der Lese- und Schreibmodi finden Sie in der Wahrheitstabelle am Ende dieses Datenblatts. Die Eingangs-/Ausgangspins (I/O0 bis I/O15) werden in einen hochohmigen Zustand versetzt, wenn das Gerät abgewählt wird (CE HIGH), die Ausgänge deaktiviert werden (OE HIGH), BHE und BLE deaktiviert werden (BHE, BLE HIGH) oder während eines Schreibvorgangs (CE LOW, und WE LOW).Der CY7C1021DV33 ist in Pb-freien, 44-poligen, 400 Millimeter breiten, vergossenen SOJ-, 44-poligen TSOP II- und 48-Kugel-VFBGA-Gehäusen erhältlich.Merkmale• Temperaturbereiche - Industriell: -40 °C bis 85 °C - Automobil-A: -40 °C bis 85 °C• Pin- und funktionskompatibel mit CY7C1021CV33• Hohe Geschwindigkeit: taa = 10 ns• Niedrige Wirkleistung: Icc = 60 mA @ 10 ns• Geringe CMOS-Standby-Leistung: Isb2 = 3 mA• 2.0 V Datenspeicherung• Automatische Abschaltung bei Abwahl• CMOS für optimale Geschwindigkeit/Leistung• Unabhängige Kontrolle der oberen und unteren Bits• Bleifrei erhältlich in 44-poligem 400 Mil breit gepresstem SOJ, 44-poligem TSOP II- und 48-Ball-VFBGA-Gehäuse
    • Shop: reichelt elektronik
    • Price: 1.85 EUR excl. shipping
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    IS61C25616AL-10K - High-Speed SRAM, 4 Mb (256 K x 16), 5 V, 10ns, SOJ-44
    High-Speed CMOS Static RAM 5V 256kx16 10ns SOJ44(I)Beschreibung:Die ISSI IS61C25616AL/AS und IS64C25616AL/AS sind statische Hochgeschwindigkeits-RAMs mit 4.194.304 Bit, die als 262.144 Worte mal 16 Bit organisiert sind. Sie werden mit der Hochleistungs-CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Dieser äußerst zuverlässige Prozess in Verbindung mit innovativen Schaltungstechniken ermöglicht Zugriffszeiten von bis zu 12 ns bei geringem Stromverbrauch. Wenn CE auf HIGH (abgewählt) steht, geht das Gerät in einen Standby-Modus über, in dem die Verlustleistung mit CMOS-Eingangspegeln nach unten reduziert werden kann. Eine einfache Speichererweiterung ist durch die Verwendung von Chip Enable- und Output Enable-Eingängen, CE und OE möglich. Der aktive LOW Write Enable (WE) steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen des Speichers. Ein Datenbyte ermöglicht den Zugriff auf Upper Byte (UB) und Lower Byte (LB). Die IS61C25616AL/AS und IS64C25616AL/AS sind in den JEDEC-Standards 44-poliger 400-mil SOJ und 44-poliger TSOP (Typ II) verpackt.Merkmale:• Hochgeschwindigkeits-Zugriffszeit: 10 ns• Niedrige Wirkleistung: 150 mW (typisch)• Geringe Standby-Leistung: 10 mW (typisch) CMOS-Standby• Vollständig statischer Betrieb: keine Uhr oder Auffrischung erforderlich• TTL-kompatible Ein- und Ausgänge• Einzelne 5V (±10%) Stromversorgung• Verfügbar im 44-poligen SOJ-Gehäuse und 44-poliger TSOP (Typ II)• Kommerzielle, industrielle und Automobil-Temperaturbereiche verfügbar• Bleifrei verfügbar
    • Shop: reichelt elektronik
    • Price: 4.93 EUR excl. shipping
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    Universal PLCC-Ausziehwerkzeug
    Zange zum einfachen Entnehmen von ICs aus einer PLCC- oder SOJ-Fassung. Bei Verwendung des Ausziehers wird der Chip gleichmäßig aus der Fassung gezogen.
    • Shop: ManoMano
    • Price: 2.25 EUR excl. shipping

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